ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM

Release time:2022-09-28
author:Ameya360
source:网络
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    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新电源技术“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1(以下称为“响应性能”,指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性)。

    近年来,在各种应用领域,数字化进程都在加速,随着所安装的电子元器件数量的增加,应用产品的设计工时也增加了。其中,电容器在很多应用(比如使电路稳定的应用)中被大量使用,希望减少其使用数量的需求与日俱增。此外,在电源电路中,为了减少规格变更时的设计工时,对响应性能优异、可实现预期稳定工作的高品质电源IC需求高涨。这些需求也可以说是对电源IC的基本要求,ROHM为了满足这些需求,确立了能够更大限度地追求电源IC响应性能的高速负载响应技术“QuiCurTM”。

    为了实现稳定的电源功能,电源IC会内置一种通过始终监测输出电压并与IC内部的基准电压比较来微调输出电压的电路(以下称“反馈电路”)。如果这种反馈电路能够更快地响应,就可以使输入电压和负载电流*1等的波动造成的输出电压波动在短时间内恢复。另一方面,如果响应过快,就会造成电路工作不稳定,输出电压发生振荡,响应速度也会受到输出电容器的电容量(以下称“输出电容容量”)的影响,很难实现目标响应性能。

    通过在电源IC中采用此次新开发的高速负载响应技术“QuiCurTM”,可以防止电源IC反馈电路不稳定,并能更大程度地实现目标响应性能。对于电源IC所需的输出电容器来说,不仅可以将电容量降至更低,减少元器件数量和电路板安装面积,还可对电容量和输出电压波动进行线性(常数为负比关系)调整,即使因规格变更导致电容量增加时,也可以轻松实现预期的稳定工作,因此,从元器件数量更少和运行更稳定两方面来看,都非常有助于显着减少电源电路的设计工时。

ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM

    <关于高速负载响应技术“QuiCurTM”>

    QuiCurTM是根据实现了高速负载响应的ROHM自有电路“Quick Current”而命名的商标。使用该技术后,电源IC的反馈电路能够在稳定工作的前提下更大程度地实现目标负载响应特性(响应性能)。该技术具有以下特点,有助于减少应用产品电源电路的设计工时。

    1. 可减少输出电容器数量和电路板安装面积

    使用QuiCurTM技术可以快速响应输出电压相对于负载电流的波动,因此,可以减少电源IC所需的输出电容器容量,从而可减少元器件数量和电路板安装面积。与ROHM以往技术相比,用不到一半的电容器容量即可实现同等的响应性能。

ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM

    2. 即使规格变更时也可轻松实现预期的稳定运行

    随着输出电容容量的增加,输出电压稳定了,但瞬时响应性能(到开始反应所需的时间)却变差了。使用QuiCurTM技术,即使输出电容器容量增加,也不会改变瞬态响应性能,因此可以对输出电容器容量和输出电压波动进行线性(常数为负比关系)调整。即使因规格变更而需要更稳定的运行时(希望进一步降低输出电压波动时),也可以轻松实现预期的稳定运行。

ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM

    <QuiCurTM技术详情>

    为了更大程度地追求响应性能,QuiCurTM技术精细划分了响应速度(控制系统)和电压稳定性(校准系统)的信号处理任务,解决了以往电源IC反馈电路中存在的两个问题:“在不稳定区域前面的低频段产生不可用区域”、“过零频率*2(f0)会随输出电容器的容量而变化”。

    针对第一个问题“产生不可用区域”,该技术通过在反馈电路中配置不会产生不可用区域的专用误差放大器*3而成功解决。针对第二个问题“过零频率变化”,该技术配置了第二级专用的误差放大器,并采用了一种可以通过电流驱动来调整其放大倍数(Gain)的技术。虽然过零频率会随所连接的输出电容器容量发生变化,但通过根据该变化调整放大倍数,可以将过零频率始终设置在不稳定区域和稳定控制区域之间的边界线上。将这两个误差放大器的作用分开来构建的系统,可以广泛地应用于具有反馈电路的DC/DC转换器IC和线性稳压器等电源IC。

ROHM确立了可更大程度追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM

    <与超稳定控制技术“Nano CapTM”的融合>

    Nano CapTM通过改善模拟电路的响应性能,并更大程度地减少布线和放大器的寄生因素,可对线性稳压器的输出提供稳定的控制,从而能够将输出电容器的容量降至以往技术的1/10以下,因此,可以实现比如不再需要线性稳压器输出侧的电容器,只需微控制器侧100nF的电容器即可稳定运行。仅凭QuiCurTM技术,只能将输出电容器容量降至µF数量级,但当QuiCurTM和Nano CapTM技术结合使用时,则可降至nF数量级。

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ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
  中国上海,2026年6月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”,使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。  近年来,可穿戴设备、移动设备、IoT设备等电池供电的电子设备已在各种场景中得到广泛应用。为提高设计灵活性并增加新功能,这些设备中所搭载的元器件不仅要实现小型化,还需满足低功耗要求以延长电池续航时间。ROHM始终在推进满足市场需求的电源IC开发工作。在这过程中诞生的升降压电源IC “BD83070GWL”,自2019年投入市场以来,凭借其业界先进的高效率和超低消耗电流性能,为提升电池供电应用的价值做出了贡献。此次,作为更适用于尖端应用的解决方案,ROHM新开发并开始提供实现了超小型安装面积“BD83070GWL参考板”。  “BD83070GWL”是一款升降压DC-DC转换器*1IC,其开发目标是成为通过小型电池等供电的电子设备的“低功耗环保器件的标杆”,实现了高达97%的效率和2.8μA的超低静态电流。  此次开发的参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计,由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成,实现了12.87mm²(3.3×3.9mm)的超小型安装面积。因此,与采用普通升降压电源IC(包括内置线圈型)的配置相比,该参考板在安装面积方面具备显著优势。此外,作为参考设计,ROHM还公布了包括电路图案和物料清单(BOM)等在内的设计信息,这不仅便于客户评估使用,还能轻松扩展应用于客户的量产设计。  新参考板已于2026年6月开始供应(样品价格:13,000日元/个,不含税),并已开始网售。  ROHM将通过提供性能优异的电源IC和参考板,为电池供电应用的进一步小型化和节能化提供支持。  <应用示例>・可穿戴设备(智能手表、智能戒指、生物感测设备等)  ・移动设备(AR/VR设备、智能手机等)  ・物联网设备(AI传感器节点、BLE设备、智能锁、小型无人机等)  ・小型电池供电设备(无线耳机、数字钥匙、电动牙刷等)  <术语解说>*1) DC-DC转换器、降压、升压、升降压  电源IC的一种,具备将直流电(DC)转换为直流电(DC)的电压转换功能。通常有降低电压的“降压”和提高电压的“升压”型产品。“升降压”型产品可根据输入电压切换升压和降压。
2026-06-24 10:38 reading:193
AMEYA360 × ROHM | 扫码解锁直播抽奖,一键直达原厂技术社区!
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2026-06-22 10:06 reading:225
ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列
ROHM课堂 | 为何48V不再够用? AI服务器机架重塑电源架构新潮流
  单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长,数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限,业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性,并阐述下一代电源架构的应用方法路径。  AI功耗爆增:  48VDC正面临物理壁垒  全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮,为更大程度地提升每平方米的算力,服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。  图1:预计到2030年,全球AI服务器的耗电量将超过800TWh,接近1000TWh。出处:国际能源署(IEA)  解决方案就在欧姆定律中:  提高电压即可降低电流  减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下,电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时,所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比,因此,从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。  在这种情况下,目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。  两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴,但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言,必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。  HVDC改变电源电路:  SiC和GaN所发挥的作用  一旦电压架构发生变化,电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中,转换效率即使微幅提升,都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%,便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。  提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比,这些宽带隙半导体的开关速度更快,损耗更低。  实现示例:适用于800VDC的  电源单元电路结构  ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下:  图3:ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT  图4:适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
2026-06-18 09:47 reading:339
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