罗姆确立超高速驱动控制IC技术

Release time:2023-03-14
author:AMEYA360
source:网络
reading:2883

  ROHM罗姆确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。

罗姆确立超高速驱动控制IC技术

  在这种背景下,ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”,成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns,达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中,又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

  目前,ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作,计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合,将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

  未来,ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心,追求应用的易用性,积极开发解决社会课题的产品。

  日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示:

  “多年来,GaN作为能够实现节能的功率半导体材料一直备受期待,但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下,ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系,并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这对于促进GaN器件的普及而言,可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能,就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面,日本有包括ROHM在内的很多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块,需要整个国家通力合作,为实现无碳社会贡献力量。”

罗姆确立超高速驱动控制IC技术

  超高速驱动控制IC技术

  <背景>

  在追求电源电路小型化时,需要通过高频开关来减小外围元器件的尺寸,而这就需要能够充分激发出GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。这次,为了实现包含外围元器件的解决方案,ROHM确立了非常适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术,该技术中还融入了ROHM引以为豪的模拟电源技术之一“Nano Pulse Control”技术 。

  <控制IC技术详情>

  该技术采用了在ROHM的垂直统合型生产体制下融合了电路设计、工艺和布局三大模拟技术而实现的“Nano Pulse Control”技术。通过采用自有的电路结构,将控制IC的最小控制脉宽由以往的9ns大幅提升至2ns,这使得以48V和24V应用为主的应用,仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作(从最高60V到0.6V)。该技术非常适合与GaN器件相结合,实现高频开关,从而助力外围元器件小型化,对采用了该技术的DC-DC控制器IC(开发中)和采用了EcoGaN技术的电源电路进行比较时,后者的安装面积比采用普通产品时可减少86%。


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2025-12-09 16:02 reading:296
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  近年来随着电动汽车市场的不断扩大,对高性能、高效率的功率半导体器件的需求也在持续增长。碳化硅芯片以其出色的耐高温、耐高压、低损耗等特性,成为电动汽车电机控制器、电池管理系统等关键部位的首选材料。  罗姆碳化硅业务布局,其贯彻垂直整合生产体系,通过第4代碳化硅晶圆及多类碳化硅模块,如 TRCDRIVE pack™(小型化、低寄生电感、散热好,适配主驱逆变器)、BSTB模块、HSDIP模块与2in1表面贴装模块(适用于OBC等)的性能优势与未来规划,为汽车电动化提供高效解决方案。  本次研讨会将向大家讲解罗姆碳化硅模块方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名,参与还有机会赢取精美礼品!  01 研讨会提纲  1. ROHM碳化硅业务概述  2. 主流碳化硅模块产品介绍  3. TRCDRIVE pack™模块  4. BSTB模块  5. HSDIP20/2in1 SMD碳化硅模块  02 研讨会主题  利用罗姆碳化硅模块的优势  来助力汽车应用的未来发展  03 研讨会时间  2025年12月17日上午10点  04 研讨会讲师张子阳(高级工程师)  罗姆半导体公司的功率器件工程师,主要推广碳化硅等功率器件的推广和应用,深度了解碳化硅器件工艺及相关市场。  相关产品页面  · 二合一 碳化硅封装模块“TRCDRIVE pack™”  · 碳化硅塑封型模块“HSDIP20”  · 罗姆碳化硅功率器件系列产品  · 第4代碳化硅MOSFET  好礼●来袭  互动礼  观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个,共计15份。  宣传礼  转发研讨会文章/海报,同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。  专业微信群  标签打印机(30份)  微信朋友圈  车载手机支架(20份)  邀约礼  分享本次研讨会,邀请5位好友报名,并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台,即有机会获取30元京东卡1份,共计20份。  注意事项  1. 请注意,想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号:rohmsemi)。  2. 每位用户仅可领取一种奖品,报名信息须真实有效。  3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2025-12-04 15:48 reading:318
罗姆课堂 | 诺顿定理:等效电路分析
  诺顿定理:等效电路分析  诺顿定理是一种通过将复杂二端网络等效替换为电流源与并联电阻的组合来简化电路分析的方法。借助这种方法,即便在电路中包含电压源或受控电源的情况下,也能准确计算负载上的电流与电压,进而减少复杂电路设计的工作量。例如,诺顿定理的特点在于:在电路设计与学习场景中,不仅常用于对放大器输出特性的评估,还易于应用于滤波器及放大电路的优化工作。  本文由罗姆和AMEYA360将从诺顿定理的基本原理、具体求解方法,到与其他分析方法的区别,进行通俗易懂的介绍。同时,也将对诺顿定理的使用要点进行整理归纳。  点击查看诺顿定理:等效电路分析全部内容  诺顿定理的基本原理  诺顿定理指出:“从两个端子看进去的任意复杂线性电路,均可等效替换为一个电流源(IN)与一个电阻(RN)相并联的电路。”此外,诺顿定理的证明与戴维南定理呈表里一体的关系,二者可相互转换,这是其显著特征。  所谓“线性电路”,是指电压与电流的关系保持线性的电路,通常指包含电阻、线性独立电源、受控电源等元器件的电路。即使电路中包含二极管、晶体管等非线性元件,在特定工作点附近,有时也可通过采用线性化等效电路来应用,但本文将主要聚焦于线性元器件展开论述。  构成诺顿等效电路的要素  要有效运用诺顿定理,必须准确理解构成其等效电路的要素。诺顿等效电路仅由两个元器件构成,即电流源与并联电阻(RN)。掌握这一结构后,即便面对看似复杂的电路,也能快速把握其核心本质。下文将对诺顿定理中的核心要素——诺顿电流与诺顿电阻,以及它们之间的相互作用进行说明。  诺顿电流  应用诺顿定理时,最终可得到一个名为IN的理想电流源。根据定义,IN是将两个目标端子短接(直接连接)时流过的电流。  具体而言,需将负载电阻替换为理想导体,再通过计算或测量得出流入该导体的电流大小。  理想电流源的特性是无论端子电压如何变化,都会持续提供恒定的电流IN。实际电路元器件并不具备无限大的内阻,但通过这种理想化处理,不仅能简化电路计算过程,还能更清晰地把握电流源与负载之间的相互作用关系。
2025-12-03 14:23 reading:327
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