纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

发布时间:2024-03-20 14:09
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1992

  针对汽车电气化与智能化涌现出越来越多的高压继电器、车身LED、单极性步进电机等负载,纳芯微推出全系列车规级低边驱动产品以满足不同通道电流,集成度与诊断的需求。如下表所示,纳芯微低边系列产品覆盖1/2/4/8通道不同阻值系列,其中NSD11/12系列为单/双通道90~300mΩ低边系列;NSD5604-Q1为最高支持55V耐压的4通道低边驱动,非常适合应用于商用车24V平台控制器应用;全新8通道低边驱动NSD56008-Q1产品具备跛行模式并支持负载开路诊断功能。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  NSD56008-Q1产品特性

  工作电压:4.5V – 28V

  8通道1Ω低边驱动,每通道典型负载电流330mA

  16位SPI通信,支持并联和菊花链模式,兼容8位SPI通信

  2个兼容CMOS的输入引脚IN0和IN1,可映射到输出端口

  全功能检测及保护:过载,过温诊断及保护,过压保护和开路诊断。

  支持跛行模式

  支持并联模式

  工作温度:Tj=-40°C~150°C

  封装形式:HTSOP24

  AEC-Q100认证

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  1、输入IO映射功能(Input Mapping)

  NSD56008-Q1提供IN0和IN1两个输入控制引脚,在默认模式下分别控制输出通道OUT2和输出通道OUT3,同时也可以通过映射地址寄存器(mapping registers) MAP_IN0和MAP_IN1将IN0和IN1映射到任意一个输出通道,以实现PWM控制任意输出通道,该功能可广泛应用于散热风扇模组调速控制与LED亮度调节等场景。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  2、跛行模式(Limp Home)

  针对汽车发生故障后需要保持持续工作的要求,当芯片IDLE 引脚为“低电平”且其中一个输入引脚(IN0或者IN1)设置为“高电平”时,NSD56008-Q1进入跛行模式(Limp Home Mode),IN0与IN1默认映射到输出通道OUT2与OUT3,可用于保持特定负载/继电器持续工作,所有其他输出通道均关闭。在跛行模式下,为防止MCU可能出现的"不可控操作",NSD56008-Q1寄存器仅支持读取,不支持寄存器写入操作。MCU可通过输入状态寄存器(Input Status Monitor)监控 NSD56008-Q1 INx的状态是否与配置相符;同理,通过输出状态寄存器(Output Status Monitor)监控OUTx负载工作状态是否正常。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  3、有源钳位(Active Clamping)

  钳位能量是衡量低边开关在驱动感性负载以实现快速退磁功能的一项重要指标,退磁能量与感性负载电感值、负载电流、钳位电压与退磁时间相关。钳位能量衡量指标主要分为单次脉冲能量耗散(single pulse)和重复脉冲能量耗散(repetitive pulses)。单次脉冲能量耗散衡量的是低边驱动全生命周期不损伤芯片的情况下,短时间能够承受的最大能量耗散值;重复脉冲能量耗散衡量的是低边驱动在周期性关断过程中在不会因为累积效应对芯片造成损伤情况下所吸收的单次退磁能量值。

  NSD56008-Q1常用于驱动小电流感性负载例如12V继电器,25度摄氏度下,最大平均电流为300mA左右,85摄氏度条件下,最大平均电流为200mA左右。根据其实际应用负载电流并考虑充足余量的情况下,在负载电流580mA测试中,NSD56008-Q1单次脉冲测试可承受120mJ以上能量耗散(datasheet 中降额为50mj@440mA, 25℃)。重复脉冲测试中单次能量耗散为20mJ(datasheet中降额为10mj@440mA, 85℃),其在环境温度85度情况下,完成200万次关断操作后仍然保持功能正常。

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  单脉冲关断能量 - 25摄氏度

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  重复多次脉冲关断能量 - 200万次反复关断 - 85摄氏度

  4、诊断和保护(Diagnosis & Protection)

  NSD56008-Q1配备丰富的保护与诊断功能,分别提供逻辑供电与功率供电欠压保护;每个通道独立设计过载与过温保护,各过温过载以及负载状态的诊断信息通道间相互独立并能够通过寄存器汇报到MCU,一个通道的错误状态不会影响其他通道正常工作。

  保护功能:

  VDD欠压保护

  VS欠压保护

  每通道独立过载

  与过温保护

  诊断功能:

  芯片工作模式监控

  输入与输出IO状态监控

  输出通道过载与过温状态监控

  输出通道开路诊断

  通信错误诊断

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

  纳芯微低边驱动产品系列选型表:

纳芯微:8通道1Ω车载低边驱动全新发布!具备跛行模式,支持负载开路诊断功能!

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
纳芯微重磅推出车规级SBC NSR926X,助力智能汽车电子架构升级!
  汽车电子电气架构正加速从分布式向域控制中央集中式方向发展,系统设计面临以下关键挑战:  • 系统集成度:功能数量持续增加,需通过高集成方案降低外围器件数量,优化PCB空间布局;  • 功耗管理:低功耗待机、快速唤醒与多模式能耗控制需求提升,设计平衡难度加大;  • 总线系统设计:CAN FD、LIN等多总线架构广泛应用,需兼顾高速传输、低干扰性能与网络唤醒机制,保障通信可靠性与整车功耗水平。  纳芯微全新推出的NSR926X系列车规级SBC系统基础芯片,集成了三路低压差稳压器(LDO)、四路高边驱动(HSS)、LIN收发器及带部分网络(Partial Networking, PN)功能的高速CAN收发器,采用多合一平台级设计,全面满足智能汽车控制模块对供电、通信与驱动等功能的集成化需求,助力下一代汽车电子架构高效升级!  封装与选型  NSR926X采用7mm × 7mm QFN48封装,带Wettable Flank结构,支持AOI检测,符合AEC-Q100 Grade 1车规认证,可广泛应用于车身控制模块(BCM)、尾门控制单元、转向系统模块、挡位选择模块等车载电子系统。  NSR926X系列产品选型表  产品亮点  集成三路LDO输出,满足多电压域供电需求  ◆ LDO1:主稳压输出,提供5V/250mA (NSR926X) 或3.3V/250mA(NSR926XV33),适用于MCU供电;  ◆ LDO2:辅助稳压输出,5V/100mA,具备板外使用保护功能;  ◆ LDO3:可配置电压输出,支持5V或3.3V(NSR926X)、3.3V或1.8V(NSR926XV33) 选择,配合外部PNP晶体管可用于板外供电或与LDO1负载共享。  集成四路高边驱动,满足多样化负载控制需求  ◆ HS1、HS2:3Ω导通阻抗,适配中等功率负载;  ◆ HS3、HS4:6Ω导通阻抗,适用于轻载控制;  四路HS针对带大电容启动的应用场景进行了设计优化,兼顾启动性能与短路保护需求。  支持CAN FD与LIN通信,适配复杂车载网络架构  ◆ CAN收发器:支持最高5 Mbit/s FD通信,兼容CAN 部分网络(Partial Networking, PN)功能与CAN FD容错模式,符合ISO 11898-2:2016与SAE J2284标准;  ◆ LIN收发器:支持LIN 2.2协议,兼容ISO 17987-4与SAE J2602标准;  集成7种状态机模式,适配各种应用场景  ◆ 初始化模式 - Init Mode;  ◆ 正常工作模式 - Normal Mode;  ◆ 低功耗模式 - Stop/Sleep Mode;  ◆ 故障保护模式 - Restart/Fail-safe Mode;  ◆ 用户调试模式 - Test Mode  集成完善的智能唤醒与系统监控/故障诊断功能  ◆ WK端口支持电压检测及远程唤醒功能,具备高压测量功能,通过WK1与WK2可实现高压检测与备用测量模式切换;  ◆ 16位SPI接口,支持灵活配置与系统状态监控;  ◆ 故障输出/通用IO:3路Fail输出,支持故障状态显示,FO2/FO3可配置为通用IO或唤醒源;  ◆ 集成Fail-safe安全机制、看门狗定时器(窗口模式与超时模式)、中断与复位输出功能  依托高集成、高可靠、低功耗、可扩展等优势,纳芯微NSR926X系列SBC为下一代智能汽车电子系统提供稳定、灵活、可靠的一站式电源与通信支持平台!
2025-07-28 14:06 阅读量:246
纳芯微参与车规传感器标准制定,推动汽车电子行业发展
  在汽车电子技术加速发展的背景下,产业标准体系建设已成为行业高质量发展的关键之一。作为国内领先的汽车模拟芯片和传感器芯片企业,纳芯微不仅在产品创新和市场拓展方面不断发力,还积极参与行业标准的制定,推动技术规范化进程。  近期,由纳芯微参与编制的《汽车用霍尔式传感器性能试验方法》团体标准,已正式获得中国检验检测学会批准发布。该标准对霍尔式传感器的一般试验、外观检查、工作温度范围、电气特性等性能测试方法进行了系统规定,为相关产品的开发、验证和质量评估提供了统一的技术依据。  纳芯微在技术创新、市场拓展及产业链协同持续突破。其产品广泛应用于新能源汽车三电系统,并加速渗透至智能化和安全领域。自2016年发布首款汽车芯片,截止2024年,纳芯微汽车芯片累计出货量已达6.68亿颗,2024年汽车业务营收占比36.88%。  在磁传感器领域,纳芯微不断丰富产品体系并布局全面,2024年顺利完成对麦歌恩的战略收购与整合,进一步拓展技术与产品矩阵,提升市场竞争力,巩固行业领先地位。  磁电流传感器(例如:NSM201x系列和NSM203x系列)可用于汽车电池管理系统的电流监测;  磁开关传感器(例如:MT72xx系列和MT73xx系列)可用于车门、尾门、座椅卡扣等部件的测与控制;  磁角度传感器(例如:MT6511)可实现精准的角度位置感知,提升电控系统的稳定性;  磁阻编码器(例如:MT6835 和 MT6826S)以高精度和快速响应为优势,广泛应用于工业自动化和运动控制等领域;  速度传感器(例如:NSM41xx系列)采用AMR技术,可用于汽车ABS系统中的车轮速度检测,助力制动控制系统实现精准响应与安全提升。
2025-07-23 10:43 阅读量:365
纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境,MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制
  纳芯微基于3D霍尔原理设计的双路输出霍尔锁存器MT73xx系列,支持SS(速度与速度)或SD(速度与方向)双路输出,符合车规Grade 0标准,可广泛应用于车窗、尾门、天窗等电机控制系统,助力提升速度与位置检测的精度与稳定性,优化整车舒适性体验。  在电机控制系统中,速度与方向信号的精准检测直接影响系统响应速度与运行稳定性。传统方案通常依赖两颗霍尔锁存器组合,对磁环安装精度要求较高,容易引发信号相位偏差、同步性差、结构复杂等问题。  MT73xx系列产品集成3D霍尔感应结构,具备天然正交输出特性,能够同时输出双路相位差90°的速度信号(SS输出)或速度与方向信号(SD输出),广泛适用于 “速度-方向”检测场景。这种设计降低了对磁环磁极位置安装精度的依赖,有效规避双路信号相位偏差,简化系统结构,提高整机稳定性,为运动控制检测提供更灵活可靠的解决方案。  VHS技术加持,适配多元磁环结构  为了实现高精度的3D感应效果,MT73xx系列采用纳芯微自研VHS(Vertical Hall Sensor)技术,通过XY、YZ、XZ不同轴向感应组合,任意两轴便可天然正交输出,提升信号同步性。  此外,MT73xx系列可很好的兼容磁环结构,无论是轴向、径向或异形磁铁结构,均能保持优良的占空比表现,便于用户根据磁环特性与安装环境灵活调整设计,进一步降低开发难度与调试成本。  双路输出优化系统集成  在系统集成方面,MT73xx的双路输出特性可替代传统单路或双霍尔方案,直接输出SS(速度与速度)或SD(速度与方向)信号至ECU,减少外围冗余位置传感器需求。  这一设计不仅节省PCB空间、简化结构设计,还提升了方案集成度,为客户在电机控制、智能座舱等领域的创新应用提供更大自由度。
2025-07-23 10:41 阅读量:338
助力半桥器件开关安全提速,纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
  纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列,该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上,集成了米勒钳位功能,同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比  5A米勒钳位功能,助力半桥电路安全可靠  在实际应用中,OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为,尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用,门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小,使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时,为了避免因米勒效应引发的桥臂直通,通常需要调整驱动电路。  然而,在很多情况下,即使精心调整了驱动参数、正负供电电压,以及优化PCB栅极寄生参数,也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥,也可能带来潜在的安全隐患。开关过程中米勒效应原理  纳芯微推出NSI6602MxEx系列,为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能,能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径,有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装,为SiC等器件的安全应用保驾护航。  NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享  在使用SiC功率器件时,由于其高dv/dt特性,门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤,是高性能驱动设计的一大挑战。常规驱动方案  如上图常规解决 SiC 器件门极串扰方案所示,这些传统手段虽然“理论可行”,但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。  下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。在相同驱动参数与layout条件下,NSI6602MxEx能显著抑制正负Vswing,搭配适当负压关断后,可将门极串扰压制至安全范围以内。不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形不同方案效果对比  更进一步,对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件,NSI6602MxEx 甚至无需负压,也能实现串扰可控,极大降低系统设计复杂度。  ±10A输出电流,助力外围电路精简设计  NSI6602MxEx提供超强驱动能力,最大可输出10A的拉灌电流,支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷(Qg)的功率管,还是在多管并联的应用中,与传统方案相比,NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器,即可实现高效驱动,有效简化外围电路设计。此外,32V最大工作电压,极限35V的最大耐压,可以应对更高的EOS冲击,搭配精简的驱动外围设计,大幅提高了整个电路系统的可靠性。  可编程死区及多档欠压阈值,助力设计灵活配置  NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置,通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间,此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出;搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑,为终端应用提供丰富的控制逻辑;另外,副边电源欠压UVLO设有8V,12V,17V三种选择,适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。  NSI6602MxEx产品特性:  5700VRMS隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150 kV/μs  输入侧电源电压:3V ~ 18V  驱动侧电源电压:高达 32V  轨到轨输出  峰值拉灌电流:±10A  峰值米勒钳位电流:5A  驱动电源欠压:8V/12V/17V三档可选  可编程死区时间  可选的正反逻辑使能配置  典型传播延时:80ns  工作环境温度:-40℃ ~ 125℃  符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  符合 RoHS 标准的封装类型:SOW18,爬电距离 >8mm  产品选型与封装  NSI6602MxEx系列提供六种型号可选,具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格,灵活适配多种应用场景。
2025-07-11 09:57 阅读量:410
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码