纳芯微模拟IC解决方案,助力多联机中央空调节能降噪

发布时间:2024-03-20 14:17
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1818

  据行业报告显示,2023年全年中国中央空调的市场实现了4.6%的增长,继2022年市场下滑后重新迎来了一波增长。其中工程项目占总市场的70%,市场占有率有小幅增长,增长率为5.7%;而家装零售市场占比仅为30%,增长率也仅有2.1%,增长相对比较缓慢。

  2023年中国中央空调市场占比前三的产品类别分别为:多联机组,单元机组和离心机组。其中多联机的使用占比最高,高达48.7%,位居第一;其次为单元机组,占比为18.8%。

  (数据来源:艾肯网)

  多联机组中央空调得到高速增长主要原因是其安装成本便宜、使用灵活、能效高,因此得到了市场的广泛欢迎,尤其是新兴行业的火热助推了工程项目市场的增长,成为其快速增长的主要推动力。

  多联机组中央空调采用“一拖多”的架构,即由一个室外机带动多个室内机,室内机可以单独安装在不同房间里,每个室内机都会对应一个线控器,通过反馈的温度、湿度等信息,可以自动调节出风口、风量以及制冷、制热功率等,以保持舒适的室内温度。多联机的技术趋势主要为两个方向,一是节能降噪,即需要室外机甚至室内机都有变频能力;二个是高舒适度和节能环保,即对空调的风量和温湿度进行更加精准的控制,同时减少空调制冷介质冷媒的泄露。

  纳芯微具有丰富的传感器产品组合,能够满足人们提高舒适度的要求,并符合绿色环保的趋势。

  点击查看纳芯微应用于中央空调的传感器解决方案

  此外,纳芯微还能够提供丰富的模拟IC解决方案。如下图所示,为多联机组的室外机和室内机系统框图,上半部分为室外机,下半部分为室内机。室外机中用到大量的模拟IC,根据其电路拓扑所示,市电交流电输入经过PFC整理转换为高压直流电,然后供电给两个电机的母线。电机的驱动采用IGBT或IPM直接控制。由于MCU通常位于低压端,而IGBT位于高压端,因此需要隔离驱动器来控制这些功率管;同时,室外机和室内机之间需要通过RS485或CAN总线进行通信;由于这两套系统通常不共地,因此需要隔离接口。

纳芯微模拟IC解决方案,助力多联机中央空调节能降噪

  多联机系统框图

  一、纳芯微隔离类产品

  纳芯微隔离技术

  目前,市场上的主流隔离技术有三种:光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。比起光耦隔离技术,容隔隔离技术采用耐压500V/μm的二氧化硅作隔离介质,耐压高且使用寿命长,可靠性和绝缘度很高,同时相较与磁耦隔离成本更低。纳芯微的隔离产品均基于容耦隔离技术进行开发,产品包括数字隔离器、隔离驱动、隔离接口、隔离运放等产品。

  此外,纳芯微的产品采用双边高压电容隔离技术,由两部分组成,左右各有一个Die,两者之间都有隔离电容,是一种双电容隔离方式,也叫增强型隔离。即使有一个电容损坏,还有另外一个电容,可以满足产品耐高压、长寿命、宽温度范围的需求。纳芯微的产品均通过了UL、VDE、CQC等各种认证。与此同时,纳芯微的容隔产品采用自有专利的Adaptive OOK®方式进行编码传输,高电平时发出一个高频正弦波,低电平时不发,然后进行解调,差分传输可以将一些共模干扰滤掉,以提高CMTI(共模瞬态抗扰度),同时具有更低电磁辐射和更低误码率的优点,芯片鲁棒性也更高。

  1、隔离驱动

  · 带米勒钳位的隔离单管驱动NSI6601M

  随着母线电压或开关频率提高,在开关过程中会导致很高的dv/dt;同时为了实现小型化,受限的布局也会产生寄生阻抗,给驱动环路带来一些自身电感,dv/dt的充放电可能会出现回路震荡。因此为了防止震荡并满足高频化要求,需要采用带米勒钳位的隔离驱动。

  其工作原理为:伴随上下管打开产生的dv/dt,米勒电容会产生一个电流,如果驱动回路阻抗较大,因为米勒电容产生的电流会导致较大Gate电压,导致原本关闭的管子会误打开,使上下管短路,甚至损坏管子;带米勒钳位的隔离驱动可以提供非常低阻抗的回路路径,将米勒电流释放到地,使门级值钳位到很低的电压,防止管子打开。

  因此,很多空调或电源应用都选择带米勒钳位的隔离驱动,可以满足高频化要求,提供更稳定的电流输出,同时防止管子打开。综上,带米勒钳位的隔离驱动在防止震荡、满足高频化要求、提供低阻抗回路路径以及防止管子打开等方面具有重要作用。

  纳芯微隔离单管驱动NSI6601M已大量应用于空调压缩机,主要用来驱动IGBT。该产品驱动电流为5A,集成米勒钳位功能,CMTI高达150kV/μs。该产品有两种封装可选,一种是窄体SOIC-8,另一种是宽体SOIC-8。

  · 带保护功能的隔离单管驱动NSI68515

  空调的压缩机可能会出现IGBT短路,一种情况是上下管短路,会直接烧掉IGBT;另一种情况是电机对地短路,比如上管打开对地短路后,会有很大的电流流过IGBT直到电机的地,致使管子损坏,甚至损坏电机。因而带保护功能的隔离驱动产品能够有效功率管,保护系统。

  纳芯微隔离单管驱动NSI68515带DESAT保护功能,可检测DESAT脚的隔离耐压。当发生过流时,电压会出现一些变化,通过DESAT引脚检测过流情况,而后进行软关断,即在过流之后慢慢关断释放电流,减少电压过充,防止IGBT损坏,以保证系统稳定运行。

  NSI68515采用电流型输入,集成了米勒钳位、DESAT保护以及软关断等功能。CMTI高达150kV/μs,隔离工作耐压高达2121V DC,驱动电流高达5A,米勒钳位电流为4A,支持轨到轨输出,结温为150℃,能够很好满足空调压缩机的应用场景,目前该款产品已在主流中央空调中有大量使用。

  2、数字隔离器

  · 第二代数字隔离器NSI82xx系列

  第二代数字隔离器NSI82xx系列包含一通道、两通道、三通道、四通道和六通道的产品,封装类型很多,广泛支持各种系统设计和PCB布局。考察数字隔离器性能的一个主要指标是CMTI,纳芯微NSI82xx系列数字隔离器的CMTI比业内一些产品的裕量高1.5至2倍。在ESD方面,单面和双面都比竞品同类型产品裕量更高,单面ESD可达8000V,双面可达15kV。

  3、隔离接口

  · 三合一隔离接口NSIP8308x系列

  NSIP8308x系列是集成度非常高的三合一隔离接口,将数字隔离器、RS485接口以及电源集成在一起。集成隔离电源可以减少电源轨,仅用一路电源即可为芯片隔离供电。RS485接口产品的速率非常高,可达16MHz;CMTI可达±150kV/μs。NSIP8308x系列多款产品支持全双工和半双工。

  二、纳芯微其他模拟IC

  除了传感器和隔离类产品,纳芯微的非隔离驱动也在中央空调有着广泛的应用。其非隔离5A双通道低边驱动产品NSD1026V适用于空调PFC的IGBT驱动。其输入端可以耐受高达-10V的负压,同时具有5A反向电流功能,无需进行输出保护。由于需要驱动PFC低边的IGBT,因而在控制器、MCU和驱动器布局都可能产生一些寄生电感,并产生负压,在输入端两个地之间形成一个压差,使输入侧出现负压,输入侧产生-10V的负压可以保证芯片的稳定运行。

  另外,由于驱动器内部打线以及PCB走线会造成寄生电感,驱动器会因输出过冲震荡而损坏,如果能承受5A峰值反灌电流,就为过充能量提供了释放路径,可以在一些布局要求比较高的产品中使用。

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纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
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