ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

发布时间:2024-11-19 16:36
作者:AMEYA360
来源:ROHM
阅读量:1633

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款属于适合播放高分辨率音源*1的MUS-IC™系列旗舰机型32位D/A转换器IC(以下简称“DAC芯片”※)“BD34302EKV”,并推出其评估板“BD34302EKV-EVK-001”,现均已开始销售。

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

  DAC芯片是决定音响设备音质的最重要器件之一,因为需要从高分辨率音源等数据中更大程度地提取信息并将其转换为模拟信号。ROHM基于50多年的音频IC产品开发经验,确立了“音质设计技术”,并开发出高音质声音处理器IC和高音质音响电源IC等诸多专注于音质的产品。

  MUS-IC™系列第1代音频DAC芯片“BD34301EKV”因其出色的音质而获得高度好评,目前已被多家公司的旗舰产品采用,“BD34302EKV”是该系列的第2代产品。新产品不仅能表现出ROHM DAC芯片的基本理念——“自然而平稳的声音”,继承了MUS-IC™系列的三大要素——“空间音效”、“静谧性”和“规模感”,还旨在真实表现出乐器原本声音的“质感”。

  BD34302EKV通过采用了DWA(Data Weighted Averaging)*2新算法,使其主要性能指标——THD+N*3特性达到-117dB(THD:-127dB),从而能够打造出让人感受到更真实质感的音质。另外,噪声性能指标“信噪比(SN比)”达到130dB,实现了满足旗舰机型用DAC芯片要求的性能。此外,支持可播放的采样频率高达1,536kHz,可以更大程度地发挥出客户设计的数字信号处理器(DSP)的高精度运算优势。不仅如此,每个通道分配1枚DAC芯片的单声道模式,采用的是ROHM自有的HD(High Definition)单声道模式*4,这非常有助于实现自然流畅的声音。而且,MUS-IC™系列即使在微小的细节上也展现出毫不妥协的匠人技艺。在ROHM多年来积累的音质设计技术基础上,还为BD34302EKV的每个引脚选择了最合适的键合线材料,以更真实地表现出乐器原本的“质感”。这些特点有助于实现高音质音响设备制造商所追求的理想声音。

  新产品已于2024年8月开始出售样品,预计将于2024年11月开始量产。前道工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市),后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外,新产品及配套评估板“BD34302EKV-EVK-001”已经开始网售,从Ameya360等电商平台均可购买。

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

 <MUS-IC™系列DAC芯片产品阵容>

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

    <电商销售信息>

      开始销售时间:2024年11月起

  电商平台:Ameya360

  新产品在其他电商平台也将逐步发售。

  ・产品型号:BD34302EKV

  ・评估板型号:BD34302EKV-EVK-001

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

  <关于ROHM音频IC的高端系列“MUS-IC™”>

      “MUS-IC™”(正式名称:ROHM Musical Device “MUS-IC™”)是在ROHM的企业特色——“质量第一”、“为音乐文化的普及与发展做贡献”、“垂直统合型生产”基础上,融合“音质设计技术”开发而成的,是ROHM的音质负责人带着自信推出的高端音频IC专用的音频产品品牌。如欲进一步了解详情,请访问ROHM Musical Device“MUS-IC™”的网页:https://micro.rohm.com.cn/mus-ic/

  ・“MUS-IC™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。

  <术语解说>

     *1) 高分辨率音源(High-resolution Sound Source)

  一般音乐用CD播放的音乐采样频率为44.1kHz,量化位数为16bit,而高分辨率音源的采样频率96kHz以上,量化位数24bit以上较为普遍。即高分辨率音源的信息量比普通CD唱片多得多,因而可实现高音质。

  *2) DWA(Data Weighted Averaging)

  一种在使多个开关器件工作并进行模拟转换时,通过消除器件失配来提高音频特性的技术。

  *3) THD+N:Total Harmonic Distortion + Noise(总谐波失真加噪声特性)

  音频设备的性能指标之一,用高次谐波占基波的百分比来表示。该特性可以体现出波形再现的真实程度,数值越小越真实。

  *4) HD(High Definition)单声道模式

  一种通过ROHM自有的数字信号处理方法来提高比特(振幅)方向分辨率的技术。利用该技术可提高数值性能,还可将音质改善为能够体现出乐器质感的丝滑流畅的声音。

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片

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sin(ωt)等,电容器将不断重复“充电至电压达到峰值,当施加反向电压时放电”的循环。根据频率和电容器容量的不同,在一个周期内流过的电流大小和时序会有显著变化。高频时,通过电容器的电流趋于变大,而低频率时则趋于变小。这是因为电容器会以依赖于频率的“容抗”来抵抗(阻碍)电流。每当瞬时电压极性切换时,施加在电容器两端的电压就会发生变化,从而大大影响着电流的相位。  容性电路中电压与电流的相位关系  在纯容性电路(电源与电容器直接连接的理想C)中,由于vc(\(t|0) = vs(t) ,因此i(t) = C·dvc(t) / dt与i(t) = C·dvs(t) / dt具有相同的含义。另外,对于电容器而言,电流比电压超前90度。将其用公式表示,即为i(t) = C·dvC(t) / dt,这是因为电压变化率达到最大的瞬间正是电流达到峰值的时刻。反之,在电压达到最大值的瞬间,因为dvc(t) / dt = 0,因此电流变为零。  理解交流电路中的容抗  在交流电路中,除电阻R外,若存在电感L或电容C,则各个元件会表现出随频率而变化的“电抗”。对于电容器而言,这种电抗被称为“容抗”,其大小随频率f及电容量C的变化而变化。  单位用欧姆(Ω)表示,但这不是电阻分量,而是依赖于频率的“电流通过难度”,在理想情况下不产生功耗,这一点与电阻不同。  交流容性电路中的功率与能量  理想的电容器在交流电通过时不会消耗功率(但瞬时功率会正负波动)。在实际电路中,在电容器与电源之间会不断交换能量,存在瞬时功率转移。通过正确理解这一点,便能看出功率因数改善和能源管理的重要性。  交流电容器的能量存储与释放  交流状态下的电容器,会在电压朝一个方向上升时储存能量,并在电压反转时将能量释放回电路,如此循环。首先,瞬间存储在电容器中的能量可以用下面的公式表示:  由于vc(t)按正弦波(如Vm sin(ωt)等)变化,因此电压上升时电容器储存电荷,电压下降或极性反转时则发生放电。在理想的电容器中,一个周期内正负功率的平均值为零,因此从外部来看,其表现如同“未消耗能量”。  然而,即使平均有功功率为0,电源与电容器之间能量仍会作为无功功率周期性地往复(超前无功功率)。这种往复电流若遇到布线电阻或ESR,将会导致损耗。  瞬时功率的公式及其含义  电路元件中的瞬时功率p(t) 可通过下面的公式表示: 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2026-09-09 13:17 阅读量:415
ROHM制TOLL封装:最大限度发挥新一代功率器件性能的贴装方案
  概要  近年来,在AI服务器、数据中心电源、光伏(PV)逆变器、电力储能系统(ESS)等领域,除了大功率化之外,设备小型化和高功率密度化需求也与日俱增。传统大功率应用中主流的TO-247、TO-220等通孔封装,以及TO-263等表面贴装封装,在寄生电感、散热性能以及安装空间方面都存在设计瓶颈。  本应用笔记将介绍ROHM的TOLL(TO无引线)封装——一种可解决上述课题的创新型表面贴装(SMD)方案,并阐述其技术优势。文中将详细说明TOLL封装所带来的优势:节省空间(薄型化、占板面积缩减)、优异的散热性能、通过开尔文源极(4端子)结构降低开关损耗,以及符合JEDEC标准的高通用性。同时,还介绍了能够将 ROHM最新SiC MOSFET、12~150V耐压SiMOSFET、超级结MOSFET等功率器件的性能发挥到极致的电路板设计方法。  目录  · 符合JEDEC MO-299标准的外形尺寸  · 兼顾小型薄型化与大功率化  · 优异的散热性能  · 4端子(开尔文源极)结构大幅降低开关损耗  · 提高安装可靠性并降低检测成本  · 通过优化电路板设计实现散热最大化  · 结语  · 参考资料  符合JEDEC MO-299标准的外形尺寸  TOLL封装是一种符合JEDEC制定外形标准MO-299的表面贴装型封装。因此,便于利用现有贴装设备,具备生产线操作上的高通用性。  另一方面,在基板设计(焊盘布局)方面,为了最大限度发挥所搭载的新一代功率器件的特性,对端子形状进行了优化。JEDEC MO299中规定,多引脚侧(8引脚侧)的相邻引脚根部连接结构为“可选(OPTIONAL)”。因此,ROHM根据器件特性,为各产品采用最合适的形状。例如,在SiC MOSFET和Si MOSFET等TOLL封装中,采用了8引脚侧根部相连的形状;并且,带开尔文源极的4端子器件(漏极、栅极、源极、开尔文源极)与3端子器件(漏极、栅极、源极)的连接方式也有所不同(见 Figure 1)。  此外,ROHM的GaN HEMT产品采用TOLL-8N封装,虽然外形尺寸符合MO-299标准,但引脚配置和焊盘形状具有独特性,因此在基板设计时,请务必使用数据手册中记载的TOLL-8N专用焊盘布局(Figure 2)  如此,虽然在外形尺寸上实现了标准化,但安装焊盘图案则针对各器件进行了优化。因此,基板设计时不应沿用通用的焊盘布局,而必须使用各产品数据手册中记载的专用推荐焊盘布局。这样才能充分发挥各器件的真正性能,并确保高可靠性。  特别需要注意的是,开尔文源极(数据手册中有时表述为“驱动源极”)端子的连接方式对开关损耗影响很大。此外,以下做法是严格禁止的:将开尔文源极端子与功率源极端子直接连接;使开尔文源极端子保持开路,仅使用功率源极端子来驱动栅极;以及将开尔文源极端子与功率源极端子反向连接。这些不当连接可能导致意想不到的发热、误动作甚至器件故障  兼顾小型薄型化与大功率化  TOLL封装最大的特点在于节省空间。封装外形尺寸为9.9mm × 11.68mm × 2.3 mm,高度较以往同等级封装(TO-263-7LA)降低了约一半(从4.5mm降至2.3 mm,降低约49%)(见Figure 3)。此外,在实际基板上所占用的安装面积(焊盘布局)也削减了25%。传统TO-263-7LA的焊盘面积为179.3mm²(11.0mm × 16.3mm),而TOLL封装的焊盘面积仅为134.33mm²(10.1mm × 13.3mm)(见Figure 4)。由此,即使在被称为“披萨盒型”的薄型电源用图腾柱PFC电路等厚度需控制在4mm以下的严格设计约束下,也能带来极高的安装自由度。
2026-09-03 13:10 阅读量:472
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