在功率器件快速发展的当下,如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖,成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力,为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。
产品特点
1.先进工艺,性能优越
本款IGBT采用Field Stop Trench技术平台,结合优化的沟槽栅结构,有效降低导通损耗和开关损耗,兼具高速开关能力与宽安全工作区(SOA),特别适用于高频工作环境下的系统应用,为客户带来更高的系统效率与运行可靠性。
2.优异的电性能指标
·集电极-发射极电压(Vce):1200V
·额定电流(Ic):50A
·最大功耗(Pd):399W @ 25°C
·饱和压降Vce(sat):典型值1.85V @ 25°C
·关断损耗Eoff:典型值 1.86mJ @ 25°C
3.完善的热/电特性曲线
从输出特性、开关损耗到结温限制,该器件在设计初期就充分考虑了客户实际应用工况的匹配需求,具备出色的热稳定性与抗冲击能力。
该款1200V IGBT特别适用于
1.UPS与数据中心电源
2.电焊机与感应加热设备
3.光伏与储能逆变器
4.电动车DC-AC/DC-DC变换
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