华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

发布时间：2025-06-03 13:07
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：309

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。

　　一、产品简介

　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△产品封装外形

　　二、产品优势

　　01产品性能显著提升

　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。

　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。

　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)

　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。

　　02技术亮点

　　先进12吋fab低压小线宽工艺

　　产品采用ONO resurf 结构

　　Rsp值已达到行业优异水平

　　薄片工艺，减薄厚度50um

　　三、应用领域

　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。


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