士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

发布时间:2025-07-16 11:35
作者:AMEYA360
来源:士兰微
阅读量:1281

  2025年7月11日-12日,“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间,由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

  “强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用,在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品,为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型,以此深度挖掘中国芯领先产品,共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台,对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。

  SCDP120R007NB2CPW4

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

  士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ,TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用公司碳化硅自主工艺技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗,具有较高的功率密度,能提供最佳的热性能。

  士兰微“一体化”战略

  近年来,士兰微电子深入实施“一体化”战略,通过持续推出富有竞争力的产品,持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度,公司总体营收保持了较快的增长势头。同时,公司非常重视SiC产品的开发和应用。

  在碳化硅产品方面,士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵,全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域,在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付,备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。

  在碳化硅产能建设方面,2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产,这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来,士兰微将依托技术与产能的双重升级,为客户提供更高品质,更多元化的碳化硅产品,持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。

  未来,士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。


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