瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,标志着功率转换设计规范的重大变革

发布时间:2026-03-25 13:11
作者:AMEYA360
来源:瑞萨
阅读量:795

  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU:该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能(AI)数据中心和电动汽车车载充电器等系统,可大幅简化功率转换器设计,以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。

瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,标志着功率转换设计规范的重大变革

  单级拓扑结构:提升效率,减少元件数量

  目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅(SiC)开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此,功率转换必须分阶段进行,并使用多个开关桥接电路。例如,典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换,随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展,但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关,导致开关数量增加四倍,整体效率降低。

  双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能,仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例,仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案,可省去中间的直流链路电容器,并将开关数量减半。此外,GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷,可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中,这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关,其功率效率可超过97.5%。

  兼具强劲性能与可靠性,兼容硅基驱动器

  瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证,其基于专有的常关断技术,具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压(3V)、高栅极耐压裕量(±20V)以及内置体二极管,可实现高效的反向导通。相较于增强型(e-mode)双向GaN产品,瑞萨的这款双向GaN开关可兼容无需负栅极偏置的标准栅极驱动器。这不仅简化了栅极回路设计,降低了成本,还使其在软开关和硬开关操作模式下,均能实现快速、稳定的开关过渡,且不影响整体性能表现。对于维也纳式整流器等需要硬开关的电源转换拓扑结构,凭借其超过100V/ns的高dv/dt能力,该器件在开关导通/关断过程中可最大程度的减少振铃并缩短延迟。总而言之,瑞萨的这款GaN新品实现了真正意义上的双向开关功能,将高可靠性、高性能和易用性集于一身。

  Rohan Samsi, Vice President, GaN Business Division at Renesas表示:“将我们的SuperGaN技术拓展至双向GaN平台,标志着功率转换设计规范的重大变革。现在,我们的客户能够以更少的开关元件、更小的PCB面积和更低的系统成本,实现更高的效率。同时,他们还可借助瑞萨在系统级集成方面的优势——包括栅极驱动器、控制器和电源管理IC——来加速设计进程。”

  TP65B110HRU的关键特性

  ±650V连续峰值交流/直流额定电压,±800V瞬态额定电压

  2kV人体模型ESD防护等级(HBM与CDM)

  25℃环境下典型导通电阻(Rdson)为110mΩ

  Vgs(th)典型值3V

  无需负驱动

  Vgs最大值±20V

  超过100V/ns的dv/dt抗扰度

  1.8V,VSS,FW续流二极管压降

  采用行业标准引脚布局的TOLT顶部散热封装

  瑞萨电子于2026年3月22日至26日,在美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的国际应用功率电子会议(APEC)1219号展位上,展示这款最新双向GaN开关及其不断丰富的智能电源解决方案产品组合。

  供货信息

  TP65B110HRU双向GaN开关现已批量供货。客户还可选购RTDACHB0000RS-MS-1评估套件,用于测试不同驱动方案、检测交流零交叉点以及实现软开关功能。

  成功产品组合

  瑞萨将新型GaN双向开关与产品组合中众多兼容器件相结合,打造了500W太阳能微逆变器和三相维也纳整流器解决方案。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。更多信息,请访问:renesas.com/win

  感受瑞萨动力

  以创新、品质与可靠性为核心驱动,瑞萨引领功率电子行业的发展,每年出货量超过40亿颗组件,产品组合包括电源管理IC、分立和宽带隙GaN产品、计算功率器件等。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等所有主要市场。瑞萨的功率产品组合无缝对接其领先的MCU、MPU、SoC与模拟解决方案,借助数百种经工程验证的“成功产品组合(Winning Combinations)”以及PowerCompass™和PowerNavigator™等创新设计工具,显著简化并加速了客户设计流程。更多信息,请访问:renesas.com/power。

瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,标志着功率转换设计规范的重大变革


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