罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

Release time：2026-05-14
author：AMEYA360
source：罗姆
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　　2026年，L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地，产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中，ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体，其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络，为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性，直接影响系统能否正确应对复杂路况。

　　罗姆围绕ADAS环境感知环节，提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品，覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块，您可点击查看罗姆ADAS解决方案。

　　车载摄像头

　　随着ADAS等级提升，单车摄像头数量不断增加，部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求，从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输，提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。

　　保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管

　　采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　- 创新型保护用肖特基势垒二极管

　　RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列，适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下：

　　· 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统

　　· 3.5mm见方的业界超小封装，可减少安装面积

　　· 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)

　　· 支持各制造商的CMOS图像传感器

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率，因此与普通产品相比，功耗可降低27%。此外，通过传输速率优化功能和展频功能，还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此，该IC还具有冻结检测功能，可以检测图像的冻结状态，从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　激光雷达(LiDAR)

　　LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器，罗姆可提供光源器件和电源管理产品。

　　高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1～8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光，客户可根据应用需求选择合适的照射方法。

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等)，其特点如下：

　　· 以小型封装实现300mA的输出电流：采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm)，将输出电流从以往的200mA提高到300mA

　　· 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA)：支持在1.8V的电源系统中使用，可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)

　　· 低输出噪声特性：与普通的低噪声型LDO相比，输出噪声减少约40%，仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　迈向高阶自动驾驶，环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件，配合ComfySIL™功能安全方案，为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来，罗姆将持续深耕汽车电子，以更高效、可靠的元器件方案，助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石


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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 reading：537
罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！
行业新闻

罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！

　　在上一篇中，我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套解决方案，而 AI 服务器的高效、稳定运行，除了核心电源单元，热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求，罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品，包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC，精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景，以下为核心产品详情。　　服务器热插拔控制器与罗姆产品　　热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件，核心作用为：在电源导通状态下插拔供电模块时，有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上，避免器件因电流冲击损坏，从而提升整个供电系统的运行可靠性。　　罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套，覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节，完美适配服务器 48V 输入供电架构。　　针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求，罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM，同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器，及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC，形成完整的 HSC 产品解决方案。　　“RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介　　特点　　⚫ 100V耐压的功率MOSFET ，非常适用于48V热插拔电路　　⚫ 标准8080尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据　　两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通，以特定脉宽向电路施加电压和电流，有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC，实现电流的精准监测与器件的智能控制，全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。　　总结　　罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一， 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。　　罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求，为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
2026-03-26 14:12 reading：631
罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI 服务器需求！
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罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI 服务器需求！

　　AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级，推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展，对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元，打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案，充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点，精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求，以下为核心方案详情。　　适用800VDC 20～30kW级电源单元的解决方案简介　　*SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计，核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标，为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件，充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。　　高效率：各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)　　高功率密度：现行 PSU 标准为 100W/in³，而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³　　AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架)，机架母线为 800V DC，经电源侧架、IT 机架功率转换后，输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘，具体解决方案如下表：　　注：SIM 基于 PLECS® 仿真，仅计算功率元器件损耗，不含电抗器等外围元器件的损耗　　电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压，助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)　　第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%，支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行　　负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大，可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件　　罗姆的 SiC 开发路线图中，功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示，导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%，效率 SIM * 最多降低 33%。　　仿真条件：Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz　　IT 机架用的 DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　隔离型三相 LLC 拓扑解决方案　　IT 机架电源用解决方案，确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题，需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计　　将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器　　采用三相隔离型 LLC 拓扑　　一次侧：推荐使用第 4 代 SiC　　推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ　　最大额定电压 1200V，ID TBD，导通电阻 11mΩ　　封装：TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK　　背景：可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　效率 SIM * 达 99% 以上 (～125kHz)　　二次侧：推荐使用以下 Si MOSFET　　推荐产品 RSS7 系列：RS7N200CH　　最大额定电压 80V，ID 295A，1.43mΩ，DFN5060-8S　　RSJ2 系列：RJ2N17BCH　　最大额定电压 80V，ID 450A，0.86mΩ，TOLL-pkg　　背景：推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案，利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势，有效降低开关损耗。　　针对高功率密度的 GaN 解决方案　　搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC　　功率密度：7.8W/cc (129W/in³)，LLC 开关频率 100kHz，尺寸：40mm×91mm×700mm　　通过将开关频率提升至 500kHz，实现变压器等外围元器件的小型化，通过级联结构分担一次侧和变压器的电流，可提高效率　　功率密度：15W/cc (246W/in³)，LLC 开关频率 500kHz，尺寸：40mm×55mm×605mm　　行业标准功率封装产品部署　　提供行业标准封装产品群，通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应，并提升表面散热和模块性能。　　针对不同拓扑电路搭配对应封装模块：　　Vienna 双向开关电路：DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs　　PSU 隔离型三相 LLC 一次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs　　HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块　　PSU 隔离型三相 LLC 二次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs　　罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中，其他封装请另行咨询)，含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装，SiC 产品专用模块封装为 DOT-247，封装类型分为插装型与表贴型，具体适配如下：　　同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。　　以上为罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案，解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统，还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定，后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 reading：705
AI 服务器扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，罗姆携 800VDC 方案破局
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AI 服务器扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，罗姆携 800VDC 方案破局

　　当下AI的应用越来越广，从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算，背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升，AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大，传统供电架构根本跟不上。　　在2025深圳媒体交流会上，全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化，点出当前行业的电力痛点，还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊，AI服务器的电力难题到底有多严重，行业又为何集体选择升级到800VDC架构。　　AI服务器功耗翻几倍，电力成了算力“拦路虎”　　别看AI用起来方便，背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来，两者的耗电量完全不是一个量级。　　根据罗姆的实际调研数据，一台通用服务器的功耗大概在600W，而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W，是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器，这些“电老虎”同时运行，让数据中心的电力消耗呈几何级增长，而耗电量激增带来的连锁影响，也开始全面显现：　　电力损耗增加：需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加，这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗，不仅不划算，还会进一步加剧发热问题;　　物理限制：一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆，占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加，让数据中心的空间、重量承压能力达到极限，传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也必须彻底改进;　　散热设计压力：电力消耗和功率损耗会直接转化为热能，海量AI服务器运行产生的高热量，迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统，否则设备易因高温宕机，而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;　　可扩展性的极限：以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也需要改进，无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求，扩容难度和成本大幅增加;　　运营成本增加：数据中心运营成本中近六成是电费，耗电量增加和功率损耗导致的成本上升，直接让企业的长期运营压力翻倍，电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。　　电力供应不仅关系着数据中心的运营成本，更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上，再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算，成了整个行业都要解决的问题。　　GPU功耗一路猛涨，传统服务器机架摸到了“天花板”　　AI服务器的高功耗，核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件，GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升，直接让传统的服务器机架扛不住了。　　从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势：GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限)，从之前H100的700W，涨到B200的1200W、B300的1400W，未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求，英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年，算力提升的同时，功耗压力也跟着翻倍。　　功耗飙升带来的问题一连串：传统架构要给GPU供大电流，就得用粗重的铜电缆，不仅占空间、增加数据中心的重量，还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时，会因为电阻产生损耗，既浪费电能，又会发热，让数据中心的散热难题雪上加霜。　　说到底，传统的低电压供电方式，已经跟不上GPU的功耗增长了，服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限，供电架构升级已经迫在眉睫。　　行业达成共识!800VDC高压架构成最优解　　面对这个绕不开的电力难题，全球科技企业都在找解决办法，而+800V/±400VDC高压直流架构，成了大家公认的最优解。　　这个架构的推出，背后有两大重量级阵营推动：一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目，提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准，两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。　　为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势，从效率、成本、扩展性等方面全方位优化，精准破解了耗电量激增带来的各类问题：　　1.扩容更轻松，从100kW到1MW无缝衔接　　基于800VDC架构，数据中心不用大规模改造原有电力设施，就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署，完美突破传统架构的可扩展性极限，不管是现在的AI服务器，还是未来更高算力的设备，都能适配，实现无缝扩容。　　2.效率更高，端到端电力利用率提升5%　　和目前主流的54V供电系统比，800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升，在海量AI服务器长期运行的情况下，能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗，减少发热量，同时省下大量电能，大幅降低数据中心的能耗成本。　　3.减少铜材使用，省钱又减损耗　　800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流，对应的电缆就能更细，直接减少了铜材的使用量，降低硬件成本;同时电流变小，电缆的电阻损耗也会减少，从根源上缓解能源浪费和发热问题，不用再依赖超粗的铜质电缆，也解决了数据中心的空间与重量问题。　　4.更可靠，破解散热与维护的麻烦　　传统的服务器机架电源，为了防止停机，往往要多装备用模块，不仅占空间，还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外，从根本上解决机架内的散热难题，无需构建复杂的液体冷却系统，同时降低了运营成本中电费的占比，在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。　　5.适配未来，能支撑超高功率机架　　800VDC架构从设计之初，就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求，为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间，不用因为算力升级再反复改造供电架构，也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。　　明日预告电源单位迎升级，半导体厂商迎来新挑战　　AI服务器向800VDC架构升级，直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革，这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。　　从目前的情况来看，主流的电源单元功率是5.5kW/个，一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个，一层机架72kW;而随着800VDC架构落地，下一代电源单元会全面贴合新的行业规范，朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。　　这对半导体器件的要求也变得更高：需要能扛住800VDC高压、适配大电流，同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说，AI服务器的供电升级，本质上是半导体技术的比拼，谁能做出适配800VDC架构的核心器件，谁就能抓住行业机遇。　　后文预告　　800VDC高压架构的升级浪潮已经来了，半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业，早已提前布局，不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案，还和头部电源厂商深度合作，甚至推出了专属的热插拔控制器产品。　　接下来，我们就来详细说说，罗姆到底拿出了哪些硬核技术，破解AI服务器的供电难题，成为行业升级的核心助力!
2026-03-20 16:39 reading：712
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