海凌科：<span style='color:red'>AI</span>-10三合一模块：人脸+掌纹+二维码融合识别如何颠覆传统单模态验证？
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海凌科：AI-10三合一模块：人脸+掌纹+二维码融合识别如何颠覆传统单模态验证？

　　不管是日常消费还是医院挂号，指纹识别、二维码扫码和人脸识别已经融入到了人们的日常生活中。但是与此同时，二维码盗用、指纹造假以及人脸造假的事情也时有发生。　　为了解决这一问题，海凌科推出了AI-10人脸识别模块，人脸识别+掌纹识别+二维码三位一体，三层保障，更高级别安全防护，通过多模态生物特征融合认证系统，为对安全性有高需求场景提供全新解决方案。　　单一识别模块的短板　　传统的单一算法，如人脸识别算法指纹算法，应对一些突发情况，可能存在识别失败或者误识别的情况。　　人脸识别可能在强光下过曝、黑暗环境中识别失效，需要依赖补光灯，或者多次识别。　　指纹识别可能低温、潮湿等环境导致传感器失灵，例如在北方极寒天气下失误率较高。　　AI-10产品优势　　集成三种算法，降低成本　　AI-10人脸识别模块，集成三种算法，高安全系数，虽然单个模块的单价提高，但是无需额外部署组合三种算法，减少传统开发方案的隐形成本，缩短开发周期，非常适用于对安全防护要求较为严苛的环境，如金融体系和保险柜等。　　安全系数更高，误识率低　　人脸双目3D活体检测算法,有效防止照片、视频等伪造攻击，确保识别的安全性。　　二维码识别算法,快速解码各类二维码，适用于支付、门禁等多种场景。　　掌纹掌静脉算法，利用独特的生物特征，提供更高安全级别的身份认证。　　AI-10人脸识别模块，支持人脸识别、掌纹识别、二维码识别，三种方式确认用户身份，三重保障。即使单一特征泄露，无法还原完整生物信息，进一步提高安全系数。　　三合一方案，适用多种场景　　AI-10人脸识别模块，支持人脸识别+掌纹识别+二维码识别，不仅安全系数直线提升，而且适用起来更加方便。　　如果老年人不会使用二维码，可以采取人脸和指纹识别;指纹存在破损或者极寒天气可以使用二维码和人脸识别等等，给用户更多选择，适用更多复杂使用环境。　　模块使用场景　　场景一：智慧金融　　AI-10人脸识别模块，可用于指纹金融，可以通过人脸和指纹生物特征来识别用户身份。AI-10不仅有效抵御了照片、视频及3D面具攻击，同时还可以快速完成活体检测与身份比对，金融级安全系数，且识别高效快速，非常适用于智慧金融。　　场景二：智慧工厂　　AI-10人脸识别模块，可存储1000人脸特征，存储掌纹掌静脉1000，支持定制2000人脸特征，支持用人脸和指纹快速解锁和识别员工身份，大存储容量方便员工快速进出工厂。
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发布时间：2025-04-23 10:45 阅读量：162 继续阅读>>
村田制作所总公司导入蓄电池和<span style='color:red'>AI</span>控制的能源节省系统
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村田制作所总公司导入蓄电池和AI控制的能源节省系统

　　株式会社村田制作所自2022年7月起，在总公司(京都府长冈京市)导入了一套能源节省系统。村田将于2023年以后，在包括生产据点在内的集团各据点推广导入该系统，以减轻电力供应网的供应负荷，为稳定电力供应做出贡献。　　该系统是由株式会社Mutron制造的AI能源节省控制系统和村田制作所制造的集装箱型蓄电池组合而成。　　近年来，日本国内冬夏电力需求期的电力供需紧张已成为一个重大社会问题。要改良供需平衡，关键需要大规模电力需求用户的各企业从企业层面减少用电，努力提高能源利用效率。　　村田制作所总公司导入的本系统是由Mutron制造的AI能源节省控制系统与村田制作所制造的集装箱型蓄电池组合而成。　　村田的集装箱型蓄电池采用了村田制造的预期寿命超过15年且具备较高安全性的锂离子电池“FORTERION”。本次新导入的蓄电池及村田制作所独有的蓄电池控制技术能够实现更灵活的能源节省控制，有望提高CO₂减排效果。　　同时，通过导入大容量蓄电池，在应对BCP(业务连续性计划)时也可将其作为紧急电源，担负起维持据点机能的作用。　　通过本系统，2022财年总公司的能源节省率将力求达到20%。　　本系统中，Mutron公司制造的能源节省控制技术统筹管理整个系统，除了优化公司内部空调和冷却设备等的控制以外，还配合村田制作所制造的蓄电池系统，提高能源管理的效率。　　Mutron是一家系统开发商，主要设计、开发和提供通过人工智能进行能源管理和设备管理的程序。他们获取瞬息万变的环境和设备数据，通过专有的人工智能，构建预估和优化模型，之后提供给客户。Mutron通过进一步分析积累的数据，创造出为数甚少的系统，为实现脱碳社会做出了贡献。　　村田制作所会积累运用实绩，提高本系统的实效性，于2023年以后在包括生产据点在内的村田集团内多个据点推广导入本系统，以减轻电力供应网的供应负荷，为稳定电力供应做出贡献。　　为了有助于解决全球社会课题，村田制作所集团已将“加强气候变化对策”设定为重要课题，正开展推进导入可再生能源的举措。为实现集团整体温室气体减排总量目标而开展事业运营，在各事业所积极实施推进能源节省和可再生能源利用的投资。　　今后村田制作所集团将继续在日本国内及海外据点提高能源利用效率，推进气候变化对策方面的举措。
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发布时间：2025-04-16 17:52 阅读量：206 继续阅读>>
瑞萨：增强能效、高性能<span style='color:red'>AI</span>，适合下一代<span style='color:red'>AI</span>摄像头和移动机器人
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瑞萨：增强能效、高性能AI，适合下一代AI摄像头和移动机器人

　　边缘AI越来越多地应用于诸如工业摄像头和公共设施摄像头等嵌入式设备中，并要求嵌入式产品小型化且具有低功耗。瑞萨电子RZ/V系列微处理器(MPU)内置AI加速器，即动态可重构处理器(DRP)。该处理器以高能效而闻名，可满足人工智能市场的需求。这种DRP技术不断演进到DRP-AI3，可提供比以往更高的AI推理性能。　　利用高性能MPU延长电池续航并打造紧凑型产品　　新款RZ/V2N MPU与高端RZ/V2H MPU(高达 80TOPS)类似，配备高能效AI加速器DRP-AI3，通过剪枝技术可实现10TOPS/W的AI性能，提高AI计算效率。　　下图1比较了传统RZ/V系列与RZ/V2N的人工智能推理性能。以具有代表性的分类CNN Resnet50为例，RZ/V2N在不进行剪枝处理(密集模型)的情况下，性能是RZ/V2M的7倍，在进行剪枝处理(剪枝率为 90%)的情况下，性能是RZ/V2M的23倍。这种极高能效的性能可延长电池寿命，而且无需冷却风扇，因此可实现设备小型化。　　双摄像头输入可提高基于AI的图像识别精度　　RZ/V2N通过双通道MIPI-CSI接口支持连接两台摄像头(图2)。与传统的单摄像头AI图像识别相比，这不但可以改善空间识别性能，还能实现高精度应用，如流动分析和跌落检测。例如，利用双光束双角度成像技术，可通过单个芯片监控停放的汽车数量并识别车牌。在驾驶员监控系统(DMS)中，RZ/V2N可使用前向摄像头和车内摄像头对车辆内部和外部进行监控和记录。此外，还可通过配置两台摄像头的立体摄像机来估算到被成像物体的距离，从而提高AI摄像头和移动机器人基于人工智能的图像识别精度。　　与RZ/V2H架构高度兼容，可重用设计资源　　RZ/V2N与RZ/V2H类似，配备四核Arm® Cortex®-A55、单核Arm Cortex-M33和ISP(图像信号处理器)，可重用RZ/V2H的软件开发资源。此外，由于外设功能的高度兼容性，用户可根据其AI性能、系统配置和实时控制的必要性，从多种RZ/V系列MPU中选择最合适产品。　　为了让不具备深厚AI专业知识的用户也能快速评测和开发AI应用，瑞萨电子发布了RZ/V2N AI软件开发套件。该套件包括瑞萨电子评估板套件和软件开发环境，以及用于不同使用案例的50多种不同的AI应用。利用这一开发环境可缩短产品上市时间。此外，具备AI知识的用户可选择AI编译器来开发自己的AI模型，并将其集成到RZ/V2N MPU中(图3)。　　此外，瑞萨电子生态系统合作伙伴还将陆续提供采用RZ/V2N的SOM(系统级模块)板、SBC(单板计算机)和摄像头模块等产品。这样，用户就能从硬件设计中解脱出来，专注于AI应用开发，从而实现快速的产品开发。
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发布时间：2025-04-16 17:35 阅读量：222 继续阅读>>
江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能<span style='color:red'>AI</span>服务器电源系统
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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)： 针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度 在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。
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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：271 继续阅读>>
荣湃发布车规级智能隔离栅极驱动器Pai8265xx系列
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荣湃发布车规级智能隔离栅极驱动器Pai8265xx系列

　　新能源汽车向800V电气架构的转变已经成为电动汽车行业的重要发展趋势，各大供应链企业纷纷将重心放在了积极布局和生产适用于这一架构的零部件和元器件上。　　其中，电机控制器是新能源汽车中的重要组成部分，负责控制电机的运转，而栅极驱动器则是电机控制器中的关键元件之一。　　栅极隔离驱动技术极大提高了电动汽车的能效和系统稳定性，同时也对栅极驱动器提出了更为严格的要求。　　快速响应能力：随着电机运转速度的增加，栅极驱动器需要更快地响应控制信号，以实现精确的电机控制。这要求零部件具有更短的传输延迟和更高的开关速度。　　隔离耐压性能：为了保护控制系统免受主电路的干扰和冲击，栅极驱动器需要具备优秀的隔离耐压性能。这要求零部件具有良好的绝缘材料和可靠的隔离技术。　　可靠性和稳定性：新能源汽车的运行环境复杂多变，因此对栅极驱动器零部件的可靠性和稳定性有更高的要求。这需要零部件经过严格的测试和验证，以确保其在各种极端条件下都能稳定运行。　　荣湃最新推出的Pai8265xx系列，就能很好的满足以上需求。Pai8265xx是一款基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器，可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管。　　产品优势　　基于荣湃半导体独有的iDivider® 技术开发，具有先进的主动保护功能、强驱动能力、出色的动态性能和高可靠性，支持分离输出、隔离采样、故障报警等功能，满足车规(AEC-Q100)标准，广泛适用于新能源汽车、电机、电源、光伏等应用场景。　　关键参数　　5.7kVRMS单通道隔离式栅极驱动器　　驱动高达2121VPK的SiC MOSFET和IGBT　　33V最大输出驱动电压(VDD–VEE)　　±10A峰值驱动电流能力　　高共模瞬态抗扰度：150kV/us(最小值)　　200ns快速响应时间的DESAT保护　　130ns(最大值)传播延迟　　25ns(最大值)脉宽失真　　4A内部有源米勒钳位　　发生故障时400mA软关断　　具有PWM输出的隔离式模拟传感器　　SOIC16宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm　　工作结温(TJ)范围：–40°C至150°C　　功能框图　　应用领域　　汽车电驱逆变器、DC-DC变换器　　直流快速充电桩　　工业变频器　　光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等　　在大功率应用中，用户一般会选择如IGBT和SiC这样的大功率管子，因而功率管的Qg也会更大，对产品的驱动电流能力要求变得更高。　　Pai8265xx能够提供10A的拉灌电流能力，比起传统方案，不需要额外的Buffer电路，即可直接驱动大功率管子。节省了Buffer电路的费用和PCB的体积，同时还不需要额外的电路做匹配，增加了系统的稳定性。此外，Pai8265xx内部集成米勒钳位，支持分离输出，使用简单，外围器件少，性价比高。
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发布时间：2025-04-02 14:10 阅读量：255 继续阅读>>
帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力<span style='color:red'>AI</span>服务器升级
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帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力AI服务器升级

　　近日，江苏帝奥微电子股份有限公司(股票代码：688381)发布了国内首款应用于I3C总线的集线器产品DIO74812系列。在现有PCIE开关(DI3PCIE350)，I2C开关(DIO74544、DIO74546、DIO74548)基础上，填补了帝奥微在信号链产品空白，再下一城。I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)是I2C(Inter-Integrated Circuit)的升级版本，旨在提升速度、效率和灵活性，同时降低功耗。I3C针对DIMM模块管理、多节点存储系统、智能传感器网络等场景提供一站式解决方案，将推动在云计算、5G基站、嵌入式系统、工业自动化、物联网等领域的规模化应用，并在大数据交互，例如AI计算，嵌入式机器人系统中有着广阔前景。　　DIO74812系列共有4款，对应型号是DIO74812、DIO74712、DIO78812和DIO78712。具体配置如下，可以适配客户不同应用场景。　　表1 配置单　　图1 DIO787/8812框图　　AI服务器应用　　随着AI服务器算力的不断提升，PCIE接口数量和内存访问速率急剧增长。由此PCIE和内存的控制接口升级为I3C，具体应用可以参考下面图例：　　图2 CPU/BMC访问　　图3 CPU访问PCIE　　产品特性　　1. 协议兼容性　　支持I2C、I3C Basic 1.0、I3C JEDEC SPD及SMBus协议和不同协议的网络混用，实现传统设备与高速I3C设备的无缝兼容。　　2. 智能拓扑管理　　通过动态主端口切换(MUX)和网络分区功能，支持多芯片级联(延长 I3C 总线的物理距离，解决信号衰减问题)和冲突检测与恢复。　　3. 高可靠性与灵活性　　支持热加入(Hot Join)、电平转换(1.0V-3.3V)、GPIO扩展及多电压域操作。每组slave port可以独立配置成Hub、Agent或者GPIO功能。　　4. SMBus Agent　　SMBus Agent可以隔离高速I3C网络与低速的SMBus网络，结合公司创新的I3C带内中断(IBI)方案降低主控负载，提升系统效率。　　总结　　DIO74812系列填补了国内高端I3C集线器芯片空白：助力帝奥微在服务器、数据中心、智能机器人等高增长领域建立技术壁垒。其高集成度、智能化与可靠性设计将重新定义行业标准，为全球客户提供面向未来的互联解决方案，并加速生态合作伙伴的全球化布局。
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发布时间：2025-04-02 11:24 阅读量：263 继续阅读>>
从连接到价值：<span style='color:red'>AI</span>oT时代的新商业逻辑
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从连接到价值：AIoT时代的新商业逻辑

　　当人工智能(AI)与物联网(IoT)的融合从概念走向现实，家电行业正经历一场深刻变革：从“功能设备”向“智能服务终端”进化。AIoT技术不仅重塑了产品的交互方式与功能边界，更通过数据价值的深度挖掘，推动家电企业从单纯的产品售卖向持续服务转型，开辟全新的商业模式。庆科信息以“系统化”“私有化”“全球化”为核心，通过AI+IoT结合的系统化方案，助力家电企业打造安全可控、持续进化的数智化体系，让企业以数据驱动创新，抢占家电行业未来竞争制高点。　　AIoT：重构家电智能化边界　　传统家电的智能化升级已超越基础联网功能，迈向场景化、个性化的智能服务。每台设备成为数据触点，每次连接都创造可持续的价值。AIoT技术通过多维能力的融合，激活家电产品的全生命周期价值：　　自然交互：搭载AI大模型的设备能够理解复杂指令，支持多轮对话与上下文关联。例如，用户可通过语音指令调节空调模式，系统结合室内外温湿度自动优化运行策略，而非简单执行开关操作。　　环境感知：通过视觉识别与多传感器融合，智能家电的场景适应能力大幅提升。例如，烤箱可识别食材类型并推荐烹饪方案，冰箱能监测食材存储状态并提醒保质期，空调可依据人员活动动态调节送风角度。　　能效优化：基于设备运行数据与用户习惯的深度学习，系统可自主优化能源使用策略。例如，热水器在用电低谷时自动蓄热，洗衣机根据衣物重量与水质智能调整用水量，实现节能与体验的双重优化。　　预测性维护：设备持续监测自身运行状态(如电机振动频率、电路板温度等)，AI模型可提前识别潜在故障，推动售后服务从被动响应转向主动预警，降低用户使用中断风险，同时减少企业运维成本。　　场景协同：跨设备的数据互通与智能联动创造“1+1>2”的体验升级。例如，空气净化器、加湿器与空调协同优化环境参数，照明系统与窗帘电机联动实现智能光线管理，厨房家电的烹饪流程自动化编排等。　　这种由“单点智能”向“全场景智能”的进化，使家电产品从硬件载体升级为用户生活的智能伙伴，为企业开辟硬件销售之外的增值服务空间。　　连接即价值：数据流动的基石　　AI + IoT价值释放的前提，是构建稳定、安全、可持续的数据通道。庆科信息凭借15年的技术积累，以“把未连网的都联起来”为使命，助力家电行业智能化升级，围绕连接领域，突破以下三大挑战：　　复杂环境适应性：家庭场景中存在Wi-Fi信号干扰、墙体遮挡、多设备并发连接等问题。庆科信息提供多协议兼容方案(如Wi-Fi 2.4GHz/5GHz双频、蓝牙+Wi-Fi双模、Wi-Fi 6等)，确保设备在复杂环境下的稳定联网。　　海量设备管理：从单品智能到全屋互联，庆科信息支持百万级设备的并发接入与管理。优化的协议栈设计与边缘计算能力，实现设备状态实时监控、固件批量升级、故障远程诊断等核心功能。　　端到端安全保障：在设备认证、数据传输、云端存储等环节，庆科信息为企业构建了多层防护体系：硬件级安全芯片防止物理篡改，动态加密机制确保通信安全，数据加密存储满足隐私合规要求。　　我们通过这些能力的整合，为家电企业构建了从设备连接、数据采集到智能服务的完整闭环。　　私有化部署：构建数据主权护城河　　AIoT设备生成的海量数据——包括设备运行状态、能耗曲线、用户使用习惯等——已成为驱动产品创新与服务升级的核心资产。然而，数据价值的释放必须建立在自主可控与安全治理的基础上，因此IoT平台的私有化部署至关重要：企业需确保数据不被第三方平台滞留，以防商业决策受限;满足各国数据隐私法规，避免数据跨境流动风险;抵御复杂的网络攻击，确保设备数据与用户隐私不被窃取或篡改……　　庆科信息不仅致力于为客户提供稳定可靠的连接模组、功能全面的APP和云端应用开发服务，我们同样专注于为品牌提供IoT平台的私有化部署方案。方案可以实现企业设备专有、数据专有、服务专有，核心资产企业独享。方案支持本地化部署，客户可以将核心数据存储于企业自有服务器，也可以选择基于AWS、阿里云等第三方公有云平台构建专属资源池，物理隔离，确保独立运维。　　通过IoT私有云，企业可以构建“主权明确、风险可控”的数据管理体系，充分挖掘数据价值：优化产品设计、构建预测性维护模型、开发场景化增值服务，甚至通过脱敏数据交易探索新营收模式。通过私有化部署方案，庆科帮助企业以更高的数据自主性、更可控的上云成本、更强的安全性、更强大的平台智能，应对业务规模快速增长以及业务全球化带来的挑战。　　AIoT正在重构家电行业的价值链：产品不仅是制造终端，更是服务入口，连接不仅是技术配置，更是商业基础，数据不仅是运维副产品，更是战略资产。在此进程中，选择具备全栈技术能力与行业认知的合作伙伴，将成为企业构建数字化护城河的关键。庆科信息以“端云一体、软硬结合”为核心竞争力，旨在为家电企业提供可演进的技术架构与可量化的商业价值，期待与您共同创造智联万物的未来。
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发布时间：2025-03-21 09:03 阅读量：292 继续阅读>>
江西萨瑞微：<span style='color:red'>AI</span>服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢<span style='color:red'>AI</span>服务器安全防线
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江西萨瑞微：AI服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢AI服务器安全防线

　　随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI服务器作为支撑AI计算的核心设备，其稳定性和可靠性至关重要。然而，静电放电(ESD)和浪涌问题一直是电子设备面临的重大挑战之一。静电和浪涌不仅可能损坏服务器内部的精密元器件，还可能导致数据丢失或系统崩溃，严重影响AI应用的正常运行。　　江西萨瑞微电子凭借多年在静电防护领域的技术积累，推出了一套针对AI服务器产品的全面静电防护方案，涵盖Type-C、USB、SATA、HDMI、VGA、DP、RJ45、键盘接口、RS232、ANT、KY按键、MIC、音频电路以及CPU/GPU电源MOS等多个关键接口和模块的防护需求。　　一、高速接口防护方案　　Type-C端口静电浪涌防护方案　　AI 服务器的 Type-C 端口常用于高速数据传输，如连接外部存储设备、GPU 加速卡等。静电浪涌可能会干扰信号传输，导致数据丢包、错误等问题。因此，防护方案不能对高速信号产生额外的衰减或干扰，要保证数据传输的准确性和稳定性。　　Type-C 端口静电浪涌防护方案采用了如 SES2411P4 这款 TVS 二极管，保护VBUS电源，配合多种 ESD 保护二极管，保护信号线能承受 IEC 61000 - 4 - 2 标准下 ±10KV(Air)、±6KV(Contact)的静电冲击，以及 IEC 61000 - 4 - 5 标准下 VBUS IN ±300V(1.2/50μs & 8/20μs)的浪涌电压，确保数据传输稳定，设备接口安全。　　Type-C雷电口静电浪涌防护方案　　Thunderbolt™(雷电)接口作为高性能Type-C协议的扩展，支持40Gbps超高速数据传输、8K视频输出及100W PD快充，但其高集成度与高带宽特性对静电放电(ESD)和浪涌极为敏感。　　江西萨瑞微电子针对雷电口特性，推出SES2411P4、SEU0501PSS、SEU0101PSS、SEU3364PCS 等核心器件，实现从电源到信号的全链路保护，满足IEC 61000-4-2/4-5最高防护等级。　　USB 3.0/3.1接口静电浪涌防护方案　　USB 接口作为使用最频繁的接口之一，插拔与静电问题频发。萨瑞微USB2.0、USB3.0 接口分别提供了适配的 ESD 防护方案。　　在 USB3.0 接口防护中，SEU0544PCS 等器件大展身手，以低电容特性保障高速数据传输不受影响，同时有效抵御 ±15KV(Air)、±8KV(Contact)的静电干扰。　　二、数据存储与显示接口防护方案　　SATA接口静电浪涌防护方案　　SATA 接口广泛应用于各类存储设备连接，如硬盘、光驱等。在设备使用过程中，静电浪涌可能通过接口进入设备内部，造成芯片损坏、数据丢失等严重问题。因此，对 SATA 接口进行有效的静电浪涌防护至关重要。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用四通道小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、超低结电容TVS二极管阵列/ESD二极管做防护，保障SATA接口免受浪涌电流影响的同时，防止SATA接口遭到ESD静电破坏，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足静电放电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　HDMI静电防护方案　　HDMI(高清多媒体接口)作为热插拔端口，在连接设备时易受静电放电(ESD)的瞬时冲击，导致内部芯片损坏。其高速数据传输特性(如HDMI 2.1支持48Gbps速率)对信号完整性要求极高。　　我们为HDMI 接口提供了三种ESD静电防护器件，专为保护该接口的高速差分线路而设计，型号分别为SEU0544PCS、SEU0544PCS、SEU3344PCS。　　其中SEU0544PCS、SEU0544PCS结电容仅有0.25pF，可对单路高速数据线进行静电防护，可以使用2颗ULC0514P10来保护四个Lane通道。它的工作电压为 5 V，最小击穿电压为 5V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　时钟和数据通道的防护采用了集成多路ESD静电二极管SEU0544PCS，可同时保护HDMI的全通道引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。它的工作电压为 5 V，结电容仅有0.25pF，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　VGA静电防护方案　　VGA接口共有15针孔，分成3排，每排5个孔，除了2根NC(Not Connect)信号、3根显示数据总线和5个GND信号，其他较为重要的是3根RGB(红绿蓝)彩色分量信号及2根扫描同步信号HSYNC和VSYNC针。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用集成多路、SOT23-6L小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、低结电容ESD二极管SEH0504S2做防护，保护VGA接口免遭ESD静电放电破坏的同时，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足IEC 61000-4-2 Level 4的ESD静电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　DP接口静电浪涌防护方案　　DP(DisplayPort)接口广泛应用于电脑、显示器、显卡等设备间的高清视频与音频传输。在实际使用场景中，如插拔 DP 线缆、设备处于复杂电磁环境，或者受到周边大功率设备的电气干扰时，都极易产生静电浪涌。　　静电浪涌瞬间释放的高电压和大电流，可能击穿 DP 接口芯片内部的精密半导体结构，造成芯片永久性损坏;也可能干扰高速差分信号传输，导致图像出现花屏、黑屏、闪烁，音频出现杂音、中断等问题，严重影响设备的正常运行和用户体验。因此，对 DP 接口实施有效的静电浪涌防护至关重要，这不仅能保障设备稳定运行，还能延长设备的使用寿命，提升产品的市场竞争力。　　三、高速接口防护方案　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　IEEE组织的IEEE 802.3标准制定了以太网的技术标准，它规定了包括物理层的连线、电子信号和介质访问控制的内容。以太网是目前应用最普遍的局域网技术。以太网口，即我们平时所见的RJ45水晶头接口，根据网速分类，可分为：百兆(100M)、千兆(1000M)、2.5G、5G、万兆(10G)等。　　从方案图可知，以太网口第一级防护萨瑞微电子技术推荐选用TSS：P0640SB、P3100SB，将浪涌电流泄放到大地，或在放电管电极之内的惰性气体电光弧以热量形式消除。中间充分利用网络变压器的电感特性，起到去藕和隔离作用。第二级防护选用ESD静电保护二极管SEU0521PSS，能够将残留的频率成分浪涌吸收，并且在IPP下钳位电压降到7V左右(@IP=1A)，确保以太网芯片处于安全保护状态。　　键盘接口静电防护方案　　PS/2接口包含CLK(时钟)和DATA(数据)两条信号线，每条线需单独配置ESD保护二极管，形成对地保护路径。　　推荐采用分立式ESD器件(如每信号线1颗SEL0501P1)，或选用集成多通道的TVS阵列以简化设计。　　PS/2接口为双向通信协议(时钟线与数据线)，需选择双向ESD器件以覆盖正负电压冲击。萨瑞微的SEL0501系列支持双向保护，且低漏电流(0.1μA)可避免信号干扰。　　RS232接口静电浪涌防护方案　　RS-232标准被定义为一种在低速率、近距离串行通讯的单端标准。RS-232 采取不平衡传输方式，即所谓单端通讯。RS-232 通讯的最大传输距离在不增加缓冲器的情况下只可以达到15米。　　RS-232 的电气标准：电平为逻辑“0”时：+3V～+15V;电平为逻辑“1”时：-3V～-15V。　　萨瑞微SEH1501D3有低电容、快速响应、高浪涌耐受能力，小封装等优点：SEH1501D3 的低电容特性对 RS232 接口的高速信号传输影响极小，确保数据的准确和稳定传输。能在纳秒级时间内响应静电和浪涌冲击，迅速将过电压箝位到安全水平，有效保护接口芯片。可承受高达数千伏的静电放电和高能量浪涌，满足 AI 服务器在复杂电磁环境下的防护需求。小尺寸封装：适合在 AI 服务器紧凑的 PCB 布局中使用，不占用过多空间。　　ANT静电防护方案　　ANT 接口常用于低功耗、短距离无线通信领域，ANT 接口极易受到静电放电(ESD)影响，可能导致通信中断、数据错误或硬件损坏。　　江西萨瑞微的 SEU0501PSS、SEU0501P1、SEU0521P1S 具备卓越的静电防护能力，可有效保护 ANT 接口。　　KY按键接口静电浪涌防护方案　　KY 按键接口用于用户输入指令。在使用中，按键频繁被操作，人体接触按键时极易产生静电放电(ESD)现象，这些静电能量若直接进入设备内部电路，可能干扰微控制器的正常工作，甚至损坏芯片。江西萨瑞微的 SEL0501P1 凭借其独特的性能优势，能够有效解决 KY 按键接口的静电防护难题。　　将 SEL0501P1 的一端连接到 KY 按键的信号输出引脚， 尽可能靠近 KY 按键的信号输出引脚放置，缩短信号传输路径，减少寄生电感和电容的影响。另一端接地，当有静电电荷通过按键引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，避免静电对按键接口芯片或微控制器造成损害。　　四、电源与核心模块防护方案　　CPU/GPU电源MOS防护方案　　功率器件：服务器的 “动力心脏” 保障，在服务器的 “动力心脏”——CPU/GPU 电源部分，萨瑞微电子的 MOS 管发挥着关键作用。　　以 SG50N03PSK、SG33N03PSK 等为代表的 MOS 管，拥有低导通电阻和高电流承载能力。比如 SG50N03PSK，在 PDFN5*6 - 8L 封装下，能承受 30V 的 VDS 电压，导通电阻低至 5.00mΩ ，可通过 60A 的电流，确保 CPU/GPU 在高负载运行时，电源供应稳定、高效，降低功耗，提升服务器整体性能。　　五、音频/MIC接口防护方案　　MIC静电防护方案　　将 SEL0501P1 的一端连接到 MIC 的信号输出引脚，另一端接地。当有静电电荷通过 MIC 引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，防止静电对 MIC 后端的音频处理电路造成损害。例如，在一个简单的录音设备中，MIC 的输出引脚直接连接 SEL0501P1 的信号引脚，SEL0501P1 的接地引脚可靠接地，这样就为 MIC 提供了基本的静电防护。　　考虑到 MIC 输出的音频信号通常为差分信号(如在一些高端音频设备中)，可以在 MIC 的正、负差分信号输出引脚与地之间分别连接一个 SEL0501P1，对差分信号进行全面的静电防护，确保音频信号的完整性和稳定性。　　音频电路方案　　在AI服务器切换不同音频输入源的情况下，可利用 SR2N7002K 构建多路音频信号切换电路。将多个音频输入信号分别通过各自的限流电阻连接到多个 SR2N7002K 的源极，所有 SR2N7002K 的源极连接在一起并通过一个耦合电容连接到音频输出端。通过控制 SR2N7002K 栅极的电平信号，实现对不同音频输入源的切换。当某个 SR2N7002K 的栅极为高电平时，该管导通，对应的音频输入信号被切换到输出端，而其他 SR2N7002K 处于截止状态，其对应的音频信号被阻断。　　由于 SR2N7002K 具有高开关速度的特性，能够实现音频信号的快速切换，避免在切换过程中出现音频卡顿或噪声。同时，为了防止切换过程中产生的电磁干扰对音频信号造成影响，在每个音频输入信号的限流电阻与 SR2N7002K 源极之间，以及输出耦合电容之前，分别加入一个小容量的滤波电容(如 0.1μF)，用于滤除高频干扰信号，保证音频信号的纯净度。　　结论　　江西萨瑞微电子深耕静电防护领域十余年，为AI服务器量身定制的全场景防护方案，已成功应用于超算中心、智算集群等高端场景。
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发布时间：2025-03-20 14:19 阅读量：315 继续阅读>>
英飞凌针对<span style='color:red'>AI</span>数据中心推出先进的电池备份单元技术
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英飞凌针对AI数据中心推出先进的电池备份单元技术

　　英飞凌针对AI数据中心推出先进的电池备份单元技术，进一步完善Powering AI路线图新一代AI数据中心电池备份单元(BBU)的推出体现了英飞凌树立AI供电新标准的承诺该路线图包括全球首款12 kW BBUBBU拥有高效、稳定且可扩展的电量转换能力，功率密度较行业平均水平高出400%　　英飞凌公布新一代AI数据中心电池备份单元(BBU)解决方案路标，确保AI数据中心的不间断运行，避免断电和数据丢失风险。这项全面的BBU路标包含了从4kW到全球首款12kW BBU电源解决方案。BBU解决方案可在AI服务器机架实现高效、稳定和可扩展的电量转换能力，同时，其功率密度更是高出行业平均水平达400%。BBU对于AI数据中心至关重要，除了可确保供电不间断，保护敏感的AI硬件免受电压尖峰、浪涌和其他电源异常情况的影响。BBU解决方案与PSU，IBC，PDB和PoL等架构相互配合，等进一步巩固了英飞凌在AI供电领域的领导地位。　　英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁表示，“确保AI系统的不间断供电对于保持运算过程的连续性与无缝运行至关重要。我们高能效的BBU专为AI服务器设计，拥有卓越的性能、灵活性和效率，可让AI服务器的运行更加流畅，同时满足多种功率等级的需求。英飞凌熟知如何运用硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这三大功率半导体材料，我们深信英飞凌的半导体解决方案将树立AI数据中心供电的新标准。”　　AI数据中心若发生停机或系统故障，可能导致极大的损失。根据2024年ITIC调查，41%的受访企业表示每小时停机损失在100万美元到500万美元以上不等。其中35%的故障归咎于电源元件品质问题。为了解决这一问题，英飞凌推出局部功率转换器(Partial Power Converter，PPC)。该方案可有效提升电源系统性能与可靠性，是适用于BBU的领先技术。其中，以5.5kW BBU为代表的中间解决方案采用了英飞凌独家拓扑结构，结合Si与GaN技术，可实现超高效率和高功率密度。业界首创的12 kW系统则结合多张4 kW电源转换卡，并搭载英飞凌PSOC™ MCU、40V和80V OptiMOS™以及EiceDRIVER™驱动器，实现了极强的性能和灵活性，功率密度较业界平均水平高出四倍。在主板上并联多张转换卡即可实现更高的功率等级，提升系统扩展能力并简化维护作业。若其中一张电源转换卡出现故障，系统会持续工作而不停机，只是降低输出功率。借助这种模块化方式，系统可配合特定电源需求进行调整，无需重新设计整个系统，为客户带来性能和可靠性方面的卓越效益。
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发布时间：2025-03-18 16:01 阅读量：363 继续阅读>>
英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能<span style='color:red'>AI</span>数据中心垂直供电
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英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电

　　英飞凌宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本(TCO)。　　OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块实现了真正的垂直供电(VPD)，并提供行业领先的2安培/平方毫米电流密度。此模块延续了英飞凌去年推出的OptiMOS™ TDM2254xD和TDM2354xD双相功率模块，继续为加速计算平台提供卓越的功率密度。在传统水平供电系统中，电流流经电路板至ASIC之间，会因电流流经PCB而造成传导损耗，随着ASIC电源需求增加，电流的提升在此有明确的功率损耗。而垂直供电通过缩短电流传输路径，减少电阻损耗，从而提升系统效率。　　根据国际能源署(IEA)数据，数据中心目前占全球能耗的2%。在AI发展的推动下，数据中心的电力需求预计将在2023至2030年间增长165%。持续提升从电网到主板核心的电源转换效率与功率密度是进一步提高计算性能并降低TCO的关键。　　Rakesh Renganathan英飞凌科技功率IC产品线副总裁表示：“我们很高兴推出OptiMOS™ TDM2454xx VPD模块，来扩展英飞凌的高性能AI数据中心解决方案。我们采用三维的设计方式，并且利用业界领先的功率器件、封装技术，以及我们深厚的系统底蕴，提供高性能的节能型计算解决方案，进一步实现我们推动数字化和低碳化的企业使命。”　　通过采用英飞凌强大的OptiMOS™ 6沟槽式技术功率组件和嵌入式芯片封装，OptiMOS™ TDM2454xx模块可以提供优异的电气和散热性能，同时运用创新的超薄电感设计技术，不断提高VPD系统性能和质量的极限。此外，OptiMOS™ TDM2454xx的结构设计有利于模块化拼接，且能改善电流传导，进而提升电气、散热和机械性能。该模块在四相电源中最高支持280A电流，并在仅10x9 mm²的小型封装内整合了嵌入式电容层，结合英飞凌的XDP™控制器，可实现稳定耐用的高电流密度功率解决方案。　　OptiMOS™ TDM2454xx模块进一步巩固了英飞凌在市场中的特殊地位。凭借基于所有相关半导体材料的广泛产品和技术组合，英飞凌能够以更节能的方式为不同的AI服务器配置提供从电网到核心的动力。
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发布时间：2025-03-17 11:07 阅读量：354 继续阅读>>

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