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江西萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密<span style='color:red'>TVS</span>

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江西萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS

　　在网络设备迈向全智能化与高密度部署的今天，以太网供电(POE)技术已成为基石。其核心的48V电源端口，如同设备的“心血管”，至关重要却也异常脆弱。　　江西萨瑞微电子推出的 STB58VCB651-T瞬态电压抑制二极管，并非泛泛而谈的通用保护器件，而是一款为48V POE及DC电源端口静电浪涌防护精准定义的专业解决方案。　　› 01 精准定位：为何是58V?　　一切卓越防护始于精准的电压定位。STB58VCB651-T的反向断态电压(VRWM)为58V，这是一个极具针对性的设计。　　STB58VCB651-T核心参数　　完美匹配POE标准：IEEE 802.3bt标准下，58V的VRWM确保了TVS在设备正常工作时完全处于高阻态，漏电流极低(典型值<1µA)，如同一位沉默的哨兵，绝不干扰系统本身的电力传输。　　充足的安全裕量：为电源本身的波动和纹波预留了合理空间，杜绝了在正常工况下的误触发风险，保证了防护的“智能性”。　　› 02 核心防护参数深度解读：三重安全边界　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，STB58VCB651-T在浪涌冲击测试中表现优异：　　浪涌测试通过5.0KV：在10/700μs波形、40Ω阻抗条件下，样品可持续承受5.0KV的浪涌电压，冲击电流达130A，各项参数保持稳定。　　直流特性符合防护需求：在58V下的反向漏电流IR均低于0.02μA，表现出优良的绝缘特性，适用于48V系统防护。　　› 04 关键要点分析　　1. 响应速度的巅峰：其响应时间典型值小于1.0皮秒(ps)。这意味着从感应到过压到开始钳位的物理延迟极短，足以应对最前沿陡峭的ESD脉冲。　　2. 双波形防护能力：器件详细区分了10/1000µs(长时感应雷)和8/20µs(短时直击雷)两种标准浪涌波形下的性能。在8/20µs波形下IPP高达650A，展现了应对直接雷击感应电流的强悍实力。　　› 05 固定应用场景：POE端口的“贴身保镖”　　DC/48V 电源端口静电浪涌防护　　完美适配安防行业广泛采用的48V POE标准，为摄像机、无线AP等受电设备(PD)的电源入口提供第一道、也是最重要的电压钳位防线。　　POE端口静电浪涌防护方案　　TVS的接地路径必须尽可能短、走线宽，以减小寄生电感，确保高频浪涌电流能快速泄放。在紧凑设计中，TVS前端可串联小阻值电阻或磁珠，与后级设备输入电容形成退耦，优化钳位效果并分担应力。　　选择萨瑞微，选择可靠　　这颗料不仅是参数的集合，更是江西萨瑞微电子技术实力的体现。从精准的芯片设计、严格的晶圆制造到高可靠性的封装测试，萨瑞微通过IDM(垂直整合制造)模式实现了全流程品质可控。　　STB58VCB651-T凭借其精准的电压匹配、业界领先的响应速度、强大的浪涌吸收能力以及全面的工业级可靠性设计，已成功导入多家主流网络设备供应商的供应链，成为48V端口防护领域经过市场验证的标杆产品。

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发布时间：2025-12-08 13:41 阅读量：274 继续阅读>>

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江西萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向

　　在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管，以其创新的低负压钳位技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。　　› 01 系列产品概览：双型号覆盖主流应用　　萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求：　　M4SMF24A-LC核心参数：　　M4SMF28A-LC核心参数：　　两款产品均采用SMF/SOD-123FL封装，在仅3.0×1.9mm的微小空间内实现了卓越的保护性能。　　› 02 核心技术突破：低负压钳位的革命性意义　　什么是不对称钳位?　　传统TVS二极管通常提供对称的双向保护，但实际电路中，正向和负向的瞬态威胁往往不同。萨瑞微电子的M4SMFxxA-LC系列采用创新的不对称钳位设计：　　实测钳位性能对比：　　M4SMF24A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：8V　　M4SMF28A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：9V　　› 03 实测性能验证：实验室数据说话　　M4SMF24A-LC测试结果(5样品)：　　VBR@1mA：26.64-26.96V(均在25.2-28.5V规范内)　　IR@24V：0.003-0.052μA(远低于≤1μA标准)　　一致性表现优秀，全部PASS　　负向钳位效果显著：　　200V冲击：钳位电压8.6-9V，电流90.4A　　400V冲击：钳位电压17.2-17.6V，电流184-186A　　全部样品在各级别测试中均通过　　M4SMF28A-LC测试结果(10样品)：　　VBR@1mA：32.42-33.33V(符合31.1-34.4V规范)　　IR@28V：0.014-0.083μA(优于≤1μA标准)　　良率100%，全部PASS　　正接时(负向保护)表现出极高的负向浪涌承受能力和超低钳位电压：　　100V冲击：钳位电压仅4.16-4.24V　　200V冲击：钳位电压6.8-7V，电流92A　　400V冲击：钳位电压12-12.4V，电流184-188A　　600V冲击：钳位电压18-19.2V，电流272-276A　　在650V极高冲击下才出现保护性短路　　关键发现： M4SMF28A-LC在正接测试中，即使面对200V的高浪涌冲击，负向钳位电压仍能保持在7V左右，充分验证了其卓越的低负压钳位能力。　　低负压的技术价值　　低负压的技术价值：充电保护的关键突破　　这种负向极低钳位电压的特性，在各类充电接口应用中具有重要价值：　　Type-C接口保护　　现代Type-C接口集成了高速数据、音频视频和充电功能，其中CC逻辑控制芯片对负向电压极其敏感。M4SMF28A-LC的9V负向钳位电压为这些精密芯片提供了精准保护。　　快充协议保护　　在QC、PD等快充协议中，协议识别芯片工作电压低，对负向浪涌耐受度差。低负压TVS确保协议握手过程不因电压扰动而中断。　　充电端口热插拔保护　　用户热插拔充电器时产生的负向电压振铃，可能损坏充电管理IC。传统TVS钳位电压较高，保护效果有限，而M4SMF系列的低负压特性能够及时钳制这些瞬态威胁。　　无线充电系统　　无线充电线圈中的反向感应电动势会产生负向电压尖峰，低负压TVS为功率接收端的精密整流电路提供可靠保护。　　› 04 应用场景深度解析　　电源端口保护　　保护优势：　　低负压钳位(8-9V)有效保护电源管理IC　　6400W高浪涌防护应对电源线引入的雷击浪涌　　防止热插拔和感性负载产生的负向电压尖峰　　低速通信端口保护　　快速响应(<1.0ps)有效抑制ESD静电　　低电容设计不影响信号完整性　　30kV ESD防护等级满足严苛环境要求　　选择萨瑞微，选择可靠　　在电路保护技术日益重要的今天，萨瑞微电子通过M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列产品，展现了在TVS技术领域的创新实力。其独特的低负压钳位特性不仅解决了实际应用中的痛点，更为电子设备提供了更加精准、可靠的保护方案。　　随着5G、物联网、汽车电子等领域的快速发展，对电路保护器件提出了更高要求。萨瑞微电子此系列产品的推出，正当时且具有重要的技术意义。

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发布时间：2025-11-27 13:24 阅读量：309 继续阅读>>

鲁光 LSMDJ33CA <span style='color:red'>TVS</span>二极管

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鲁光 LSMDJ33CA TVS二极管

　　在现代电子设备中，一个微小的静电放电或电压浪涌就可能导致芯片永久性损坏。因此，选择一款响应速度快、钳位电压低的电路保护器件至关重要。鲁光LSMDJ33CA正是一款为此而生的理想解决方案，以其优异的低钳位特性，为敏感电子设备提供了坚实的保护屏障。　　优势　　1. 超快响应时间：响应时间在皮秒级别，远快于压敏电阻或气体放电管，能有效抑制ESD等快速瞬变脉冲。　　2.低VC：这是其核心优势，表示在承受高瞬态电流时，其两端的钳位电压被控制得非常低，能更好地适应低工作电压的IC。　　3. 高浪涌承受能力：3000W的高功率处理能力，使其能够应对工业环境、电源总线上的较严重的过压事件。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　凭借其优异的参数，LSMDJ33CA被广泛应用于需要可靠过压保护的场合：　　1. 工业自动化与控制系统　　1.1 PLC I/O 模块：保护数字量/模拟量输入输出端口，防止现场传感器和执行器线缆引入的浪涌。　　1.2电机驱动器：保护控制板和通信接口。　　2. 通信设备　　2.1电源端口：保护路由器、交换机、基站等设备的DC电源输入线。　　2.2网络接口：虽然百兆/千兆网口有专用的TVS阵列，但在一些非标通信端口或电源部分，SMDJ系列仍是常见选择。　　3. 消费电子与电源适配器　　3.1用于大功率的AC/DC电源、UPS系统、电动工具充电器等，作为次级侧的过压保护。　　4. 通用电源总线保护　　4.1适用于24V或48V的工业/通信背板总线，为接入该总线的各个子板提供共用的浪涌保护。　　四、总结　　鲁光LSMDJ33CA低VC TVS二极管是一款性能强大、应用广泛的电路保护选择。它成功地在高浪涌承受能力和低钳位电压之间取得了平衡，特别适合保护那些工作在恶劣电磁环境下的现代低电压、高密度电子设备。

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发布时间：2025-11-18 11:03 阅读量：381 继续阅读>>

江西萨瑞微电子M4SMF系列4500W <span style='color:red'>TVS</span>二极管强势登场！

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江西萨瑞微电子M4SMF系列4500W TVS二极管强势登场！

　　高功率瞬态电压抑制二极管　　在现代电子设备精密复杂的电路中，瞬时电压冲击犹如隐形杀手，随时可能造成致命损伤。统计数据显示，超过35%的电子设备故障源于电压瞬变和静电放电。无论是突如其来的雷击浪涌，还是看似微不足道的静电释放，都足以让精心设计的电路板瞬间瘫痪。　　作为国内领先的电路保护解决方案提供商，萨瑞微电子深谙电压防护的重要性。今天，我们隆重推出M4SMF系列4500W TVS二极管，为您构筑可靠的电压防护壁垒，让您的产品在严苛环境中稳如磐石。　　产品简介　　M4SMF系列采用紧凑的 SOD-123FL封装，专为表面贴装(SMT)应用而优化。低剖面适应了现代电子产品轻薄化的趋势;低电感特性确保了其对高速瞬态脉冲的快速响应能力，使其即使在空间受限的高密度PCB设计中也能游刃有余。　　系列型号齐全，覆盖广泛：　　电压范围广：从5.0V至28V，提供多达十余种标准电压选项，满足从低功耗MCU到较高压电源总线等各种电路的防护需求。　　极性选择灵活：提供单向(A型号) 与双向(CA型号) 两种类型。单向型适用于直流电路，提供精准的极性保护;双向型则能轻松应对交流信号或可能存在正负浪涌的复杂工况，为设计提供极大灵活性。　　关键参数解析　　惊人的峰值脉冲功率：4500W (@8/20µs)　　4500W的峰值脉冲功率,能吸收并化解极其巨大的瞬态能量，轻松应对如雷击感应浪涌、电机负载突卸、继电器开关等引起的严峻挑战，为系统设立了一道坚固的“电压防火墙”。　　优异的钳位性能　　M4SMF系列具备极快的响应速度(可达皮秒级)，能在纳秒时间内从高阻态转变为低阻态。　　高ESD防护等级　　该系列产品集成高效的ESD保护能力，完美符合 IEC-61000-4-2 Level 4 标准，支持±30kV(空气放电)与±30kV(接触放电)。　　稳定的电气参数与低泄漏电流　　全系列产品具有精确的击穿电压(VBR)和低至微安(µA)级别的反向泄漏电流(IR)。　　产品优势与特点　　1. 高可靠性　　封装材料采用UL 94V-0级阻燃塑料，安全可靠。　　湿度敏感等级达到MSL 1，意味着拆封后无需在特定时间内完成烘烤与焊接，仓储和使用更为便捷。　　端子镀层符合军用焊接标准(MIL-STD-750)，确保焊接牢固性。　　2. 高效率　　极低的漏电流有助于降低整机待机功耗，满足绿色环保的能效标准。　　3. 高灵活性　　同一功率平台下提供单向与双向、多电压档位的丰富选择，方便工程师根据实际电路需求进行灵活选型，实现标准化设计。　　4. 出色的开关特性　　作为半导体保护器件，其响应速度可达皮秒级，远快于压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT)，能有效抑制快速的电压尖峰。　　典型应用领域　　M4SMF系列凭借其强大的性能，已成为以下领域的理想保护解决方案：　　通信基础设施：路由器、交换机、基站等设备的电源输入端口及通信线路保护。　　汽车电子：车载充电器(OBC)、电源管理系统(BMS)、ECU控制单元、LED车灯驱动，抵御负载突降等严峻考验。　　工业控制：PLC、变频器、伺服驱动器、I/O模块，在恶劣的工业电磁环境中稳定运行。　　消费电子：智能电视、家电主控板、适配器、以及各类USB/HDMI端口的ESD和浪涌防护。　　安防监控：户外摄像头、门禁系统的电源及信号线路防雷防浪涌。　　选择萨瑞微，选择可靠　　作为国内领先的IDM模式半导体企业，萨瑞微电子拥有从芯片设计到封装测试的全产业链能力。我们的M4SMF系列TVS二极管，在晶圆材料、钝化工艺、封装技术上都进行了深度优化，历经多轮严格的可靠性测试与质量验证，其性能与可靠性完全可比肩国际一线品牌。在当下供应链格局重塑的背景下，萨瑞微电子是您实现关键器件国产化替代、优化成本结构、保障供应安全的优质战略伙伴。

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发布时间：2025-10-21 14:09 阅读量：403 继续阅读>>

回扫型<span style='color:red'>TVS</span> 是否适合用在开关电源端口

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回扫型TVS 是否适合用在开关电源端口

　　在开关电源的过压保护设计中，瞬态电压抑制二极管(TVS)是常用的保护器件，其核心作用是在电路遭遇瞬态过压时快速导通，将电压钳位在安全范围，避免后级电路受损。然而，并非所有类型的 TVS 都能适配开关电源场景 ——回扫 TVS因其自身特性，在开关电源端口的应用中存在难以规避的风险，甚至可能反向破坏电路，成为“保护隐患”，但也并非说有的回扫型TVS 都不适合用在电源端口。　　一、先理清概念：什么是 “回扫型 TVS”?　　要理解回扫型 TVS 的应用局限，首先需要明确其核心特性与普通 TVS 的差异。　　TVS二极管的核心参数是钳位电压(Vc)和击穿电压(Vbr)。　　待机状态(高阻态)：当两端电压低于击穿电压时，TVS处于关断状态，电阻极大，漏电流极小，对电路几乎没有影响。　　击穿点：当瞬态电压超过击穿电压时，TVS被迅速击穿，进入钳位状态。　　普通与回扫型TVS关键区别：　　普通TVS：击穿后，电流增大，其两端电压会平稳地上升(钳位电压Vc)。　　回扫型TVS：击穿后，随着电流增大，由于其内部的半导体物理效应，其两端电压会不升反降，形成一个电压下降的区域。这个电压下降到的谷值，就是回扫电压。　　普通TVS的伏安特性曲线像一个对称的“Z”字，而回扫型TVS的曲线更像一个“S”形。关键区别在于负阻区。　　二、问题的核心：开关瞬间与负阻特性的冲突　　将回扫 TVS用于开关电源的输入口时，一个隐藏的风险在系统上电的瞬间被触发。　　1、开关电源的启动特性：开关电源在合闸上电的瞬间，其输入端的滤波电容(大容值电解电容)相当于短路状态，会产生一个巨大的浪涌充电电流。这个电流虽然持续时间极短，但峰值可能高达数十甚至上百安培。　　2、回扫TVS的负阻效应：回扫特性本质上源于TVS芯片在巨大电流下的负温度系数(NTC)效应。在极高电流密度下，硅材料发热导致载流子浓度急剧增加，呈现出“负阻”特性：电流越大，其动态电阻反而减小，从而导致钳位电压(Vc)下降。　　3、危险的耦合：　　在系统上电瞬间，巨大的电容充电电流浪涌可能意外触发回扫TVS的击穿。　　一旦被触发，该电流浪涌会立即激发回扫 TVS的负阻特性，使其钳位电压Vc急剧下降。　　关键点：这个瞬间下降的Vc值，完全可能低于开关电源内部功率器件的最高额定电压(如MOSFET的Vds)，甚至低于电源的正常工作电压范围。　　三、危险的“锁存”效应　　现在，我们来看最危险的情况，钳位电压低于电源的正常工作电压。　　假设一个回扫型TVS用于保护一个+5V的电源线。　　正常情况：一个+10kV的静电脉冲(或浪涌脉冲)袭来，TVS被击穿，将电压钳位。脉冲能量泄放后，电压回落到5V，TVS应自动恢复到高阻态。　　异常情况(相当于短路)：如果这个TVS的回扫电压是 +3V，低于工作电压+5V　　第一步：一个浪涌使TVS击穿。　　第二步：TVS进入负阻区，其两端电压从击穿电压(如6V)下降并稳定在3V。　　第三步：浪涌脉冲过去了，但电路的+5V电源还在持续供电。　　第四步：此时，TVS两端的电压是3V，而电源要维持5V。这产生了一个电压差。为了维持这个电压差，电源会持续地向TVS注入电流。　　第五步：由于TVS仍处于导通后的低阻态，这个电流会非常大，一直高于回扫的维持电流。　　第六步：结果：TVS无法自行关断，它会像一根导线一样，持续地从5V电源吸取巨大的电流。这就是“锁存”效应。　　可以把它想象成一个不能自动弹起的开关：浪涌把开关按了下去(击穿)，但因为弹簧(回扫特性)太软，开关被卡在了“ON”的位置，无法弹回“OFF”位，导致电流持续流通。　　四、为什么“相当于短路”?　　在这种“锁存”状态下：　　阻抗极低：TVS的动态电阻可能只有几欧姆甚至更低。　　电流极大：根据欧姆定律 I = V/R，即使很小的电压差(如5V-3V=2V)除以很小的电阻，也会产生安培级的持续电流。这个电流大于锁存的维持电流，一直会让TVS 处于“锁存”状态，无法恢复，除非流入的电流低于维持电流。　　后果严重：这个巨大的持续电流会产生大量热量，导致：　　1、TVS自身因过热而烧毁(如果它的功率容量不够)。　　2、更糟糕的是，如果TVS没立即烧毁，它会成为一个巨大的负载，拉垮整个电源系统，导致系统供电异常甚至重启。　　3、起不到保护作用：当真正的过压再次来临时，这个已经处于导通状态的TVS可能无法有效响应。　　五、深回扫和浅回扫TVS　　根据回扫的大小(深浅)，可以分为深回扫和浅回扫两种TVS。　　深回扫TVS：　　定义：深回扫负阻效应强，电压下降幅度大，回扫电压Vc低于工作电压Vrwm。只需要一个很小的电流就能维持导通状态。　　优点：钳位电压极低，能为后级芯片提供最高级别的保护，特别适合保护那些耐压值非常低的先进工艺芯片。　　缺点：锁存风险极高：由于回扫电压很低且维持电流小，一旦在电源线上误触发，电源电压很容易就能提供超过其维持电流的能量，导致TVS持续导通(短路)，直至烧毁。　　应用场景: 主要用于信号线路的保护，特别是那些驱动能力非常弱的线路(如高速数据线、射频天线)。绝对禁止用于能提供较大电流的电路，尤其是电源总线。　　浅回扫 TVS　　定义：负阻效应弱，电压下降幅度小，回扫电压相对较高：通常会高于或接近常见的工作电压。维持电流通常较高：需要一个相对大一些的电流才能维持导通状态。　　优点：抗锁存能力强，安全性高：由于回扫电压较高且维持电流大，即使误触发，正常的电路电压也难以提供足够的电流来维持其导通状态，因此它能更容易地自动关断，系统稳定性更好。　　缺点：钳位电压相对较高：保护性能不如深回扫TVS那么“强悍”。　　应用场景：可以用于一些对锁存风险敏感但又需要一定浪涌防护的场合。例如：某些低压、有限流功能的电源路径，或者对保护等级要求不是极端苛刻的通用I/O口。　　是深回扫和普通TVS之间一个很好的折中选择。　　六、回扫型TVS 应用注意事项　　工程选型建议：　　1、首选问题：信号线还是电源线?　　电源线/高驱动电路：优先考虑浅回扫或标准TVS。稳定性压倒一切，避免锁存风险。　　高速信号线/弱驱动电路：可以优先考虑深回扫TVS。利用其极低的钳位电压为昂贵的主芯片提供顶级保护，同时由于信号线驱动电流小，锁存风险天然可控。　　2、仔细阅读数据手册：　　一定要查看 I-V曲线图。深回扫的曲线“回扫”沟壑非常深且陡峭;浅回扫则相对平缓。确认维持电流的大小，并评估你的电路在异常情况下能否提供超过这个值的电流。　　(1)深回扫回扫型TVS 适合用于信号数据线(满足结电容条件)。　　(2)浅灰色和普通TVS 适合用于电源端口。　　(3)浅回扫型TVS 即使它的钳位电压Vc高于工作电压Vrwm，“锁存”效应不会发生，我们也一定要根据TVS电压型号放到电路里面考虑多种情况实际测试，因为电路应用不同，可能会发生巨大区别。并非“一颗打遍天下”。　　总之，回扫型TVS应用，我们要根据电路实际情况选型。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-10-10 15:39 阅读量：416 继续阅读>>

<span style='color:red'>TVS</span>推荐 ∣ 汽车EPS的电路防护器件如何选型？

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TVS推荐 ∣ 汽车EPS的电路防护器件如何选型？

　　在现代汽车电子系统中，EPS(电子助力转向系统)作为辅助驾驶系统的关键组成部分，其稳定性和可靠性直接关系到车辆行驶的安全性和舒适性。　　然而，EPS系统在工作过程中面临多种潜在的电气威胁，尤其是来自电源线路的浪涌、静电放电(ESD)及电磁脉冲(EMP)等。为了保障EPS电源电路的安全，采用高效的保护器件显得尤为重要。　　PART 01 EPS系统结构及其工作原理　　根据助力电机安装位置不同，EPS可分为转向轴助力式C-EPS、齿轮助力式P-EPS、齿条助力式R-EPS三种。其中C-EPS的电机固定在转向柱一侧，通过减速机构与转向柱相连直接驱动转向柱助力转向。　　EPS主要包括扭矩传感器、车速传感器、电动机、减速机构和电子控制单元(ECU)等核心部件。它通过扭矩传感器感知驾驶者的转向意图，并结合车速传感器信号，由电子控制单元(ECU)判断并控制电动机输出适宜的辅助扭矩，经减速机构增扭后助力转向。　　EPS能够减轻驾驶者转向时的操作力，提高转向的灵活性和舒适性，同时也有助于提升车辆的操控稳定性和安全性。　　EPS系统框图(图片来源于网络)　　在汽车EPS的电路防护中，TVS广泛应用于电源输入端、电机驱动电路、输出驱动端、外部接口等位置。　　EPS主要组成部分(图片来源于网络)　　PART 02 EPS系统需要防护的关键端口　　01 ECU　　02 EPS电机　　为了确保EPS系统的稳定运行，因此需要特别关注关键端口的防护　　1、ECU内部端口防护　　(1)电源电路：在ECU的电源输入端，TVS用于抑制来自电源线的瞬态电压，保护电源管理芯片和其他电路。　　(2)通信电路：ECU的通信方式一般使用CAN总线。在扭矩传感器、角度传感器等信号线上，TVS Array有效防止因静电放电(ESD)事件而导致的电路损坏或性能下降，保护传感器和信号处理电路。　　2、电机驱动电路　　在电机驱动电路中，TVS用于抑制电机启停或换向时产生的瞬态电压，保护驱动芯片和MOSFET等功率器件。　　PART 03 EPS电路防护器件的选型原则　　那么如果现在想选用TVS去保护EPS，该怎样选型呢?需要考虑下面几个参数：　　(1)电压VRWM的选择：防护器件的额定电压必须高于系统的最大工作电压，以确保在正常工作条件下不会误触发。VRWM通常是VCC的1.1~1.2倍，根据ISO16750-2的测试标准，对于12V系统，通常选择VRWM为26V及以上的TVS(例如5.0SMDJ26CA-Q);对于24V系统，通常选择VRWM为33V及以上的TVS(例如SM8S33CA);　　(2)钳位电压VC：一定要小于后级工作电路可承受的最大瞬态电压;　　(3)峰值脉冲电流(IPP)与峰值脉冲功率(PPP)：峰值脉冲功率PPP是峰值脉冲电流IPP和钳位电压VC的乘积。一般确定了钳位电压VC后，我们可以根据电路板上可能通过的最大瞬态电流(IPP)来确定所选的TVS可承受的峰值脉冲功率。　　PART 04 EPS系统防护的具体应用方案　　1.防护方案　　(1)电源端口的防护　　电源端口防护方案设计　　(2)电动机端口的防护　　EPS的核心组件之一是电动机，用于提供转向助力，如果电动机损坏或磨损，会导致转向困难或完全失去助力，因此，除了物理损伤的防护之外，还需要电路上的防护。　　电动机端口防护方案　　(3)ECU通讯端口的防护　　ECU通讯线路防护方案　　2.测试标准　　车规级TVS需要满足ISO 16750-2的测试标准，以保证在恶劣环境下能够正常使用。　　结语　　汽车EPS系统作为现代汽车的重要组成部分，其稳定性和可靠性直接影响到驾驶安全。通过合理选择防护器件进行防护设计，可以确保EPS系统在各种复杂环境下稳定运行，保障车辆行驶顺利。

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发布时间：2025-09-23 16:26 阅读量：521 继续阅读>>

Littelfuse推出业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA <span style='color:red'>TVS</span>二极管

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Littelfuse推出业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA TVS二极管

　　Littelfuse宣布推出DFNAK3系列大功率TVS二极管。该系列紧凑型表面贴装器件可提供3kA (8/20µs) 浪涌电流保护，在极小空间内可提供最高的浪涌保护，非常适合在苛刻环境中保护直流供电系统和以太网供电 (PoE) 应用。DFNAK3系列TVS二极管　　与传统高浪涌TVS二极管笨重的轴向引线封装或大型表面贴装封装不同，DFNAK3系列采用紧凑型DFN封装，是目前市场上最小的3kA额定TVS二极管。所占面积比包覆型封装小70%，高度也比标准SMD型包覆型封装低70%，让空间受限的高密度PCB设计成为可能，而不会影响浪涌性能或系统稳定性。　　Littelfuse保护产品市场经理Jenny Chen表示：“DFNAK3系列使设计人员能够满足当今的小型化和性能需求。能够实现紧凑、高密度的系统设计，同时提供与大尺寸元件相同的高浪涌额定值，确保为PoE、远程无线电装置和数据中心电源等任务关键型应用提供稳定保护。”　　DFNAK3系列专为满足IEC 61000-4-5第4级要求设计，具有较低箝位电压和出色瞬态抑制能力，是标准TVS二极管、MOV和GDT的理想替代方案。表面贴装配置还支持经济高效的自动化PCB组装，降低了整体生产的复杂性。　　主要功能与特色　　· 3kA (8/20µs) 额定浪涌电流，适用于高可靠性直流和PoE系统;　　· 紧凑型DFN表面贴装封装可节省多达70%的PCB空间;　　· 箝位电压较低，可为敏感的下游电子元件提供出色的保护;　　· 击穿电压高于反向阻抗电压，确保可靠的直流线路和PoE保护;　　· 符合IEC 61000-4-5 (4级) 和其他浪涌保护标准。　　目标市场与应用　　· 小型基站、远程无线电单元 (RRU) 和基带单元 (BBU) 的直流总线保护;　　· 以太网供电 (PoE) 系统;　　· 人工智能基础设施和数据中心服务器中的直流电源;　　· 恶劣环境中运行的工业直流电源。　　DFNAK3系列秉持Littelfuse的使命，即提供创新的表面贴装保护解决方案，以满足客户对更小外形尺寸、更高性能的不断变化的需求。

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发布时间：2025-09-23 13:58 阅读量：613 继续阅读>>

上海雷卯电子：这两种<span style='color:red'>TVS</span>有啥不同？

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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？

　　当我们查看TVS二极管的规格书 ,常会看到有以下两种种引脚功能标识图：　　对于初学者，看到感到疑惑，他们一样吗?他们有啥区别?为啥有的两个尖头往外，阳极连在一起，有的两个尖头往里，阴极连在一起?一连三问。EMC小哥根据自己经验略作分析。　　使用这两种图的规格书上都有标注 bidirectional ESD protection diode。因此可以确定这两种的功能是一样的，都是双向保护二极管。　　图1在国外品牌规格书上看到的比较多，比如Nexperia(安世)， Littelfuse(美国力特)，VISHAY(威世)等等，图2 国内品牌使用比较多，比如上海雷卯。　　我们看两种TVS二极管在电路中的应用：参看图3，图4。　　先看上图3：静电过来后首先反向击穿通过D1连接1脚的二极管，然后再正向通过D1的下方连接2脚二极管，(减去大约0.7V )，最后导入到地。　　图4静电过来后首先正向通过D2的上方连接1脚二极管(减去大约0.7V ),然后反向击穿通过D2连接2脚的二极管，最后导入到地。所以，静电进来后两种TVS二极管都是要经过一次反向击穿和正向导通电压才导入到地，所以从电气性能上分析这两种实现的功能是一样的，从应用上是没有区别的。　　那他们本质上有区别吗?我们知道二极管是有PN结组成，如图5，电流从P极进去，N极出来，正向导通，硅管的管压降VF为0.7V。　　对于TVS二级管，因为是反向击穿起保护作用，所以是从N极流入P极，P极到N极是正向导通。　　那么上面图1，图2两种TVS二极管功能图内部结构可以近似如下图表示：　　这就是这两种二极管内部叠层结构不同。　　因此，从电气特性角度分析，图1和图2所示均为双向TVS二极管，应用上没有区别，仅内部结构存在差异。对工程师而言，只要器件规格书中的参数相近，所实现的功能一致，二者便具备替代性。　　上海雷卯电子(Leiditech)凭借多年技术积累，其国产ESD/TVS器件可兼容替代NXP、SEMTECH、LITTELFUSE、ON、VISHAY、TI等多款国外品牌产品。公司提供包括USB接口、汽车电子、工业控制等领域的电路保护方案，并备有详细替代型号列表供参考。雷卯产品支持样品申请，助力客户实现供应链优化与国产化替代。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-09-19 15:45 阅读量：612 继续阅读>>

理想二极管+雷卯<span style='color:red'>TVS</span>：过抛负载P5A测试，功耗降97%

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理想二极管+雷卯TVS：过抛负载P5A测试，功耗降97%

　　一.优点：　　1、极低功耗：导通压降仅 10-20mV，20A 电流下功耗降至 0.4W(较肖特基二极管降低 97%)，无需额外散热片;　　2、瞬时响应：反向电流检测响应时间 < 1μs，彻底消除反向恢复浪涌，避免对后端芯片的冲击;　　3、宽域兼容：部分型号反向耐压可达-65V，覆盖 12V 汽车蓄电池反接(-12V)、24V 工业电源波动等极端场景。　　二.目前理想二极管中主流的专用控制器型号及适合场景　　1、TI LM74700：65V 耐压，集成过温保护，适合汽车电子电源冗余设计　　LM5050-1：75V 耐压，低静态电流(7μA)，适用于电池供电的便携式设备;　　2、荣湃Pai8150x/Pai8151x 系列：支持背靠背FET 架构、电池反向保护及电源路径冗余，适用于新能源汽车低压系统。　　3、美信 MX16171：1-50V 宽输入，支持并联扩展电流，工业控制冗余电源首选;　　4、芯洲科技 SCT53600Q：±65V 耐压，AEC-Q101 认证，车载 ECU、BMS 系统核心防护器件。　　三.传统二极管pk 理想二极管　　四.雷卯TVS+理想二极管12V/24V直流电源浪涌保护方案　　“双重屏障” 防护逻辑：理想二极管与 TVS 的协同需满足 “时间+能量” 双维度配合：　　理想二极管：负责反向电流阻断(如荣湃的Pai8151系列在0.75μS内关断)和持续过流保护(如芯洲 SCT53600Q 支持 50A 过载 10ms);　　雷卯TVS：承担正向浪涌能量泄放(响应时间 < 1ns)和电压钳位(雷卯TVS二极管将瞬态电压限制在理想二极管耐压范围内)　　12V汽车电子方案(满足 ISO 7637-2 测试)　　核心器件：　　理想二极管专用控制器：荣湃Pai8150C(-55V至80V 耐压， AEC-Q100 认证);　　TVS：雷卯 SM8S24CA(24V VRWM，38.9V VC，6600W 峰值功率，AEC-Q101 认证)。　　参数匹配逻辑：　　VRWM=24V(1.2×12V 系统电压)，确保正常工作时 TVS 无漏流;　　VC=38.9V(< Pai8150C 的80V 耐压)，避免浪涌击穿 MOSFET;　　峰值电流 IPP=170A(>ISO 7637-2 脉冲 5A 的 100A 需求)。　　实测表现：雷卯EMC团队在雷卯实验室环境下验证：　　脉冲 5A 测试(100V 输入，1Ω 源阻抗，300ms)：钳位电压稳定在 38.5V;　　反接测试(-12V 持续 1min)：Pai8150C 快速关断，后端电路零损伤。　　24V工业控制浪涌防护方案(满足 IEC 61000-4-5 等级 3)　　核心器件：　　理想二极管：荣湃Pai8150C(-55V至80V耐压);　　TVS：雷卯 SMDJ26CA(26V VRWM，42V VC，3000W 峰值功率)。　　参数匹配逻辑：　　VRWM=26V(1.08×24V 系统电压)，适配工业电源波动范围;　　VC=42V(< Pai8150C 的80V 耐压)，保护驱动电路;　　冗余设计可配合雷卯 GDT(2R090-5S)组成两级防护，GDT 泄放 80% 浪涌电流(>2kA)。　　实测表现：2kV 浪涌测试(8/20μs 波形)：系统压降≤5V，后端PLC无复位;　　电动汽车12V辅助电池充电控制与浪涌综合防护方案　　电动汽车12V辅助电池需解决 3 个问题：　　1、充电时可控通断(充满自动关断，避免反向放电);　　2、动阶段双向供电(12V电池给高压侧电容预充电);　　3、防护两类浪涌：　　电压浪涌(雷击、电源尖峰，损伤电路);　　电流浪涌(启动时电容充电的大电流，冲击 MOSFET)。　　上海雷卯方案架构：　　前级 TVS：钳位瞬态过压，雷卯采用SM8S24CA，满足 ISO 7637-2 测试;　　背靠背 MOSFET(Q1+Q2)：配合控制器实现充电路径开关 + 双向导通;　　充电路径通:EN 信号低→Q1、Q2 导通→DC/DC 给电池充电;　　充电路径断:电池充满→EN信号高→Q1、Q2关断→切断电路，防反向放电。　　控制器阴极(CATHODE)引脚悬空→允许能量反向流动(比如 12V 电池给高压侧电容预充电)。　　理想二极管控制器：驱动 MOSFET，内置软启动逻辑(通过外接 RC 网络缓启动)。　　雷卯通过TVS+理想二极管的科学搭配，不仅能解决传统二极管的功耗与可靠性痛点，更能构建符合国际标准的浪涌防护体系。

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雷卯电子

发布时间：2025-08-28 10:21 阅读量：646 继续阅读>>

芯力特车规<span style='color:red'>TVS</span>提供更具性价比的选择

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芯力特车规TVS提供更具性价比的选择

　　背景　　车辆电气系统中可能出现瞬态过电压问题，这些过电压可能由多种原因引起，比如静电放电、引擎启动、电磁干扰、车辆内部电子设备的开关操作，甚至雷击等。总线如果没有适当的保护措施，可能会导致ECU(电子控制单元)等关键组件失效，从而引发系统故障或安全问题。　　TVS工作原理　　TVS的作用是在瞬态过电压发生时，它们能迅速将电流分流到地线，限制电压峰值，防止ECU关键组件失效。这是一种低成本且有效的保护手段，通常被集成在汽车电源、CAN总线(Controller Area Network)、LIN总线(Local Interconnect Network)或其他数据通信线路中。因此，它们是现代汽车电子系统设计中的标准组成部分。　　芯力特TVS产品　　芯力特深耕车规CAN/LIN通讯接口芯片，在广泛的应用中了解客户的需求，推出汽车级TVS产品，助力车规CAN/LIN通讯接口保护。　　本次重点介绍5款TVS产品，其中2款为最新推出的高性能TVS，新一代TVS在关键参数上实现显著突破，特别是在超低寄生电容(Cj)方面表现突出，为高速通信应用提供更优保护方案。　　1. TVS型号和典型参数(红色为新产品)　　2. TVS产品详细参数介绍　　(1). SITLW24V1BNQ-2/TR　　产品特性：　　截止电压VRWM：±24V　　漏电流IR：50nA　　钳位电压Vc：30V　　峰值电流Ipp：5A　　结电容Cj：14pF　　封装类型：SOD-323　　应用场合：　　LIN总线保护　　防护等级：　　IEC61000-4-2(ESD)：±30kV(contact discharge);±30kV(air discharge)　　ISO10605(ESD)：±30kV(contact discharge)　　(2). SITSE24V2BNQ-3/TR　　产品特性：　　截止电压VRWM：±24V　　漏电流IR：50nA　　钳位电压Vc：31.5V　　峰值电流Ipp：4A　　结电容Cj：5.5pF　　封装类型：SOT-23　　应用场合：　　CAN/CAN FD总线保护　　防护等级：　　EC61000-4-2(ESD)：±30kV(contact discharge);±30kV(air discharge)　　ISO10605(ESD)：±30kV(contact discharge)　　(3). SITLE24V2BNQ-3/TR　　产品特性：　　截止电压VRWM：±24V　　漏电流IR：50nA　　钳位电压Vc: 35V　　峰值电流 Ipp：8A　　结电容 Cj：10pF　　封装类型：SOT-23　　应用场合：　　CAN/CAN FD总线保护　　防护等级：　　IEC61000-4-2(ESD)：±30kV(contact discharge);±30kV(air discharge)　　ISO10605(ESD)：±30kV(contact discharge)　　(4). SITNE24V2BNQ-3/TR　　产品特性：　　截止电压VRWM：±24 V　　漏电流IR：50 nA　　钳位电压Vc: 38 V　　峰值电流 Ipp：8 A　　结电容 Cj:24 pF　　封装类型：SOT-23　　应用场合：　　CAN总线保护　　防护等级：　　IEC61000-4-2(ESD)：±30kV(contact discharge);±30kV(air discharge)　　ISO10605(ESD)：±30kV(contact discharge)　　(5). SITNW24V1BNQ-2/TR　　产品特性：　　截止电压VRWM：±24V　　漏电流IR：50nA　　钳位电压Vc: 37V　　峰值电流Ipp：7A　　结电容 Cj：25pF　　封装类型：SOD-323　　应用场合：　　LIN总线保护　　防护等级：　　EC61000-4-2(ESD)：±30kV(contact discharge);±30kV(air discharge)　　ISO10605(ESD)：±30kV(contact discharge)　　3. EMC性能表一览　　4. 应用示意图Lin总线接口ESD保护方案　　CAN/CAN FD总线接口ESD保护方案　　CAN总线接口ESD保护方案

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芯力特

发布时间：2025-08-26 14:10 阅读量：736 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
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