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基于君正新一代 T32 芯片的DL32A-4G 双目 AOV 枪球新品，再次定义边缘智能安防的<span style='color:red'>技术</span>边界！

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基于君正新一代 T32 芯片的DL32A-4G 双目 AOV 枪球新品，再次定义边缘智能安防的技术边界！

　　当边缘 AIoT 技术从感知智能向认知智能跨越，安防监控正经历从 "被动记录" 到 "主动感知" 的范式革新。在这一进程中，AOV(Always On Video)全时录像技术因其 "7×24 小时无间断感知" 的核心能力，成为无网无电场景、长效值守需求的关键解方。作为君正 T41 AOV 技术 2023 年的首批开发者，捷高电子凭借对安防场景的深刻理解与持续研发投入，基于君正新一代 T32 芯片推出 DL32A-4G 双目 AOV 枪球新品，再次定义边缘智能安防的技术边界。　　从先行者到引领者，捷高的 AOV 技术积淀与研发定力　　早在 2023 年，捷高便敏锐捕捉到安防市场对 "全时感知 + 低功耗" 的迫切需求，成为君正 T41 AOV 技术的先行开发者。彼时，其基于 T41 打造的初代 AOV 产品已实现 "事件触发无漏录" 的突破，却也发现了传统方案的三大痛点：极端环境下续航不足、复杂场景误报率高、多摄协同响应滞后。　　为此，捷高组建专项研发团队，围绕 "功耗、智能、协同" 三大方向持续攻关。通过与君正深度联合调试，其研发人员将 T41 的 NPU 算力与场景算法深度耦合，在人形侦测准确率上实现从 95% 到 99% 的跨越;针对多摄同步问题，独创 "动态帧对齐" 技术，使双摄响应延迟缩短至 20ms 以内。这种 "芯片能力 + 场景算法" 的协同研发模式，为新一代产品奠定了坚实基础。　　当君正 T32 芯片发布时，捷高已积累超过 1500 小时的 AOV 场景实测数据，涵盖从 - 30℃极寒到 60℃高温的极端环境，为快速落地新一代产品提供了关键支撑。　　DL32A-4G：以场景痛点为导向的技术突破　　基于 T32 的技术升级，捷高 DL32A-4G 实现了三大维度的突破，重新定义 AOV 产品标准。　　全时续航与智能节电的平衡：搭载 T32 的 RISC-V 协处理器，DL32A-4G 实现 "休眠 - 唤醒" 的无缝切换 —— 休眠时以 1 帧 / 秒低帧率录像，功耗低至 50mW;触发事件后 0.1 秒内切换至全帧率，较上一代方案功耗降低 30%。配合 12 节 18650 电池(24000mAh)与 15W 太阳能板，即使连续 15 天阴雨天仍能保持续航，真正实现 "全年无间断值守"。这种优化不仅依赖芯片本身的低功耗特性，更源于捷高对电池充放电曲线的精准建模，通过算法动态调节录像帧率，使电量利用效率提升 25%。　　智能侦测与低误报的双重保障：依托 T32 的 1T 算力与 Magik 2.0 平台，捷高升级了 "多特征融合" 侦测算法。相比传统仅依赖轮廓识别的方案，新算法融合人形骨骼特征、运动轨迹与环境光特征，使 30 米内人车侦测准确率达 99.9%，误报率降低 90%。在农村路口等复杂场景测试中，对家禽、树叶晃动等干扰因素的过滤能力提升 4 倍，大幅减少无效告警对用户的干扰。　　双目协同与细节追踪的无缝衔接：针对传统枪球联动 "视角断层" 问题，DL32A-4G 采用 "广角监控 + 细节追踪" 的双摄架构：4mm 广角枪机覆盖 120° 范围，6mm 变焦球机精准追踪目标。借助 T32 支持的 MIPI-2Lane+2Lane 多摄接口，捷高研发的 "智能视场切换" 算法可根据目标距离自动调节球机倍率，从发现目标到锁定细节仅需 0.5 秒，较行业平均水平快 1 倍。　　此外，为解决偏远地区联网难题，该产品内置全网通 4G 双卡模块，支持电信 / 移动信号智能切换，在无网山区的信号接通率提升至 98%，远超行业 85% 的平均水平。　　芯片与方案的协同　　君正技术的场景化赋能　　捷高产品的突破，离不开君正 T32 芯片的技术支撑。其新一代 ISP Tizano-v4.0 为 DL32A-4G 的 "日夜全彩" 提供关键能力 —— 通过优化暗区色彩矫正算法，使弱光环境下色彩还原度提升 40%，配合 F1.0 超星光镜头，实现 "0.01lux 照度下全彩成像";Hera-V1.2 编码器则让低码率场景下的画质细节提升 10.7%，在 4G 传输带宽有限的偏远地区，仍能保证关键细节清晰可辨。　　更重要的是，T32 的内存优化能力(如 6M 分辨率仅需 512Mb 内存)为捷高的多摄方案提供了灵活性。通过将双摄数据处理与 AI 算法运行的内存占用动态分配，使系统在复杂场景下仍保持流畅运行，这正是捷高 "硬件 - 算法" 协同研发理念的最佳体现。　　从 T41 到 T32，从初代 AOV 到 DL32A-4G，捷高的演进之路不仅是技术迭代的缩影，更展现了专业安防方案商 "以场景定义技术" 的核心逻辑。随着 DL32A-4G 在农田安防、边防监测等场景的落地，其正推动 AOV 技术从 "可选配" 变为 "刚需"，为边缘智能安防打开更广阔的应用空间。

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君正

发布时间：2025-08-01 11:45 阅读量：253 继续阅读>>

上海雷卯电子：ROBOT之鼻金属氧化物半导体气体传感器静电浪涌防护<span style='color:red'>技术</span>

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上海雷卯电子：ROBOT之鼻金属氧化物半导体气体传感器静电浪涌防护技术

　　一、解密 “电子鼻”　　1.电子鼻的工作原理　　金属氧化物半导体(MOS)气体传感器构成的 “电子鼻”，核心原理是利用金属氧化物(如 SnO₂、ZnO 等)表面对气体的吸附 - 脱附特性。当目标气体与金属氧化物表面接触时，会发生化学吸附反应，导致材料的电导率发生变化。传感器通过检测这种电导率的变化，经过信号放大、模数转换等处理，最终实现对气体种类和浓度的识别。例如，在检测一氧化碳时，一氧化碳分子与 SnO₂表面的氧离子结合，释放出电子，使 SnO₂的电导率升高，通过电路将这一变化转化为可识别的电信号，从而完成对一氧化碳的检测。　　02.电子鼻的应用领域　　工业安全：在化工、石油等行业，“电子鼻” 可实时监测车间内的易燃易爆气体(如甲烷、丙烷)和有毒气体(如硫化氢、氯气)，一旦浓度超标，立即发出警报并联动设备停机，保障生产安全。　　环境监测：用于大气质量监测站、污水处理厂等场景，检测空气中的挥发性有机物(VOCs)、二氧化硫、氮氧化物等污染物，为环境治理提供数据支持。　　智能家居：集成在空调、空气净化器等设备中，感知室内甲醛、苯等有害气体浓度，自动调节设备运行状态，改善室内空气质量。　　医疗健康：通过检测人体呼出气体中的特殊成分(如丙酮可反映糖尿病状况)，辅助疾病的早期诊断和监测。　　农业：农业种植中在大棚、大田场景，监测作物释放的乙烯、萜类气体，为植保措施提供数据支撑。农产品仓储中，识别粮库霉菌挥发物(如苯甲醛)、坚果仓虫害代谢 VOCs，预警霉变、虫害风险。　　汽车行业：在车内座舱，监测甲醛、TVOC 等挥发物，浓度超标自动启动净化系统。在油路、气路周边，检测汽油蒸气、甲烷泄漏，触发声光报警。　　03.核心结构　　半导体气体传感器通常集成多种关键功能模块，核心结构包括：　　加热单元(heater/hotplate)：为传感器提供高温工作环境，确保金属氧化物敏感材料处于活性状态，维持表面氧化还原反应的持续进行;　　金属氧化物敏感层(MOx material)：作为气体检测的核心，其电阻率随与目标气体的接触发生显著变化，是实现气体浓度转化的关键载体;　　信号处理模块：包含模拟信号采集与数字信号处理单元，可对传感器输出的电阻变化信号进行放大、滤波等处理，并集成湿度补偿功能，减少环境湿度对检测精度的干扰;　　控制与接口组件：配备控制器(controllers)及数字/模拟接口(如 SDA、SCL)，实现对加热单元的温度调控、传感器工作状态的监测以及检测数据的传输。　　在智能制造与物联网深度融合的今天，气体传感器作为设备的 “嗅觉神经”，其稳定运行离不开可靠的防护方案。雷卯电子基于十余年技术积累，为金属氧化物半导体(MOS)气体传感器量身定制全链路防护方案，从信号到电源构建立体屏障，确保 “电子鼻” 在复杂电磁环境中精准感知。　　二、金属氧化物半导体气体传感器的防护方案　　1.BOSCH的气体传感器BME688开发套件：　　　　3.3V防护：雷卯采用SD03C(SOD-323封装)/　　ESDA33CP30(DFN1006封装)，IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV，箝位电压≤13V，低于 MOS 栅极耐压阈值(<30V)，避免静电击穿。　　IO信号保护：雷卯采用ESDA33CP30(DFN1006)针对传感器信号静电防护，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV。　　SD卡静电防护方案: 雷卯采用集成器件SR33-04A/USRV05-4保护，结电容小于1PF，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kv.　　2.通信与电源防护：多维度筑牢安全防线　　通信接口：UART 接口采用 ESDA33CP30(3.3V)，结电容≤3pF 兼容 115200bps 速率;CAN 总线选用 SMC24，±30kV 空气放电防护满足工业级需求。　　电源系统：12V电源入口增加TVS器件，抵御静电浪涌，满足 IEC 61000-4-5 浪涌测试(1.2/50μs)。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-08-01 10:39 阅读量：207 继续阅读>>

瑞萨电子携多元产品矩阵亮相2025 MCU及嵌入式<span style='color:red'>技术</span>论坛

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瑞萨电子携多元产品矩阵亮相2025 MCU及嵌入式技术论坛

　　2025年7月24日，由ASPENCORE主办的MCU及嵌入式技术论坛在深圳举行。作为受邀嘉宾之一，瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部刘杰文出席活动，并发表题为《智驱未来：瑞萨嵌入式产品矩阵》的主题演讲，系统阐述瑞萨在嵌入式领域的战略布局、核心产品与技术优势。瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部刘杰文　　深耕高增长市场，打造全栈解决方案　　瑞萨电子由日立、三菱电机及NEC的半导体部门合并而成。自2017年起，公司通过战略收购持续完善模拟与嵌入式产品生态，致力于为汽车、工业/基础设施及物联网等高增长市场提供一站式解决方案。　　在发展战略上，瑞萨聚焦多元化产品、端点智能、数据安全与功能安全和生态建设四大方向。活动现场，刘杰文重点介绍了公司的MCU、MPU产品及技术优势。　　MCU产品介绍　　瑞萨提供广泛的MCU产品组合，包括RL78、RX、RA几大系列，可满足从微功耗终端到高性能边缘计算的全场景需求。其中，RL78是瑞萨超低功耗MCU产品家族，拥有卓越的性能、高扩展性及集成度，并支持多种安全保护，是电池供电设备的理想选择。　　RX MCU产品家族包含四个系列：具有出色性能和强劲功能的旗舰RX700系列;标准RX600系列;兼具高效能和高性能的RX200系列;具有极低功耗的入门级RX100系列，这些产品实现了从小型到大型应用的无缝扩展。另外，针对电机控制场景，瑞萨推出RX-T系列，适用于单电机、双电机及多电机驱动场景，可满足工业、家用电器和机器人等应用的电机需求。　　作为瑞萨高性能MCU的代名词，RA系列率先采用Arm® Cortex-M85内核，主频达480MHz，为嵌入式系统带来了卓越的处理能力。该系列搭载的Helium技术进一步突破性能边界，即便在小型低功耗的嵌入式系统中，也能轻松应对多样化的算力需求。同时，RA系列产品通过集成TrustZone技术，构建了硬件级的隔离环境，可确保数据的安全性和系统的可靠性。其中，公司最新推出的RA8P1为第二代RA8系列产品，主频高达1GHz，不仅集成了新一代存储介质MRAM，还搭载Ethos-U55 NPU，拥有0.25TOPS的强大算力，同时支持千兆网口，树立了MCU处理性能的新标杆。　　MPU产品介绍　　瑞萨的MPU产品线同样强大，包括RZ/G、RZ/T、RZ/N、RZ/A、RZ/V等多个系列，覆盖从通用处理到专用AI加速的广泛需求。其中，RZ/T、RZ/N是用于工业网络及实时控制的产品，具有兼容性的可扩展阵容。在演讲中，刘杰文特别提到专为高性能工业自动化打造的MPU——RZ/T2H与RZ/N2H，他表示：这两款产品搭载4核CA55与2核CR52的强大处理器架构，不仅支持多协议工业以太网实现高效通信，还具备9轴电机驱动能力，可充分满足工业自动化领域的复杂控制需求。　　RZ/V系列集成DRP-AI加速器，兼具高AI推理性能和低功耗特性，具有从0.5TOPS到80TOPS的广泛扩展性，能够为各种AI应用提供高附加值。RZ/V2H是瑞萨推出的高端AI MPU，其采用瑞萨专有的DRP-AI3、四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)Linux处理器，以及双核Cortex®-R8(800MHz)实时处理器，是自主机器人和机器视觉等应用的理想之选。　　RZ/G系列是基于Arm® Cortex®架构和RISC-V架构的可扩展MPU平台，具有先进的图形、视频引擎和高速接口，非常适用于工业自动化、楼宇自动化HMI、工业摄像头和网关应用。　　在嵌入式设计领域，瑞萨提供从硬件IP到专用软件和工具的全栈支持。公司不仅拥有高性能的处理器内核，还推出了丰富的开发工具和软件包，如FSP，可为开发者提供高效、灵活的开发环境。　　多领域部署，推动产业智能升级　　瑞萨的嵌入式产品在多行业中展现出显著优势。在演讲中，刘杰文分享了公司在物联网、新能源、工业自动化、协作机器人以及嵌入式AI领域的部署战略。他表示：“瑞萨有160+本地解决方案，可以为中国客户提供高度适配且多元化的选择。”　　在物联网领域，瑞萨推出涵盖用户界面、人工智能、模拟/传感、逆变控制、系统主控以及数据/功能安全等方面的产品和解决方案，为白色家电、消费电子以及医疗健康等领域的创新提供支持。　　在新能源领域的电力应用端，瑞萨的高性能产品深度融入电力网关、电能质量分析、智能电表及流量计表等各类方案，成为推动电力智能化发展的关键力量。而在能源存储与转换的关键环节，瑞萨精准聚焦光伏逆变、储能、充电桩、电池分容化成等热门应用场景，以专业的技术支持与定制化的产品方案，为新能源产业的蓬勃发展奠定坚实基础。　　在工业自动化领域，瑞萨能够提供涵盖各层级的产品与技术。公司旗下的MCU/MPU产品可广泛应用于工业网络/网关/IO设计中。同时，融合端侧AI技术，借助R-IN等网络解决方案与IO-Link等连接方案，可为工业自动化系统的高效、稳定、安全运行提供有力保障。　　在人机协作中，瑞萨利用高性能应用处理器达成精准的系统控制及多轴、高精度电机操控;视觉处理上，借助DRP - AI技术实现高效AI推理;端点AI方面，其产品可增强机器人对环境的感知与响应能力。同时，瑞萨重视功能安全，通过TUV SIL3认证确保运行可靠，并借助工业网络通信、多元人机交互及完善数据安全方案，为协作机器人应用提供保障。　　刘杰文指出：在嵌入式AI的部署上，瑞萨构建了从云端到终端的AI产品布局，提供全面的AI/ML工具和解决方案，能够满足不同场景下的嵌入式AI应用需求，助力客户快速实现产品的智能化升级。例如，借助Reality AI工具，我们可以对传感器信号数据进行清洗、特征空间提取以及模型训练，最终将训练好的模型转换并部署到芯片中。除了支持用户自主训练模型外，我们还提供丰富多样的预训练或已验证的模型资源。比如，通过近期新发布的Nvidia Tao平台，开发者能够将Nvidia已验证的100多个模型直接部署到我们的芯片上，无需从零开始搭建。　　与此同时，瑞萨也深耕本地化生态，坚定推行“在中国，为中国”策略，以加速中国市场的本土创新。公司构建了由数十家本地合作伙伴组成的强大协作网络，致力于提供定制化解决方案、专业的技术支持与培训服务。不仅如此，瑞萨在全球范围内支持大学教育，公司的嵌入式大学计划致力于培养下一代嵌入式开发者，为中国市场持续输送人才。

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发布时间：2025-07-31 13:49 阅读量：292 继续阅读>>

国民<span style='color:red'>技术</span>可信计算芯片与统信UOS完成全栈互认

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国民技术可信计算芯片与统信UOS完成全栈互认

　　国民技术可信计算芯片NS350 V30、NS350 V32及Z32H330TC近日成功完成与统信操作系统V25系列(桌面版/服务器版)的多平台适配互认。值得注意的是，Z32H330TC芯片于2022年实现了与统信V20系列操作系统(桌面版/服务器版)的多平台适配互认。国民技术通过"芯片+操作系统"的深度协同，有力推动可信计算技术在政务、金融、通信、能源、教育等关键行业领域的规模化应用。　　根据IDC中国发布的《2024年操作系统市场追踪报告》，在云计算普及和国有企业数字化转型的双重驱动下，国产操作系统迎来快速发展期。报告预测，到2027年，中国国产操作系统市场规模将达到38亿元人民币。　　作为国内装机量领先的国产操作系统，统信UOS展现出强劲的发展态势：2024年生态适配数量突破800万大关，预计2025年将实现1500万的适配规模。分析指出，随着信创战略的持续深化和行业应用场景的不断拓展，统信UOS未来仍具备可观的市场增长潜力。　　国民技术NS350 V30/V32/Z32H330TC系列芯片作为计算平台可信根解决方案，具备以下核心优势：　　01 标准合规性　　➢ 同时符合中国TCM2.0标准(GM/T 0012-2020)和国际TPM2.0标准(1.59版)。　　➢ 获得商用密码产品二级安全认证、可信密码模块认证及ANSSI CC EAL4+认证。　　02 平台兼容性　　➢ 实现与Intel可信启动架构的无缝集成。　　➢ 全面支持龙芯、兆芯、飞腾、申威、海光、鲲鹏等国产计算平台的可信主动度量。　　➢兼容统信UOS、麒麟、中科方德等国产系统与Windows/Linux/ BSD UNIX等国际主流操作系统可信应用。　　03 算法支持　　➢ 支持SM2/SM3/SM4商密算法体系。　　➢ 支持AES/RSA/ECC/SHA等国际通用算法。　　作为中国可信计算产业的奠基者和国际可信计算组织(TCG)中唯一中国核心成员，国民技术正加速构建全球可信计算产业新生态。国内市场方面，国民技术已实现对中国主流终端厂商的全覆盖，包括联想、同方、长城等头部企业，市场占有率保持领先地位。国际市场上，国民技术已成功打入全球供应链，成为微软Surface系列、英特尔平台、戴尔商用终端等国际产品的可信计算芯片核心供应商。同时，公司正积极推动可信计算技术在政务、金融、能源等关键行业的规模化应用。

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发布时间：2025-07-28 11:38 阅读量：524 继续阅读>>

兆易创新携车规Flash及GD32A7系列MCU，亮相吉利汽车国产芯片方案<span style='color:red'>技术</span>展

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兆易创新携车规Flash及GD32A7系列MCU，亮相吉利汽车国产芯片方案技术展

　　7月17日，“2025吉利汽车国产芯片方案技术展”在吉利汽车研究院举行。本次展会以“创新”为主题，汇聚国内多家头部汽车半导体供应商，共同探索国产芯片在汽车电子领域的应用前景。兆易创新携车规级Flash和GD32A7系列车规级MCU及其配套应用方案受邀参展，集中展示在汽车电子芯片领域的创新成果。　　GD32A7系列车规MCU满足多元化需求　　GD32A7系列车规MCU采用Arm® Cortex® M7内核，支持单核、多核、单核锁步等多种选择，经过迭代升级后主频最高达320MHz，算力高达1300+ DMIPS。该系列芯片采用2.97-5.5V宽电压供电，能在-40℃~+125℃的工作温度范围内稳定运行，并符合AEC-Q100 Grade 1等级与IATF16949:2016认证标准。该系列可适用于车身控制、智能座舱、底盘、动力系统等多元电气化车用场景，全面满足国内车企日益增长的汽车电子国产化需求。　　在安全可靠性方面，GD32A71x/GD32A72x系列符合功能安全ISO 26262 ASIL B标准，GD32A74x系列符合功能安全ISO 26262 ASIL D标准。GD32A7系列全系内置可编程硬件加密模块HSM，支持TRNG/AES/HASH/ECC/RSA/SM2/SM3/SM4等硬件加密，并符合国际Evita Full标准信息安全要求，确保了数据的安全性和可靠性。　　信息安全集成方案发布，GD32A7系列车规级MCU替代独立SE芯片　　展会期间，兆易创新资深系统架构工程师李强发表了《汽车加密SE芯片MCU集成解决方案》的主题报告。报告以车载5G-TBOX方案为例，详细阐述了GD32A7系列MCU的技术优势。该产品内置的HSM(硬件安全模块)能够完整实现安全启动、安全通信等功能，满足《GB/T 32960-3 2025电动汽车远程服务与管理系统技术规范》的信息安全要求，以及《汽车芯片信息安全技术规范》二级标准，可充分满足TBOX产品的认证需求。值得一提的是，该创新方案通过将传统SE芯片的安全功能集成到GD32A7系列车规MCU中，为客户带来了显著的成本优化效益。这一技术突破为汽车电子系统的安全设计提供了更具性价比的解决方案。　　车载5G-TBOX方案概述，深化合作，推进国产化进程　　兆易创新车规级Flash与吉利汽车合作已久，展现了优异的产品质量表现与长期稳定的供应和服务能力。本次展示的GD32A7系列MCU，吸引了吉利汽车采购、质量、研发等多个各职能部门专家的深入交流。未来，兆易创新还将持续加大车规级芯片的研发投入，与吉利汽车等国内优秀的主机厂协同共进，共同推动汽车电子国产化进程迈入新阶段。

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发布时间：2025-07-25 13:40 阅读量：1268 继续阅读>>

恩智浦：负责任的赋能<span style='color:red'>技术</span>实现边缘AI全面适用

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恩智浦：负责任的赋能技术实现边缘AI全面适用

　　当部分人仍在探索AI的应用方式时，恩智浦已着眼未来，提出关键问题：如何确保AI以安全、可靠且负责任的方式运行?通过与技术、政府及商界精英的合作，使其真正落地，正是负责任AI(Responsible AI)成为焦点的关键。　　想象一下，您正在驾车前往与朋友的聚会，满怀期待享受一顿美味的晚餐。您已经有一段时间没见过他们了，因此希望展现最佳状态。然而，在行驶过程中，警报声不断响起，让你困惑不已。此时，您收到来自车辆驾驶员监测系统(DMS)的提醒，提示你虽然驾驶表现良好，但未能保持足够的注意力。　　您可能未曾意识到，这一情况的发生源于人工智能(AI)模型所采用的训练数据，这些数据为车辆的计算机视觉提供支持。然而，由于某些因素，AI模型误解了实时输入。这背后的原因在于，训练数据中的偏差导致女性司机更常被归类为“因个人仪容而分心”，这是训练过程中对人群特征的细微错误呈现所导致的结果。　　驾驶员监测系统正在重塑我们的出行方式，但要在系统中集成AI技术，我们必须在模型开发过程中充分考虑数据偏差，以确保系统的公正性和可靠性　　负责任边缘AI开发的风险　　这不仅仅是借助AI进行数据分析和预测所面临的风险，更涉及AI/ML系统的公平性与稳健性问题，以及它们对现代生活的深远影响。例如，训练数据中的偏见可能导致个人在申请金融服务时被错误拒绝。同样，在缺乏适当的风险评估和防范措施的情况下，边缘AI也可能引发歧视性决策。智能边缘在连接物理世界与数字世界方面发挥着至关重要的作用。物理AI作为生成式AI与机器人技术交汇的核心概念，必须依靠边缘设备实现，而不仅仅依赖云计算。因此，边缘AI的错位风险需要额外审查，以避免潜在的安全隐患和歧视问题。　　全球正处于AI融入日常生活的关键阶段。2025年1月，波士顿咨询公司调查显示，75%的高管将AI列为2025年的3大战略重点。然而，尽管AI的影响力持续上升，但仅有不到三分之一的企业帮助其不到25%的员工提升了AI技能，这凸显了对相关教育和意识培养的迫切需求。　　随着边缘AI技术的不断发展，工厂正变得愈发智能化与自主化　　负责任的边缘AI　　当众多企业仍在探索AI的应用方式时，恩智浦已着眼未来，提出关键问题：如何确保AI以安全、可靠且负责任的方式运行?通过与技术、政府及商界精英的合作，使其真正落地，正是负责任AI(Responsible AI)成为焦点的关键。　　负责任的AI既不是独立的技术，也不仅仅是政策与最佳实践的集合。它深度融入技术和非技术领域，涵盖机器学习、生成式AI与语言模型、时间序列数据、计算机视觉、语音识别，以及所有类型的智能软件、传感器和硬件。AI带来的风险影响着企业与个人——负责任AI必须确保双方的平等代表性。　　边缘AI正深刻改变我们的生活方式，使家庭在日常活动场景中变得更加智能化　　因此，负责任的AI在实践中需要协同一致且全面的努力。恩智浦从边缘AI赋能的角度深入研究这一课题。作为智能边缘领域的领军企业，我们撰写了《负责任的边缘AI赋能技术》白皮书。　　该白皮书旨在帮助理解和解读欧盟《AI法案》等最新立法，深入探讨边缘AI的风险及其应对措施，同时强调SoC供应商的角色和责任。此外，文中概述了恩智浦如何通过软件与工具推动负责任AI的发展。以DMS示例为例，恩智浦正在开发Explainable AI(XAI)软件，该软件作为eIQ®工具包的一部分，可在模型训练后、部署前检测偏差，从而帮助防止歧视、确保系统稳健性，并使开发人员能够及早识别风险并理解其成因。　　边缘AI以多种方式惠及人类，包括提升自动化与生产效率、增强安全性、推动更可持续的交通，以及优化计算资源利用率。负责任的赋能技术在最大化边缘AI价值的同时，还尽可能降低潜在风险。　　恩智浦《负责任的边缘AI赋能技术》白皮书由Davis Sawyer、Wil Michiels、Jolijn Martens和Wouter van der Loop共同撰写。　　作者：Davis Sawyer恩智浦半导体AI产品市场经理　　Davis Sawyer现任恩智浦半导体AI产品市场经理，专注于软件工具以及基于i.MX微处理器的生成式AI使能解决方案。他常驻加拿大卡纳塔，同时担任边缘AI基金会“产业”工作组主席，致力于推动基于边缘AI的实际应用。此前，他参与创立了AI模型压缩初创公司Deeplite，该公司于2025年被收购。Davis热衷于打造跨学科产品，并乐于与睿智且友善的团队合作。

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发布时间：2025-07-24 15:55 阅读量：299 继续阅读>>

国内氮化镓<span style='color:red'>技术</span>迎来新突破

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国内氮化镓技术迎来新突破

　　"中国科学院微电子研究所"官微消息，中国科学院微电子研究所联合中国科学院半导体研究所、北京大学、香港科技大学、剑桥大学、武汉大学和苏州能讯高能半导体有限公司等，首次澄清了GaN异质外延中螺位错和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影响机理，构建了“双通道位错输运”模型，明确了GaN外延层中螺位错和刃位错可分别充当电子与空穴的独立传输路径，对器件漏电和动态电阻的退化产生相反的影响。　　据介绍，氮化镓基器件主要基于异质外延材料制作，由于外延衬底与GaN基外延层(如AlGaN/GaN异质结构)间严重的晶格失配和热失配，GaN基异质结构外延薄膜不可避免地存在高密度线性位错(约10⁸ cm⁻²)，远高于Si和SiC等半导体材料。螺位错、刃位错以及两者的混合位错是GaN基异质外延中最主要的位错类型，这些位错诱导的漏电与可靠性退化问题是制约GaN基电子器件向更高电压和更大功率应用拓展的关键挑战之一。图片来源：Nature Communications　　对此，上述研究团队利用课题组前期开发的深能级瞬态谱测试系统、低温光致发光、导电/电势原子力显微镜等多种先进表征方法，结合第一性原理计算，从原子层级明确了螺位错在其开核侧壁诱导形成纵向连通的超浅能级电子态，同时在位错核心区域形成电子势阱，形成贯穿外延层的“电子通道”。刃位错则在其周围诱导形成连续分布的空穴陷阱，这些陷阱与碳掺杂GaN缓冲层中的CN型缺陷耦合，形成“空穴通道”。　　研究团队在650-V级GaN基HEMT器件上进行了电学测试验证，发现即便总位错密度较低，螺位错主导的器件在高压开关应力作用下，其动态导通电阻退化幅度仍显著高于刃位错主导器件。该现象印证了螺位错易导致电子泄漏、电荷堆积与电流崩塌，而刃位错辅助的空穴再分布则有助于缓解缓冲层电子积累，从而减轻动态性能衰退。研究提示，通过外延工艺调控螺位错与刃位错的比例，有望在保持整体晶体质量的前提下，实现GaN功率器件在漏电与动态可靠性之间的最优平衡。　　该研究成果为GaN器件中的“缺陷工程”开辟了新思路，提出将位错视为可工程化的一维载流子管道，而非单纯的有害结构缺陷。该策略有望推广至其他半导体材料体系，为构建“位错电子学”理论体系奠定基础。　　相关研究成果以Dislocation-Assisted Electron and Hole Transport in GaN Epitaxial Layers为题，发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。研究工作得到国家自然科学基金等的支持。

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氮化镓

发布时间：2025-07-23 13:29 阅读量：2709 继续阅读>>

海尔 S300 智能门锁与君正 T32 芯片：<span style='color:red'>技术</span>共生的智慧安防样本

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海尔 S300 智能门锁与君正 T32 芯片：技术共生的智慧安防样本

　　海尔 S300 智能门锁作为高端安防领域的标杆产品，在技术集成与用户体验上展现出卓越优势。其标配的200万像素猫眼与 4.5 英寸全贴合大屏，可实时清晰呈现门外动态。　　生物识别方面，S300支持人脸、指纹双重生物识别，安全等级对标金融场景。同时，它还兼备密码、IC 卡、远程、临时密码、周期密码及组合验证等多元解锁方式，满足不同场景下的使用需求。其中，人脸识别模块能高效捕捉面部特征点，通过人脸镜头与AI算法的深度协同，即便在光线复杂、角度多变等场景中，也能为用户提供 “刷脸即开” 的高效解锁体验，让科技感与实用性无缝衔接。　　在核心安防性能上，S300搭载防撬、试错、低电量、逗留、胁迫五重异常告警，异常告警触发后实时上报APP通知用户。五重主动防御体系，为居家安全构筑全天候智能守护屏障。　　智能化交互层面，海尔S300实现了猫眼摄像头、门锁屏幕、手机端的实时联动监控，门外动态尽在掌握。用户可随时随地通过手机智家APP 发起实时查看，还可与门外访客双向对讲。创新的 “家门语音小灵通” 支持个性化定制，无论是天气预警、日程提醒，还是温馨留言，都能在开关门时精准传递。　　依托海尔智家APP，S300深度接入海尔智家生态，解锁智慧生活新体验。用户可随心设置 “回家 / 离家场景”，如关门后自动触发 “离家场景”，联动全屋家电完成灯光关闭、空调关闭、扫地机器人启动等操作。此外还可以根据不同家庭成员的生活习惯，量身定制个性化回家模式。当您踏入家门，灯光自动亮起，空调提前调至舒适温度，扫地机器人暂停工作，全屋家电默契配合，让每一次归家都充满专属仪式感，真正将门锁升级为贴心的 “智慧生活管家”。　　君正 T32 芯片：驱动 S300 智能化的核心引擎　　算力与算法的协同优化　　君正 T32 搭载的 1T 算力芯片可同时处理人脸识别、视频编码等多任务，配合 Magik 2.0 平台优化内存效率，实现 6M 分辨率图像在 512Mb 内存下的稳定运行。这一特性使 S300 的生物识别模块响应延迟低于 0.3 秒，满足用户 “即触即开” 的使用需求。　　图像处理的场景化升级　　新一代 ISP Tizano-v4.0 技术针对 S300 的猫眼场景进行专项优化：通过紫边去除算法提升画面纯净度，2D 降噪技术在保留细节的同时降低噪点干扰，暗区色彩矫正功能使夜间成像色彩还原度提升 25%，确保猫眼在弱光环境下仍能清晰捕捉访客特征。　　编码效率与多摄支持　　T32 的 H265+H264 编码技术在低码率场景下提升 10.7% 的主观画质评分，高动态场景压缩效率可达 39%，有效减少云端存储与网络传输压力。同时，芯片支持 MIPI 双摄输入及最大 4 摄拓展，完美兼容 S300 的猫眼与生物识别模组硬件集成，避免多模块运行时的资源冲突。　　功耗与内存的平衡设计　　通过内存架构优化，T32 使 4K 分辨率运行仅需 1G 内存，配合 AI 编码的智能降码率技术，在保障高性能的同时将门锁待机功耗降低 30%，适配长时间使用场景下的续航需求。　　海尔S300与君正T32的技术融合，展现了 “场景定义技术” 的产品逻辑：前者以用户需求为导向构建功能矩阵，后者以边缘计算能力赋予硬件 “感知 - 决策 - 执行” 的闭环能力。当3D人脸识别的精准度、猫眼监控的清晰度、全屋联动的响应速度通过芯片技术形成协同效应，智能门锁不再局限于安防工具的属性，而是成为连接智慧家居生态的关键节点，为用户提供 “安全可感知、交互更自然” 的居住体验。

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君正

发布时间：2025-07-22 11:09 阅读量：865 继续阅读>>

江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键<span style='color:red'>技术</span>

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江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术

　　随着智能手机的普及和快充技术的发展,USB Power Delivery (PD)快充和USB Type-C接口已成为现代移动设备的标配。然而,这些先进技术在带来便利的同时,也为设备的静电防护带来了新的挑战。今天,让我们深入探讨USB PD快充和Type-C接口的静电防护问题,以及如何通过精心设计来确保手机的安全充电。　　USB PD快充技术　　USB PD是一种先进的快速充电协议,能够在USB连接上提供高达100W的功率。它通过动态协商电压和电流,实现了更快、更高效的充电。　　在日常使用USB PD快充充电器时，需要频繁地热插拔。如果其内部防护措施不到位的话，不仅会导致浪涌电流通过电源线进入内部电路损坏主控芯片，而且还容易引发输出瞬间大电流，影响充电稳定和安全，甚至导致受充设备损坏。不仅如此，USB PD快充充电器和快充移动电源产品在使用中，很容易与人体或其他带静电物体产生接触，而多数产品外壳的壳料与USB端口、呼吸灯、按键的连接处并不是无缝设计，外部静电很容易通过接缝进入主板中，导致产品损坏。　　USB Type-C接口的 ESD 防护　　大多数时候，我们都带着手机、智能手表、无线耳机等，这些设备都只能通过 USB 端口充电。使用电脑时，我们经常会使用USB 移动闪存驱动器(简称 U 盘)来传输文件。在车里给手机充电时，我们会使用标准的USB 端口。USB 在我们的日常生活中无处不在，参与我们的每一次数字体验的一部分。　　Type-C接口凭借其可逆插拔和多功能性成为新一代USB标准,但其密集的引脚排列和双向性也增加了静电防护的难度。　　USB PD快充与Type-C接口静电防护方案　　01.USB PD 快充　　想要生产出一款稳定安全的USB PD快充产品，其EOS防护/ESD静电保护措施必不可少。从物料成本、研发周期、生产流程等方面考虑，越来越多的厂商选择在USB PD快充接口内置浪涌和静电保护器件。那么，USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢?　　从萨瑞微电子USB PD快充接口浪涌静电保护方案图一，电源供电口萨瑞微电子选用SES2431P4、SEU0501P1做防护，具体根据充电电压大小来选择。工作电压为5V、24V，具有低钳位、低漏电流的特点，适合大浪涌保护;DFN2020-3L、DFN1006-2L封装，减小USB PD接口安装空间;符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和±30kV(接触)标准。　　在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口静电防护中，萨瑞微电子推荐选用ESD二极管SEU0501P1，工作电压5V、峰值脉冲电流3A、DFN1006-2L封装;结电容低至0.5pF，保证高速数据信号的传输;符合IEC 61000-4-2(静电)±15kV(空气)和 ±10kV(接触)标准。　　02.Type-C接口　　保护 USB 接口不受静电放电 (ESD) 的影响十分重要。我们每天会数次在电子产品上插拔USB 数据线，在触碰或使用 USB 端口时，便可能遇到静电放电，这种情况十分常见。这些ESD 事件既可以由用户(人体)产生，也可以由数据线上存储的电荷产生。静电峰值电压可以达到数万伏，很容易损坏USB 收发器敏感的 CMOS 结构。因此，ESD防护对每个 USB 引脚都有着重要且必要的意义。　　作为最新款连接器之一的USB Type-C，在物理尺寸以及与主机和外围设备的连接方式方面，都明显不同于以前的版本。USB Type-C采用可正反插设计，总共24 个引脚，上下各 12 个引脚，支持朝上或朝下插入。　　SBU 和CC 引脚保护：由于USB Type-C 插头尺寸很小且引脚之间相隔很近，分立式单线瞬态电压抑制(TVS) 二极管非常适合保护端口免受 ESD 事件的影响。此外，分立式TVS 二极管对于电路设计师而言，可以更方便地布局和布线。参考图引脚配置，我们可以看到 CC 引脚和SBU 引脚紧挨着 VBUS 引脚。VBUS引脚最高可达 24V，所以如果发生短路，CC引脚和 SBU 引脚则会暴露在24V 的电压下。在这种情况下，TVS 二极管的最低击穿电压不低于24V 才能保护 CC 和SBU 引脚。根据 IEC 61000-4-5的要求，萨瑞微电子的SES2431P4能够承受500V浪涌电压!IEC 61000-4-2的要求，在±24kV(空气放电)和±17kV(接触放电)之间的高 ESD，并且能够保持电路正常工作!　　D+/D- 线路保护：D+/D-线路适用于 USB 2.0 接口，可以使用萨瑞微电子SEU0501P1、SEU0521P1S的进行保护。SEU0501P1属于 5V ESD，有着0.5pF 的最大结电容，采用的是DFN1006-2L超小型封装尺寸。　　推荐使用萨瑞微ESD\TVS系列　　以上是萨瑞微电子USB PD快充与Type-C接口静电防护方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。　　结论　　在追求更快充电速度和更高数据传输率的同时,我们不能忽视静电防护这一关键环节。通过精心的设计和选择合适的保护器件,我们可以在享受先进技术带来便利的同时,确保设备的可靠性和长期使用寿命。

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江西萨瑞微

发布时间：2025-07-18 13:13 阅读量：451 继续阅读>>

一文看懂川土微电子隔离器核心<span style='color:red'>技术</span>！

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一文看懂川土微电子隔离器核心技术！

　　一、Pulse-Coding调制解调技术　　所谓隔离器，类似于在一颗芯片左右两侧的微距离上实现无线射频收发系统，在这样一个收发系统里面，其实包括发射机和接收机以及隔离介质三部分。　　目前主流架构主要包括Pulse调制架构和OOK调制架构。Pulse架构和OOK调制架构的优点是低功耗、低传输延迟、高传输速率，缺点则是在有干扰信号的时候容易丢码或增加码造成传输出错，所以CMTI的能力比较差。　　于是市场上就出现了一种需求：既能满足可靠性高，还要达到低功耗。Pulse-Coding调制解调技术就是一种这样的架构。它的原理是采用边沿编码技术，对上升沿和下降沿进行编码，同时在编码结束之后，会进入休眠状态，这样的话就同时克服了抗干扰能力差和功耗低的缺点，同时还集成了一个refresh的技术，确保输入与输出在任何状态下都是一致的。这种架构的CMTI会达到200Kv/uS。　　二、增强耐压技术　　众所周知，隔离器的耐压主要是由其中间绝缘介质的材料来决定的，而现在主流的绝缘材质有三种：光耦、磁隔、容隔。光耦和磁隔所采用的绝缘介质是聚酰亚胺，容隔的绝缘介质是二氧化硅。　　下图的表格可以看到，聚酰亚胺特性大约是300伏每微米，二氧化硅的耐压大约是500伏每微米。同时由于PI也就是聚酰亚胺的制作工艺难度，一般只能做到20um左右，技术较高的话可以做到30um。　　二氧化硅的厚度可以达到10~20，乘以2的话能到20~40um，所以容隔的二氧化硅耐压特性是非常好的。　　川土微电子的隔离器采用的就是容隔这种架构。容隔还有一个优点，它一般是用两个隔离电容进行串联，耐压就是两个隔离电容耐压之和，可以起到双重保护作用。如果有一个电容出现故障，另外一个电容依旧能作用起到隔离作用。川土微电子为了实现耐压增强的技术，从四方面做了工作：　　1.工艺合作开发：川土微电子与一些工厂进行工艺合作开发，提升产品耐压。　　2.版图设计：采用圆形电容，实现更高的耐压。　　3.超强解调电路设计　　4.封装设计　　三、高CMTI技术　　所谓CMTI就是共模瞬态抗扰度，它是指在原边和副边两个地之间加入一个快速的扰动，然后看传输信号是否出错。它的关键因素是扰动幅度和斜率，幅度一般为1500v，斜率一般是用千伏每微秒的单位来衡量。川土微电子的CMTI技术包含以下三种：　　全差分发射及接收机架构技术：创新的高CMTI接收电路(专利保护)　　等效共模输入阻抗控制技术：实现接收电路共模电平在CMTI情形下仍能够正常工作　　数字滤波技术：以延迟时间或更低的传输码率兑换更优的CMTI性能　　四、低EMI技术　　由于越来越多的客户对EMI都非常关注，川土微电子针对EMI也实现了以下技术：　　抖频技术：将内部时钟频率进行展频，将频谱能量打散，将能量峰值降低。　　晶圆上使用金属屏蔽层：在裸芯的顶层铺满金属，用来屏蔽电磁干扰和电场干扰。　　Pulse-Coding技术：只在信号边沿发射编码脉冲，降低发射能量。　　高增益RX电路设计：只需较小隔离电容值，便能正常解调工作，减小共模耦合。　　容隔架构：通过电场传递信号，相比磁隔通过磁场传递信号，辐射天然较小。　　五、全集成隔离DC-DC　　全集成隔离DC-DC相当于多合一的高度集成的芯片，包括三个部分：隔离电源模组、数字隔离器、数字隔离接口。　　这颗集高度集成三合一的产品，能够将左边三者同时集成到一颗芯片里面，可以看到上图右侧，就是这颗芯片的内部结构示意图，芯片内部有平面变压器、隔离器以及接口多颗裸芯合封在一起，将全集成的隔离器芯片的封装尺寸做到业界最小，装在一颗SOW16封装里。同时转化效率达到了53%，这在业界也是非常高的一个指标。　　以上，就是川土微电子隔离器的一些核心技术。目前川土微电子的隔离器产品已经广泛应用于工业控制、电源能源、仪器仪表、消费电子、汽车电子等多个领域，未来，川土微电子将持续新品研发，以满足不同客户需求。

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川土微

发布时间：2025-07-17 15:26 阅读量：288 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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