<span style='color:red'>上海贝岭</span> BLQ3N120 功率芯片荣登 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单
  近日,中国汽车工业协会公示 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单,上海贝岭自主研发的车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120 成功入选。该活动经多方严格评审,从众多产品中筛选优质芯片,BLQ3N120 的入选彰显其技术领先性与产业适配性。  此次入选不仅是对上海贝岭技术实力的认可,更是发展动力。未来公司将加大研发投入,推出更多创新产品,助力汽车电子产品供应丰富与提升!  产品特性  上海贝岭推出的车规级特高压平面硅基MOSFET BLQ3N120,采用先进的晶胞结构,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量,在确保车规级品质的情况下,耐压可做到1200V。主要特点有:高击穿电压、低导通电阻、低阈值电压VTH、高结温等,填补了国内车规级、特高压平面MOSFET市场领域的空白。  优势特征&参数  • VDS:1200V  • ID:3A  • RDS(ON):5Ω  • IDSS:200nA(@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃)  • VGS(TH):3V ~ 5V  • Fast Switching  • Low Crss  • 100% avalanche tested  • AEC-Q101 qualified  典型应用  基于车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120特性,其可应用于新能源汽车电池管理系统(BMS)的总压检测、绝缘检测、粘连检测、主驱/PTC等的辅助电源、主动泄放电子开关等。  比如,在BMS“三大检测”(总压检测、绝缘检测、粘连检测)采样通道通断控制应用中,早期解决方案是干簧管或光MOS,但其成本高。而BLQ3N120因具备耐压高、关断漏电流小、成本低等特点,可以替换干簧管或光MOS,完全胜任BMS“三大检测”通道通断控制需求,而且还具有成本更低的优势!  MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”检测中的应用  再比如,在主驱等反激辅助电源应用中,BLQ3N120因具备耐压高、开关频率高等特点,还可以用作电子开关管。
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发布时间:2025-12-10 16:07 阅读量:437 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获“金辑奖2025最佳技术实践应用奖”
  2025年10月30日,由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120,荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”,公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。  “金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级,本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题,重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品,正是这一理念的杰出代表。  产品型号:BLQ3N100E/BLQ3N120  工艺类型节点:0.35μm MOS工艺  封装信息:TO252/TO263  车规认证等级:AEC-Q101  应用领域:汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等  上车情况:国内多家主流主机厂、Tire1  产品亮点:硅基N沟道增强型MOSFETs,耐压分别高达1000V/1200V,采用先进的MOSFET技术,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。  产品简介:本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品,凭借其先进的半导体工艺和结构优化,在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行,结合紧凑封装设计,为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。  技术参数:BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻,结合27nC的栅极电荷优化,在高压场景中显著降低导通与开关损耗;  BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础,通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构,兼顾高频开关效率与抗静电能力。  两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证,支持-55℃至150℃结温范围。  以技术实践,推动产业前行  此次获奖,不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定,也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来,上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道,以更多“芯”力量,助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。
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发布时间:2025-11-07 11:46 阅读量:618 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获2025中国工博会集成电路创新成果奖
  在近日公布的2025年中国国际工业博览会“集成电路创新成果奖”评选中,上海贝岭股份有限公司凭借应用于智能插座、充电桩、智能家电等的物联网计量芯片BL0937 / BL0937B / BL0939 / BL0942 / BL0910 / BL0972 / BL0973系列产品成功上榜,荣获“设计与EDA/IP类”大奖,上海贝岭股份有限公司总经理闫世锋代表公司上台领奖。  中国国际工业博览会是国家级工业盛会,本届首次设立集成电路展区,旨在评选并表彰行业年度创新成果。此次获奖,是行业对上海贝岭技术实力的高度认可,上海贝岭将继续坚持创新,着力攻克核心技术,不断增强企业竞争力,朝着“致力于成为中国一流的集成电路产品和应用方案供应商”的愿景不断努力。  贝岭的电能计量芯片已经有30多年的丰富设计经验,有深厚的技术累积。2018年以前主要专注于国网和南网的家用电表统一招标市场,2018年后开始为更好满足非电表类的物联网应用需求开发出一系列产品。  贝岭的BL09XX系列物联网计量产品专为物联网应用开发,既传承了电表计量的高可靠性和高稳定性,又面向非电表应用,如智能插座、充电桩、智能家电等,定制了多种针对性的专用功能:  免校准:上海贝岭创新的OTP免校准技术,可保证芯片出厂精度在1%以内,加上外围1%精度的采样电阻(市场常用规格),可保证整机精度在不校准的情况下达到2%(家用电表国家标准)  快速过流保护:内置电流快速有效值寄存器,同时配备中断输出口,在电流异常时最短可在20ms输出中断,MCU收到中断信号后切断继电器,对负载进行保护  漏电监测:BL0939其中一个电流通道可做漏电监测,与传统模拟漏保芯片相比,漏电阈值可调,同时可保留漏电数据  负载类型分析:内置电流波形寄存器,可输出波形数据用于负载类型分析  地址片选:UART口带地址片选,多颗计量芯片可级联在同一UART总线上,节省MCU资源及整机成本  小电流精度:BL09XX系列产品(0937B除外)在检测50mA以下小电流时仍能保持10%以内的高精度,在同类产品中性能领先  智能插座应用框图  充电桩应用框图  产品型号推荐  贝岭BL09XX系列物联网计量产品凭借其卓越的性能与可靠性,在智能插座、充电桩等物联网应用领域获得了广泛应用。该系列产品长期为国内各行业头部企业稳定供货,已成为众多客户的优先选择,并赢得了广泛的行业认可与良好口碑。
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发布时间:2025-10-14 10:13 阅读量:681 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>高精度BL108X系列产品荣获年度创新技术产品奖
  7月24日,由国际电子商情携手深圳市新一代信息通信产业集群联合主办的 2025 第六届国际AI+IoT生态发展大会在深圳科兴科学园国际会议中心隆重举办。同时,2025国际AIoT生态发展大会主峰会上还颁发了“2025年度AIoT创新奖”。在本次大会上,上海贝岭携自主开发的高精度SAR ADC产品BL108X系列,斩获年度创新技术产品奖。  上海贝岭数据转换器事业部从2009年成立,已超过16年的研发历程,在Pipeline、SAR、Sigma-Delta三类架构ADC芯片研发中具有丰富的经验,精度从12位-24位,速率从1KS/s-3GS/s,涵盖范围比较广,针对不同应用场景提供各类专业的解决方案。上海贝岭拥有完善的质量管控体系,BL108X ADC产品系列兼顾高可靠性与高稳定性,已成功应用于电力领域等关键基础设施。此次获奖不仅是对上海贝岭技术创新能力的充分肯定,更是展现了国产高精度ADC芯片在关键技术领域的应用成果!  展会现场  上海贝岭开发的高精度SAR ADC产品BL108X系列具有高精度、多通道、高采样速率、零转换延迟的特点,涵盖了1~16通道、16~18位分辨率、100KS/s~1MS/s采样速率,可提供QFN、QFP、TSSOP等多种封装形式。该产品广泛应用于工业自动化、智能电网、轨道交通等领域。  技术创新性  使用薄膜电阻工艺  采用分段级联大摆幅信号量化架构及分段级联低噪声信号量化电路  开发多通道模拟信号动态非线性优化方法及电容失配静态非线性的数字校准算法  引入repeat,dither等降噪技术  开发针对变温环境下的温度补偿技术  BL108X系列SAR ADC芯片产品规格
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发布时间:2025-08-04 16:36 阅读量:1089 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获2025中国创新IC-强芯优秀芯擎奖
  近日,由中国集成电路设计创新联盟、国家“芯火”双创基地(平台)联合主办,国家集成电路设计产业化基地、北京市半导体行业协会以及上海市集成电路行业协会等多单位协办的第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展在苏州金鸡湖国际会议中心开幕。本次大会云集行业领袖、顶尖学者及产业链上下游企业代表,共商新形势下国产芯片技术突破、创新应用与生态合作大计。  同期,由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼于7月11日晚隆重举行,现场公布了“2025中国创新IC-强芯评选”的获奖企业。·本次评选活动设潜力新秀奖、创新应用奖、优秀芯擎奖、强芯领航奖、生态贡献奖五大奖项。上海贝岭凭借车规级发动机点火IGBT BLG3040,从本次参与评选的众多产品中脱颖而出,荣膺本届ICDIA 2025中国创新IC-强芯评选优秀芯擎奖。  图1 2025中国创新IC-强芯评选颁奖典礼现场  图2 上海贝岭所获2025中国创新IC-强芯优秀芯擎奖  上海贝岭是国内早期布局汽车发动机点火IGBT研发的企业,整体方案成熟、多样。如图3所示,在预驱上,上海贝岭可以提供分立、集成等方案;在核心功率器件IGBT上,上海贝岭可以提供5个系列可供选择,适用于汽车、摩托车发动机ECU及点火线圈等多种客户应用。  另外,在发动机点火系统上,除了发动机点火IGBT,上海贝岭还可以提供预驱、比较器、基准源、LDO等产品,并持续开展相关产品的系列化。  图3 上海贝岭发动机点火系统电路示意图
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发布时间:2025-07-22 16:42 阅读量:1306 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖
  近日,国内半导体汽车电子领域迎来两场展会——第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)与2025全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展。  作为行业领先的集成电路供应商,上海贝岭股份有限公司携多款汽车电子创新产品及解决方案重磅亮相。展会现场,上海贝岭的技术专家与行业客户及合作伙伴深入交流,展台吸引了众多观众驻足观看交流。展会期间,上海贝岭凭借BLQN3N100/3N120产品的卓越表现,在AEIF 2025展会上荣获中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合颁发的“卓越产品奖”。凭借上海贝岭在汽车电子应用领域卓越的市场表现,在GAPS2025展会斩获“车规级功率半导体杰出供应商”奖。  如下图,上海贝岭车规级特高压MOS BLQN3N100/3N120可应用于BMS的总压检测、绝缘检测、粘连检测等三大检测,替换传统方案中的光MOS,实现降本,为客户创造价值。  如下图,上海贝岭车规级特高压MOS BLQN3N100/3N120还可应用于新能源汽车主驱辅电、空调辅电等电路,用作反激开关电路电子开关。耐压高达1000V或1200V,无需用两个MOS管串联、或避开选用SIC MOS,从而实现降本。  另外,在BMS、辅助电源等应用中,除了车规级特高压MOS以外,还有如下车规级产品可供客户选择。  在车规级、特高压MOS领域,上海贝岭将持续深耕、探索,全力为客户提供高可靠、高匹配、高性价比物料方案,用勤劳、智慧笃定践行贝岭人“用‘芯’创造美好生活”的使命!
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发布时间:2025-06-05 09:29 阅读量:1322 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>车规功率器件亮相新能源汽车展,助力行业降本增效斩获“智链奖”
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发布时间:2025-03-05 09:19 阅读量:929 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获上海证券报2024年“金质量”科技创新奖
<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项
  11月5日,上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加由全球技术信息集团 ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。会议中,上海贝岭工业市场经理冒晶晶进行了 “功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了交流学习。  此次会议中,上海贝岭凭借第7代750V 275A 沟槽栅场阻止结构IGBT芯片(BLQG275T75F)荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。  BELLING  产品推荐  BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台,具有正向压降小、开关速度快,开关损耗低、高可靠性等特点。采用第七代微沟槽栅技术,优化了导通压降和开关损耗,实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术,改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术,实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。  该芯片完成全面的车规认证,特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计,主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布,优化正温度系数,使得该芯片易于并联使用,保证了产品的易拓展性,可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。  应用:以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器,适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器,适合A级纯电动及混合动力汽车。
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发布时间:2024-11-11 16:48 阅读量:1144 继续阅读>>

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