捷捷微电推出“新一代100V P沟道SGT MOSFET”

发布时间：2022-08-02 14:28
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：4804

捷捷微电推出“新一代100V P沟道SGT MOSFET”

　　捷捷微电推出新一代100V P沟道SGT MOSFET, 比起上一代设计，FOM性能改善20%，实现国际知名。先进PDFN3x3-8L及PDFN5x6-8L薄型封装，比传统SOP-8L及DPAK封装，面积缩小64%及48%，高度降低45%及55%，极为适合紧凑型终端设计。同时，PDFN5x6-8L的引脚具低应力且长达0.275mm.极大程度地改善自动光学检测(AOI)印刷电路板组装(PCBA)的焊点良率,进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。

　　100V P沟道MOSFET的驱动电路相比N沟道MOSFET更加简单，满足超性能运算(HPC) 、工业5.0(IE)、车载电子(Autonomous Driving System, ADS)后装市场的高端负载、防反接电路、电池反向保护、B/BLDC 电机驱动、DC-DC降压转换的高边开关等应用对系统长期稳定运作,陝窄应用空间、及减少电路关键故障点的不断需求。

　　新一代P沟道JPFET性能达国际知名水平。其中JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封装，在Vas=10V条件下，器件的RosOM.JD及FOM测量值分别低达38mQ / 760，均为国际知名水平。此外，一流的线性模式/安全工作区(SOA) 特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助于提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。

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捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布
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捷捷微电丨中速隔离通讯晶体管光耦JOCT357Xk以及150V耐压晶体管光耦JOCT358发布

　　导言　　基于自研低 HFE 芯片的中速晶体管光耦新品 JOCT357Xk(JOCT357Xk-M4 系列)，SOP4 封装、3750Vrms 隔离电压、CTR 范围80%~600%，与通用晶体管光耦 357 系列引脚兼容、支持直接 pin-to-pin 替换。实测开关响应时间仅为常规晶体管光耦的 1/2~1/4，tr、tf、ton、toff 开关速度提升 2~4.3 倍。面向家电、智能电表、工业通讯等对速度与成本敏感的大批量应用;同期推出 150V 耐压晶体管光耦 JOCT358X-M4 系列，重点面向储能 BMS 市场。　　在常规低中速隔离通讯电路设计中，817、1019、357 这类晶体管输出型光耦用于信号通讯时存在突出的固有带宽瓶颈，有效传输速率大多仅为数 kbps;一旦波特率提升，容易出现边沿畸变、信号延迟时间变长等问题，影响数字通讯与脉冲采集的可靠性。　　选用高速通讯方案，器件成本往往高出数倍，对于成本敏感的整机项目来说并不划算。　　JOCT357Xk 基于晶体管架构开发，兼顾成本与通讯速率需求，是一款可靠的中速通讯光耦,能够直接兼容替换现有常规晶体管光耦的中速隔离方案。　　产品定位场景：家电、电表、工业通讯等领域，覆盖脉冲计量输出、RS-232、RS-485 、CAN通讯口隔离、接口隔离等需求。　　封装为 SOP4，它是一款中速晶体管光耦，典型条件下可实现 30kbps 信号传输速率;速度性能来自芯片级设计，无需依赖外部增加加速电阻来改善时序。　　按下图响应时间测试电路对常规 JOCT357X-M4与中速 JOCT357Xk-M4进行了同条件对比测试，上拉电阻 RL 分别取 100Ω 与 10kΩ，每个型号各测 3 个样品，测试电路如下:　　结论：无论是轻负载 RL=100Ω，还是常规上拉 RL=10kΩ 应用条件下，JOCT357Xk-M4 各项开关时序参数 tr、tf、ton、toff 仅为常规 357 光耦的 1/2-1/4，开关速度实现 2-4.3 倍提升;样品 CTR 均值约 224%，在提速的同时没有牺牲输出驱动能力。　　常规晶体管光耦常用设计一般通过外接电阻来改善速度，但提升幅度有限，性能受CTR一致性、外围分立器件精度和温度影响。　　JOCT357Xk 的不同之处在于从芯片设计源头入手：采用自研低 HFE 光电晶体管芯片，设计保留充足的 CTR(80%~600%)，做到“快”与“能驱动”两者兼顾。　　这一方案带来的实际好处：速度更稳定(不依赖外部元件的离散性)、BOM 更简单(无需额外加速元件)、一致性更好，量产风险也更低。　　捷捷微电持续扩充晶体管光耦产品矩阵，推出JOCT358X-M4 系列 150V 光敏晶体管光耦。该系列依托 JOCT351(350V 耐压)产品平台向下开发衍生，形成完整电压梯度：覆盖 350V、150V(JOCT358x)、80V、40V 多档耐压规格，满足不同系统侧电压设计需求。　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。光耦产品覆盖晶体管光耦、高速光耦、驱动光耦、线性光耦、可控硅光耦、MOS输出光耦以及车规级和工业级光耦系列，广泛应用于工业自动化、汽车电子、光储系统、开关电源、消费电子等场景，为客户提供高性能隔离器件及配套技术支持。
2026-10-08 16:42 阅读量：330
捷捷微电在风电变桨领域的模块方案推荐
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捷捷微电在风电变桨领域的模块方案推荐

　　导言　　随着全球能源结构加速向绿色低碳转型，风电装机容量持续攀升。变桨系统作为风力发电机组的核心执行机构，直接关系到机组的功率调节能力与安全停机保障。在这一系统中，功率模块承担着电能变换与电机驱动的关键任务——从电网侧的电能整流，到直流母线的能量管理，再到驱动变桨电机的逆变输出，每一环节都对功率器件的可靠性、效率与耐久性提出了严苛要求。　　捷捷微电作为国内领先的功率半导体IDM企业，依托从芯片设计、制造到封装测试的全链条能力，面向风电变桨应用构建了涵盖半控整流模块、IGBT逆变模块及整流+制动一体化模块的系统级功率解决方案，以高性能、高可靠的国产功率器件助力风电装备降本增效与自主可控。01应用电路分析　　风电变桨驱动系统通常采用“交-直-交”功率变换架构，其核心电路由以下几个功能模块级联构成。　　前端整流环节——半控整流回路　　变桨驱动器从电网取电后，首先经过EMC滤波电抗器，进入半控整流回路。典型的半控整流拓扑为三相整流电路，每一相由一个晶闸管与一个二极管串联组成。　　相较于全控整流方案，半控整流在变桨应用中具有独特的工程价值：上电时，晶闸管通过跟踪锁相电网相位逐步放大导通角，实现平稳的软启动过程，避免了对直流母线电容的电流冲击。根据变桨系统的功率等级和母线电压需求，半控整流模块可分为一级方案(输出至公共母线电压约560V)和两级方案(含LLC谐振或BUCK降压拓扑，母线电压320V~480V)，为不同机型提供灵活的电压适配能力。　　直流母线与储能环节　　整流输出连接驱动器直流母线，超级电容模组通过带有继电器的电路与母线并联，形成后备电源系统。当电网掉电时，超级电容模组作为备用电源为直流母线供电，确保逆变回路能够驱动变桨电机完成顺桨操作。此外，系统还配置预充电电路，通过二极管与限流电阻对母线电容进行预充电，待电容充满后再断开预充电电路，进一步保障上电安全。　　逆变输出环节——IGBT三相逆变回路　　直流母线的电能经三相逆变电路转换为频率和电压可调的交流电，驱动变桨电机控制桨叶的桨距角。逆变回路每一相由两个绝缘栅双极晶体管串联构成，形成标准的三相全桥拓扑。在实际工程中，半控整流回路与制动电路可集成封装于同一模块中，而逆变回路则采用6单元IGBT模块方案，实现紧凑化设计。　　整个电路架构中，功率模块需要在电网波动、电机发电回馈、超级电容充放电切换等多种工况下稳定工作，这对模块的电气性能、热管理和长期可靠性构成了系统性挑战。02风电行业应用要求　　风电变桨应用环境的特殊性，决定了功率模块必须满足远高于一般工业变频器的技术标准。　　宽温域与高结温耐受能力　　风电机组广泛部署于高原、荒漠、海上等极端环境，机舱内温度波动剧烈。变桨功率模块的IGBT结温循环测试需覆盖-40℃至+125℃的宽温范围，工作结温上限通常可达150℃甚至175℃。模块需在此温度范围内保持稳定的开关特性和导通性能，这对芯片设计和封装散热提出了极高要求。　　高可靠性寿命　　风电设备的设计寿命普遍在20年以上，要求变桨驱动系统的平均无故障时间(MTBF)不低于100,000小时。功率模块作为系统中失效率较高的关键器件，其功率循环寿命和温度循环寿命直接决定了整机的维护周期和运维成本。　　抗震动与机械强度　　风机运行中持续承受风载引起的低频振动与塔筒传导的机械冲击，变桨功率模块需具备优异的抗振动性能，通常要求承受10g加速度(10~2000Hz频率范围)的振动考验。　　高浪涌与短路耐受能力　　电网侧雷击浪涌、电机侧短路故障等异常工况要求功率模块具备强大的浪涌电流承受能力和短路耐受时间(通常需达到10μs以上)，以确保在故障条件下不失效、不失控。　　电气绝缘与安全裕量　　变桨系统的直流母线电压通常在560V至800V区间，考虑电网过压和开关尖峰，功率模块的耐压等级需具备充分的电压裕量。同时，模块封装需满足UL 94V-0绝缘等级要求，确保在高湿、盐雾等恶劣环境下的长期绝缘可靠性。03捷捷模块产品优势　　针对上述行业要求，捷捷微电围绕风电变桨应用场景，从芯片、封装到系统适配进行了系统性的产品优化，形成了以下核心优势：　　1　　半控整流模块　　高浪涌、低损耗的整流前端方案　　捷捷微电可控硅+二极管模块(半控桥式晶闸管整流模块)内部封装可控硅芯片与整流二极管芯片，芯片采用了平面制成工艺，相较于传统的台面工艺芯片，极大程度上优化了雪崩能力，可以更好的应对雷击和浪涌工况。　　在关键参数上，以JMT250KH16T2型号为例，其不重复浪涌电流能力高达8300A，实际通态峰值电压低至1.2V，可有效应对电网侧浪涌冲击并降低整流损耗。模块采用高热导率DBC绝缘材料与真空焊接工艺，确保优异的散热效率与长期机械可靠性。　　2　　IGBT逆变模块　　沟槽场截止技术驱动高效逆变　　捷捷微电IGBT模块采用沟槽场截止型(Trench Field Stop)芯片技术，配合软恢复快速续流二极管，在低饱和压降与低开关损耗之间取得极佳平衡。针对变桨电机驱动的实际工况，模块支持2kHz~16kHz的开关频率范围，实测温升与干扰水平对标国际主流产品，且具备更强的过载与短路耐受能力。如下图所示，目前捷捷IGBT芯片处于G1~G2阶段，其具备自主知识产权的Easy Tech技术，损耗明显优于国际主流竞品。　　捷捷微电IGBT产品的结温耐受能力可达175℃，为变桨系统在机舱高温环境下的长期满载运行提供了充分的温度裕量。以JMG200TF12P3S1(6单元IGBT逆变模块)为例，相较于其他竞品，在相同输出功率工况下器件温升下降3~5℃，显著提升了整机效率和热可靠性。模块内部低电感设计可有效抑制关断电压尖峰，降低dv/dt，减轻电磁干扰，有助于变桨驱动器通过严格的EMC认证。　　3　　全拓扑模块矩阵　　灵活适配多样化变桨架构　　捷捷微电构建了涵盖PIM模块、六单元逆变模块、半桥模块、整流桥模块及半控整流+制动一体化模块的全矩阵产品体系，并可根据客户需求定制引脚形状和内部拓扑。　　其中，整流+制动一体化模块将三相整流桥与制动斩波器集成于单一封装，进一步节省驱动器内部空间、简化母线布局，消除整流与制动回路之间的寄生电感。对于追求紧凑化设计的变桨驱动器而言，该模块提供了极具吸引力的一体化前端方案。模块间支持多模块并联，便于功率扩展与维护，为标准化的变桨平台开发提供了灵活的扩展路径。　　4　　IDM全链条制造　　从芯片到封装的品质保障　　捷捷微电是集芯片研发、制造、封测和销售为一体的功率半导体IDM企业，拥有自主可控的芯片设计和制造能力。公司已通过IATF16949汽车行业质量体系认证，产品良率稳定保持在95%以上，其工艺平台覆盖超高压、车载及先进工业控制等应用场景，技术与产品已延伸至风力发电等新能源领域。　　在第三代半导体方面，公司已布局SiC和GaN器件的研发，为未来变桨系统向更高效率、更高功率密度方向演进储备了技术能力。对于风电客户而言，选择捷捷微电意味着获得了从功率芯片到模块封装的全链路质量管控和稳定的国产供应保障，在行业国产化替代加速的背景下具有重要的供应链战略价值。04风电应用产品推荐　　风电变桨系统的功率模块选型，本质上是效率、可靠性与全生命周期成本之间的综合权衡。捷捷微电以半控整流模块、IGBT逆变模块及一体化功率模块构成的风电变桨功率解决方案，在浪涌耐受、温升控制、宽温域适应性和封装集成度等维度均展现出与国际主流产品对标的能力，同时在本地化技术支持、定制化服务和供应链响应速度上具备显著优势，产品已在不同风电客户处实现批量供货。
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