什么是二极管的微变等效电路-Ameya360 electronic components purchasing network

什么是二极管的微变等效电路

Release time：2022-08-15

author：Ameya360

source：网络

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微变等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后，未被代替的部分电压和电流均不发生变化，也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外的电路。

微变等效电路的特点：

① 微变等效电路的对象只对变化量。因此，NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。

② 微变等效电路是在正确的Q点上得到的，如Q点设置错误，即Q点选在饱和区或截止区时，等效电路无意义。

③ 不能用微变等效电路求静态工作点。

④ 微变等效电路中的电压和电流全部用交流量的有效值表示，电压和电流的方向按网络的定义方向，不要随意改变。

什么是二极管的微变等效电路

二极管的微变等效电路

如果二极管上只有直流，那么对于这个直流的伏安特性就是其常见伏安特性曲线。如果在这个直流上在叠加个小的交流，对这个小的交流信号，电压和电流是啥关系呢?或者说针对这个交流信号来说，二极管等效成什么电路，这就是其微变等效电路。当然，对于这个交流信号，二极管等效成一个电阻，这个电阻和直流也有关系

理想二极管等效电路

在电路中，若二极管导通时的正向压降远小于和它串联元件的电压，二极管截止时反向电流远小于与之并联元件的电流，那么可以忽略管子的正向压降和反向电流把二极管理想化为一个开关，当外加正向电压时，二极管导通，正向压降为0，相当于开关闭合，当外加反向电压时，二极管截止，反向电流为0，相当于开关断开，理想二极管的等效电路如图4-4。利用理想二极管表示实际二极管进行电路的分析和计算可以得出比较满意的结果，但稍有一些误差。

什么是二极管的微变等效电路

光电二极管等效电路

图2 中I sc 为光电流;Rd 为二极管内阻;Cd 为二级管结电容;I ns 为二级管的散粒噪声电流;I nd为二极管内阻的热噪声电流。

应用二极管的微变等效电路条件

理想模型适用于电源电压远大于二极管压降时;恒压降模型用于流过二极管的电流大于等于1ma时;折线模型用于二极管2端的电压介于0.5V-0.7V时;小信号模型用于加在二极管2端的信号为小信号时，即波动范围小则应用二极管的微变等效电路。

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行业新闻

TVS二极管和齐纳二极管的区别

　　TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管和齐纳二极管都具有在施加反向电压后，在某一电压下击穿、钳制电压的特性。本应用笔记将对 TVS 二极管和齐纳二极管的区别予以说明。I-V 特性上的使用范围区别Figure 1 是齐纳二极管的 I-V 特性，Figure 2 是 TVS 二极管的 I-V 特性。这两个二极管都利用了反方向特性这一点，但是齐纳二极管主要用于稳压用途，所以设计成在 1mA 到 40mA 这样的小电流区域电压稳定，不能流过大电流(Figure 1 的阴影部分)。在击穿区域内施加指定的小电流 IZ 时，二极管两端电压值被规定为齐纳电压 VZ。齐纳二极管通常在使用时处于击穿状态。　　对于 TVS 二极管，为了不妨碍保护电路的驱动电压，通常使用在切断电压 VRWM 以下电压范围内(Figure 2 右侧的阴影部分)。然后，施加浪涌等过电压时会击穿、流过数 A 到数十 A 的电流(左侧的阴影部分)。由于通常情况下不可以击穿，因此规定了绝对不会引起击穿的电压最大值即截至电压 VRWM 和击穿电压 VBR 两种。　　由于击穿电压 VBR 与齐纳电压 VZ 一样使用小电流进行测量，因此与实际应用条件下的雪崩电压不同。因此，将流过大电流时的最大击穿电压规定为钳位电压 VCL。Datasheet 上参数定义的区别TVS 二极管和齐纳二极管的 datasheet 上规定的差异如 Table 1 所示。在前面中也说明过，由于齐纳二极管主要用于稳压用途，所以只规定了小电流域的齐纳电压 VZ。与此相对，TVS 二极管有着小电流区域的击穿电压 VBR、截至电压 VRWM、高电流区域的钳位电压 VCL3 个参数的区分。只有 TVS 二极管会有表示在特定浪涌波形中能承受的最大浪涌功率的峰值脉冲功率 PPP 和表示最大浪涌电流的峰值脉冲电流 IPP 的定义。仅有 TVS 二极管有 ESD 对策用的 ESD 耐量的规定。对于端子间电容，在通信线路中使用时，需要选择数据波形不会被电容影响而钝化的端子间电容值，因此仅 TVS 二极管有该项规定。如上所述，齐纳二极管主要用于稳压，因此 datasheet 上的参数定义主要是齐纳电压等，项目较少。而 TVS 二极管的目的是保护其他设备不受浪涌的影响，所以电压的参数定义比较广泛，还规定了 ESD 耐量和端子间容量等重要项目。

2025-07-10 15:01 reading：637

model	brand	Quote
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

model

brand

Quote

ROHM Semiconductor

onsemi

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

model	brand	To snap up
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

model

brand

To snap up

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

STMicroelectronics