技术干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能
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技术干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能

　　在消费、工业和建筑自动化市场，制造商面临持续压力，需要增加新功能、加强安全功能或提升用户体验，同时不增加系统成本或重新设计核心电子设备。但升级现有系统往往会引发元件更换、更紧张的电路板空间限制或新的电源管理挑战。对许多工程师来说，即使是像安全联锁、电机控制辅助功能或基本感测任务这样的小幅功能添加，也可能需要更昂贵的MCU或额外的外部组件。这些权衡减缓了开发速度，提高了物料清单成本，并使在成本敏感市场中维持竞争性定价变得更加困难。　　这正是RA0E3设计要填补的空白。作为瑞萨RA系列中最具成本效益的32位Arm® Cortex-M23® MCU，它为工程师提供了一种无需重新修改主设计即可扩展系统功能的简单方式。凭借宽广的1.6V至5.5V工作区间、±1%高精度片上振荡器、低功耗架构以及最高可达125°C工作温度的稳健运行，RA0E3无需外部振荡器、电压移位器或额外的散热考虑。无论是作为子MCU来分担安全关键任务，还是添加新的辅助功能，它都帮助团队提升产品性能，同时保持设计紧凑、高效和成本优化。　　随着终端产品的更新和用户期望的提升，这些挑战变得越来越普遍。工程师们越来越需要一种直接且可靠的方式来引入新功能，而无需增加物料成本或重新设计架构。考虑到这些背景，我们来看看RA0E3如何帮助制造商在不增加成本的情况下扩展系统性能。　　RA0E3有什么独特之处?　　基于这种简单且经济的扩展需求，RA0E3以能力、效率和设计灵活性的结合脱颖而出。它专为成本敏感设计而开发，这些设计仍要求在宽电压和宽温度范围内保持可靠运行，采用流线型架构、适度内存和精心挑选的外设实现这一目标。　　通过在极小空间内结合精确的片上时序、5V系统兼容性和低功耗模式，RA0E3使工程师能够灵活添加此前需要更大、更昂贵MCU才能实现的子功能或辅助控制逻辑。这种在简洁性与性能之间的平衡使其在大批量家电、紧凑型工业设备和小型消费电子产品中展现出独特的实用性。　　尽管是RA系列中最实惠的MCU，RA0E3依然提供了强大且可靠的性能，适合广泛应用。　　作为子微控制器的完美契合　　RA0E3最大的优势之一是其在支持主处理器时的可靠性。　　考虑家庭电器，比如食品处理器或厨房搅拌机。这些装置通常配备安全锁机制，除非所有部件都牢固组装，否则无法正常工作。许多设计不再让主处理器承担这一安全功能管理，而是将其分包给专用的子微控制器。　　这正是RA0E3的出色之处：　　在5V系统中无缝运行，无需额外元件　　即使在意外高温条件下也能保持稳定工作　　增加安全或辅助功能，同时不增加系统复杂度　　扩展功能而不重新设计系统　　上面的例子只是其中一个情景。在消费电子、工业设备等多种应用中，RA0E3实现了：　　低成本功能扩展　　恶劣环境中的可靠控制　　易于与现有架构整合　　对于希望提升产品而无需重新审视整个系统设计的工程师来说，RA0E3提供了高效且可靠的前进路径。
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发布时间：2026-03-17 10:01 阅读量：286 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）技术赋能快充：DMZ6012E 高压启动及 DMZ1015E 线性稳压方案
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ARK（方舟微）技术赋能快充：DMZ6012E 高压启动及 DMZ1015E 线性稳压方案

　　典型方案　　DMZ1015E-PD快充专用高压线性稳压器　　DMZ1015E 是 ARK(方舟微)自主研发的一款 100V 超高阈值耗尽型 MOSFET，采用先进的 UltraVt® 高阈值专利技术，专为 PWM IC 的宽电压范围供电设计而优化。　　该器件能够直接将高输入电压高效转换为稳定的低电压 / 电流输出，大幅简化系统电路设计，同时具备极低的静态功耗，有助于提升系统整体效率与长期运行可靠性。　　DMZ6012E-理想的高压600V启动元件　　DMZ6012E 是 ARK(方舟微)推出的 600V 高压耗尽型 MOSFET，具备低导通电阻、大通流能力以及增强型 ESD 设计，专为快充启动电路量身打造。　　该器件可有效替代传统启动电阻方案，消除静态功耗，显著提高电源转换效率并降低系统发热，从而全面提升电源系统的可靠性与稳定性。
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发布时间：2026-03-09 16:46 阅读量：265 继续阅读>>
申矽凌搭载高通新一代Snapdragon Wear™ Elite平台 打造个性化智能穿戴体验
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申矽凌搭载高通新一代Snapdragon Wear™ Elite平台 打造个性化智能穿戴体验

　　申矽凌近日宣布，公司正与高通技术公司合作，在其Snapdragon Wear™ Elite平台上实现微型化高精度温度传感。此举正值业界致力于通过新一代智能可穿戴设备实现传感领域能够更好地理解用户需求，提供主动服务，并带来高度个性化的体验。　　申矽凌传感器家族凭借其突破性的精度、极致的小型化外形尺寸和出色的可靠性，为基于新一代Snapdragon Wear Elite平台的设备提供了关键的生理和环境感知能力，助力打造更智能、更可靠的个性化医疗保健体验。　　CT7117是申矽凌在微型化高精度温度传感领域的里程碑式产品。它专为对空间和精度有极高要求的可穿戴设备和便携式设备而设计，并具有显著的核心优势：　　临床级温度测量精度：在20°C至50°C的关键生理温度范围内，其温度测量精度高达±0.1°C(最大值)。这一卓越性能使其能够满足连续体温监测、女性健康管理和发热预警等高端健康应用中对数据精度的严格要求，为算法模型提供了可靠的数据基础。　　极致微型化设计：芯片尺寸仅为0.73毫米×0.73毫米，在同等精度水平下，是市场上最小的温度传感器之一。其超小的占用空间为内部设备设计腾出了宝贵空间，尤其适用于智能手表、无线耳机、智能戒指和皮肤贴片等极其紧凑的产品形态。　　与先进平台无缝兼容：该芯片支持最低1.4V至最高5.5V的工作电压，能够与Snapdragon Wear Elite等新一代低功耗可穿戴平台实现高效、低功耗通信，从而简化系统设计。　　此外，申矽凌最近还推出了升级版温度传感器芯片CT7337，该产品在关键参数上提升了性能，支持更低的1.2V输入/输出电平，以增强低功耗兼容性，在20°C至50°C的温度范围内，精度最高可达±0.08°C(最大值)，并增强了封装可靠性，以提高量产良率。同时还支持I3C接口，进一步实现了更快、更节能的通信，并简化了系统集成。　　申矽凌董事长兼首席执行官王玉表示：“我们坚信，智能可穿戴设备的未来在于‘感知、理解和预测用户需求’。我们的传感器芯片与高通技术公司(Qualcomm Technologies)所追求的高性能、低功耗和强大的AI处理能力高度契合。精准的传感器数据是下一代主动式、个性化健康服务的基础。我们致力于推动芯片层面的创新，帮助我们的客户打造出更懂用户、更值得信赖的智能可穿戴设备。”　　此次合作不仅是硬件层面的升级，更是推动申矽凌产品向主动式、情境化智能服务转型的核心动力。申矽凌期待与高通技术公司携手，进一步推动智能可穿戴行业的发展，实现更高的智能化、专业化和个性化。　　上海申矽凌微电子科技股份有限公司是一家专注于高性能传感器芯片以及混合信号芯片的半导体设计公司。自2015年成立以来，公司已成功研发并量产300多款具有完全自主知识产权、富有竞争力的产品。产品涵盖温湿度传感器、环境光传感器、数模转换、数字接口以及安全芯片等多个品类，可广泛应用于工业、汽车、通讯以及消费电子等领域。
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发布时间：2026-03-05 15:21 阅读量：297 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例
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ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：
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发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：352 继续阅读>>
线径更大，连接更稳｜泰科电子TE SOL<span style='color:red'>AR</span>LOK PV5 光伏连接器新品核心解读
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线径更大，连接更稳｜泰科电子TE SOLARLOK PV5 光伏连接器新品核心解读

　　在光伏电站的生命周期里，每一个细节都在为“降本增效”的目标服务。TE Connectivity(以下简称“TE”)近期正式推出的 SOLARLOK PV5 大线径光伏连接器并非一次简单的迭代，而是精准响应行业高功率、大电流、高效率发展趋势的针对性解决方案。　　此次新品的核心升级，在于 “更大线径” 的设计，TE 的 SOLARLOK PV5 光伏连接器提供了10 mm2 (8 AWG)和16 mm2 (6 AWG)的线径尺寸选择。　　看似简单的物理变化，却直接解决了当前电站设计中的几个关键挑战：　　应“需”而生　　随着单块组件功率的不断提升，组串汇流处的电流载流量正逐步升高，原有的连接方案可能面临瓶颈。SOLARLOK PV5 光伏连接器更大的线径设计，在组串汇流连接场景中能够提供更可靠、更便捷的快速连接。　　顺“势”而为　　更高的电流承载能力，已是行业明确的发展趋势。SOLARLOK PV5 光伏连接器使电站从设计阶段即可提前为未来的更高功率需求做好准备，为电站的长期可靠性与后期扩容提供基础。　　“省”于细节　　在汇流箱或分支连接处，SOLARLOK PV5 光伏连接器可以直接与现有的 SOLARLOK PV4-S 等小线径光伏连接器进行对插连接，直接省去了一根跳线。这不仅简化了安装，降低了物料成本，更减少了系统中的潜在故障点，提升了整体可靠性。　　FAQ　　SOLARLOK PV5 光伏连接器推出后，TE 收到了全球各地客户的积极问询，我们汇集了第一手常见问题，为大家提供官方详细解答：　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器的 UL 测试温度是多少?　　答　　行业常规的 UL 测试在25°C标准环境下进行。而 TE 的 SOLARLOK PV5 光伏连接器的UL 6703 认证，选择在55°C的严苛环境下完成。这确保光伏连接器在更接近实际工况(如设备内部升温、炎热气候等)的条件下，依然能提供稳定可靠的性能，为电站的长期安全运行，提供超出标准的额外保障。　　问　　除了标准的 IEC 和 UL 要求外，TE 还对 SOLARLOK PV5 光伏连接器进行了哪些额外测试?　　答　　我们的 SOLARLOK PV5 光伏连接器超越了标准规定的要求：　　UL 热循环 (UL 6703 §35)：标准不要求带载测试;这款产品在额定电流下完成了200次循环　　IEC 热冲击 (IEC 62852 §6.3.11)：标准要求200次循环;这款产品完成了1,200次循环　　IP68 防水：标准要求在1米水深浸泡1小时;TE 对这款产品进行了24小时测试　　问　　TE 的 SOLARLOK 光伏连接器采用何种接口?　　答　　所有的 SOLARLOK 光伏连接器系列，包括 PV5、PV4-S 和 SLK 2.0，均采用标准光伏接口，确保连接平滑可靠，相互间能够直接互连互通。　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器的“蝠翼”(Manta Wings)设计有什么作用?　　答　　其特殊设计的“蝠翼”压接结构，能够均匀分布压接力道。这使得压接操作更轻松、更易到位，同时确保了压接点的电气连接更稳定、性能更高。　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器安装后是否可以解锁并重复使用?　　答　　是的，我们的 SOLARLOK PV5 光伏连接器在安装后可以解锁并与其他连接器重新配对。但是，与市场上所有其他光伏连接器一样，它不可被重新安装到另一条不同的电缆上。　　TE 的 SOLARLOK 系列光伏连接器在光伏电站的逆变器直流输入侧一直发挥关键作用。该系列产品通过严格的产品材料选择、高于行业标准的耐久性测试，以及全生命周期的性能模拟，系统性地塑造并验证了其耐用、可靠、稳定的核心性能，致力于为电站的长期安全高效运行提供基础保障。
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发布时间：2026-02-27 15:05 阅读量：360 继续阅读>>
静态电流＜20μA！<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）
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静态电流＜20μA！ARK（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）

　　01 产品简介　　ARK(方舟微)基于专利MOSovp®技术，推出AKZ16V18R、AKZ25V19R和AKZ35V20R三款高压集成稳压器(HVIR)，专为宽输入电压场景设计。该系列产品静态电流均低于20μA，集成温度补偿电路，具备优异的温度特性和高可靠性。通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，实现快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出与过压保护。　　产品提供SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)和SOT-223(1.5W)等多种封装，适配不同功率与布局需求，尤其适用于空间受限的紧凑型设计。　　02 产品特性　　▲超高耐压：全面覆盖宽电压输入场景　　· AKZ16V18R：输入电压0～180V　　· AKZ25V19R：输入电压0～190V　　· AKZ35V20R：输入电压0～200V　　▲高稳定性：输出电压波动小，具备优异的温度特性(参见图示温度曲线)。　　▲快速响应：内部集成耗尽型MOSFET，可快速箝位瞬态高压，有效抑制浪涌。　　▲高可靠性：工作温度范围-40℃至150℃，满足工业级应用要求。　　▲多封装选项：SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)、SOT-223(1.5W)，适配不同功率与散热需求。　　03 应用领域　　▲快充系统：如QC2.0/3.0/4.0、USB Type-C PD快充中为PWM IC供电。　　▲工业控制：传感器电源稳压与保护。　　▲汽车电子：车载充电器电路。　　▲光伏系统：低压辅助电源稳压。　　▲家用电器：空调、冰箱等高压电源模块的稳压设计。
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发布时间：2026-01-30 14:57 阅读量：538 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选
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ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。
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发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：468 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K方舟微丨60V耗尽型MOSFET新选择！：低压大电流场景的“效率+小型化”双解方案——DMZ0642
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ARK方舟微丨60V耗尽型MOSFET新选择！：低压大电流场景的“效率+小型化”双解方案——DMZ0642

　　1、选型推荐　　耗尽型 MOSFET 的选型，关键看 “击穿电压(BVDSX)、导通电阻(RDS(on))、饱和电流(IDSS)、封装大小” 四大维度;ARK方舟微这两款产品针对不同低压场景做了精准差异化，先看核心参数对比：　　2、产品介绍　　产品外观　　应用领域　　· 固态继电器：DMZ0642 可作为固态继电器的核心开关元件，实现电路的无触点通断控制。相比传统机械继电器，它具有响应速度快、寿命长、抗干扰能力强等优点，广泛应用于工业自动化、智能家居等领域。　　· 过压保护电路：耗尽型MOSFET典型的过压保护/稳压输出电路方案，通过选择合适的稳压二极管Vz，即可将高电压转换为稳定的低电压。　　· 启动电路：在开关电源(SMPS)中作为启动元件，为IC提供初始工作电流，启动完成后自动退出电路，系统功耗极低。　　· 电源转换器与线性稳压器：在DC-DC转换器、线性稳压器中作为功率调节元件，支持高效率电能转换。　　· 电流调节器、有源负载：在电流调节和有源负载电路中，DMZ0642能够稳定地调节电流大小，为电路提供稳定的电流输出。其良好的线性度可使负载获得稳定的电流，避免因电流波动对负载造成影响。　　· 点火模块与安全系统: 适用于汽车电子、安防设备中的高压点火、触发或保护电路。　　3、应用方案　　固态继电器(SSR)设计　　使用光驱动器和耗尽型MOSFET可用于创建常闭固态继电器。图1显示了两个外部DMZ0642(Q1/Q2)耗尽型场效应管的典型连接，它们以背对背的方式排列，形成AC/DC开关。光驱动器具有内部关断电路，因此不需要外部泄放电阻。　　过压保护电路应用方案　　图2所示为耗尽型MOSFET典型的过压保护/稳压输出电路方案，通过选择合适的稳压二极管Vz，即可将高电压转换为稳定的低电压。输出电压最大值VOUT与稳压二极管的稳压值Vz和耗尽型MOSFET的阈值电压VGS(OFF)有关，可近似为VOUT(MAX.)≈Vz + |VGS(OFF)|，其中VGS(OFF)为耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压。当输入电压低于稳压二极管的稳压值Vz时，MOSFET低阻直通，输入电压仅在耗尽型MOSFET的沟道电阻上有较小压降，当有过压信号输入时，MOSFET会将输出电压钳位至VOUT(MAX.)，其余高电压被耗尽型MOSFET的D-S承担。该电路结构简单，能有效抑制瞬态浪涌，为负载电路提供过压保护。　　4、典型参数及实测　　典型参数特性　　DMZ0642的转移特性曲线对于工程师设计电路具有重要参考价值。例如，从转移特性曲线中可以看出，在特定的栅源电压下，对应的漏源电流大小。这有助于工程师根据实际需求，精确选择合适的工作点，以实现电路的最佳性能。在电流调节器应用中，通过参考转移特性曲线，工程师可以确定在不同负载电流需求下，所需的栅源电压，从而准确调节 DMZ0642 的导通程度，实现稳定的电流调节。　　产品参数实测　　5、知识小茶馆　　耗尽型 MOSFET 的“饱和电流”　　核心定义：　　饱和电流 (IDSS) 是耗尽型MOS管最重要的一个静态参数。它是指在栅源电压VGS = 0V的条件下，当漏源电压 VDS 增大到使管子进入饱和区时，所对应的漏极电流。　　三个关键点：　　1. 测试条件 (VGS = 0V)：这是定义 IDSS 的前提。耗尽型MOS管在零栅压时是导通的，IDSS衡量的就是它在这个“自然状态”下的最大电流能力。　　2. 工作区域 (饱和区)：必须确保MOS管工作在饱和区。当 VDS 增加到一定值(饱和电压)后，漏极电流ID 将不再随 VDS 增加而显著增加，而是趋于一个稳定值，这个值就是饱和电流。　　3. 它是一个最大值：IDSS表示的是在零栅压条件下，该器件所能通过的最大电流极限。　　它的物理意义是什么?　　当 VDS 足够高时，MOS管沟道在漏极一端会出现“夹断”现象。此时，电流的大小不再由沟道的电阻决定，而是由沟道中载流子的迁移速率决定，这个速率达到了极限。因此，电流达到了“饱和”状态。对于耗尽型管，在VGS =0 时这个饱和电流的值就被定义为 IDSS。　　如何理解数据手册?　　在数据手册中，IDSS 通常会在以下条件下给出：　　· VGS = 0V　　· VDS = 一个特定的高电压(例如，对于60V的管子，这个电压可能会设为25V或其它值，以确保器件一定工作在饱和区)。　　IDSS 与其他电流参数的区别：　　· 与 Absolute Maximum Rating ID 的区别：绝对最大额定电流ID是指无论如何都不能超过的电流值，否则会永久损坏器件。IDSS 是器件的一个特性参数，它必须小于ID这个极限值。　　核心应用：　　IDSS 最主要的应用是构建简易的恒流源电路。只需将耗尽型MOS管的栅极和源极短接(强制 VGS =0V)，它就会自动将其电流限制在IDSS值附近，从而为一个负载(如LED)提供恒定电流。　　总结：　　耗尽型MOS管的饱和电流 IDSS，就是在栅源短接(VGS =0V)且漏源电压足够大的情况下，器件所能提供的最大、稳定的电流值。它是表征器件本身在零栅压时电流输出能力的核心参数。
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发布时间：2026-01-21 14:00 阅读量：545 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异
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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。
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发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：564 继续阅读>>
实现光MOS继电器国产化替代：<span style='color:red'>AR</span>K （方舟微）OP系列（下）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（下）

　　1、OP系列产品　　ARK(方舟微)依托其在耗尽型MOSFET领域多年的研发与制造积淀，开发出耐压覆盖60V至1800V的光MOS继电器系列产品。公司构建了以FORM B型为核心、FORM A型为主力的“OP系列”产品线，其卓越的性能可全面满足工业自动化与电气控制领域的多样化需求，更加能替代松下、东芝等国际大牌同类产品。以下为ARK(方舟微)光MOS继电器的典型产品，更多信息欢迎咨询。　　2、产品应用　　·电信切换　　·工业自动化　　·测试与测量设备　　·电池管理　　·高速检验设备　　·安全设备　　·机械继电器的替代　　3、典型应用　　Ø BMS的应用　　在电动汽车电池管理系统(BMS)中，光MOS继电器凭借其卓越的隔离性能，被广泛应用于锂电池模组的电压采样与漏电流检测。ARK(方舟微)推出的OPV278D光MOS继电器，具备0.1ms的快速响应与μA级的超低关态漏电流，输入输出间绝缘耐压达3750V，能为800V高压电池组与低压控制电路提供安全、可靠的电气隔离保障。该产品拥有高达1800V的耐压，是应对800V高压BMS系统隔离需求的理想解决方案。　　Ø 测试与测量设备应用　　在自动化测试设备、数据采集系统和仪器仪表中，光MOS继电器能够提供高精度信号切换以及无干扰测量能力。图4为OPY214S产品组成的开关矩阵用于PCB四探针测试机的系统框图，使用光MOS继电器作为开关，可以有效避免测试干扰，提高测试精度。该产品耐压达400V，断态漏电流低，最大不超过 1μA，其开通关断时间短，Ton=40μs , Toff=20us可极大的提高了PCB测试效率。
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发布时间：2026-01-16 15:08 阅读量：488 继续阅读>>

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