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村田发布首款搭载XB<span style='color:red'>AR</span>技术的商品化高频滤波器

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村田发布首款搭载XBAR技术的商品化高频滤波器

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)宣布，正式发布村田首款(1)采用XBAR技术(2)的高频滤波器，并已开始量产。该产品结合了Resonant公司(村田已于2022年收购Resonant公司)的XBAR技术与村田专有的滤波器技术(SAW)。在3GHz以上的高频频段中，该产品能够以较低的损耗检测到所需信号，同时消除来自相邻频段(3)的干扰信号，主要应用于带有无线通信功能的各种设备，如智能电话、穿戴电子、笔记本电脑和网关等。　　注释　　(1)数据基于村田调研结果，截至2025年7月7日。　　(2)XBAR技术：该技术是村田在滤波器领域的专有技术，它利用梳状电极和压电单晶薄膜来激发体声波。　　(3)相邻频段：没有被特定通信无线标准采用的频段。　　近年来，随着5G和6G等移动通信系统的持续发展，以及Wi-Fi 6E和Wi-Fi 7等无线局域网标准的推出，市场对超高速和高容量通信的需求迅速增长。这些通信技术使用了3GHz以上的高频频段，通常依赖低温共烧陶瓷(LTCC)滤波器或体声波(BAW)滤波器提取所需的信号。然而，LTCC滤波器和传统的BAW滤波器在高频频段应用中一直面临着一些挑战，例如在衰减不足的情况下，容易导致相邻频段的无用信号无法被有效过滤，进而产生噪声。　　村田此次推出的产品结合了Resonant公司的XBAR技术和村田的专有技术，即使在3GHz以上的频段也依旧具备高衰减能力，从而有效地遏制了噪声的产生。同时，它还支持高频通信的关键需求——低损耗和高带宽，为实现高速、高容量和高质量的无线通信提供了有力支持。　　XBAR技术还能够在10GHz以上的超高频频段中实现高衰减、低损耗和大带宽，而这些频段正是6G通信的目标频段。村田将继续开发可满足市场需求的高频滤波器元件，从而为推动高性能、多功能无线通信技术的发展做出贡献。　　主要特性　　-市面上首款(1)采用XBAR技术的高频滤波器产品　　-在3GHz以上的频段中实现了低插损、高衰减和高带宽　　-结合村田特有的声表面波滤波器(SAW)技术，兼具高性能和高性价比　　主要规格

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村田

发布时间：2025-07-10 13:19 阅读量：318 继续阅读>>

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Aqara 智能摄像机 G100 ：产品创新与君正芯片技术的深度融合

　　在智能家居安防市场的激烈角逐中，Aqara 智能摄像机 G100凭借精准的产品定位与前沿技术脱颖而出，通过与君正 T31X芯片的深度协作，重新定义行业技术标准。　　一、Aqara G100：性能与价值的标杆之作　　作为 “HomeKit 生态高价值比标杆摄像机”，G100 在性能与价值上实现双重领先。300万像素搭配140° 超广角镜头，相比竞品大幅降低监控盲区;经典双模式夜视系统，黑白夜视采用无红曝红外灯补光，全彩夜视可选择定时补光或通过配置自动化实现智能补光模式，适配全天候监控场景。　　IP65级防护与 - 10℃至 + 40℃宽温域运行能力，使其在复杂环境下的可靠性远超同类产品。本地AI移动侦测与人形识别，结合边缘计算实现毫秒级响应，误报率较传统方案降低80%以上。同时，可玩性高，适合极客用户的RTSP流传输和NAS转存功能也得以支持，以及WiFi 6高速传输和多生态兼容，构建起技术护城河。　　二、君正 T31X 芯片：突破性能边界的技术引擎　　君正T31X芯片通过异构计算架构，在1Gbit DDR 平台实现传统2Gbit DDR才能达成的HomeKit SDK 流畅运行，内存利用率提升至传统方案的 1.8 倍。其多核视频处理单元支持1080p、720p、360p三码流实时编码，配合H.265 + 技术降低40%带宽需求，确保全终端低延迟、高质量视频传输。　　基于Magik算力平台，为本地智能提供算法支撑，深度学习算法使物体与人形识别准确率提升65%，有效增强安防可靠性。　　Aqara 智能摄像机 G100凭借产品与芯片的协同创新，在性能与价值维度实现对竞品的全面超越，为智能家居安防领域注入新活力。

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君正

发布时间：2025-07-01 15:07 阅读量：302 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

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ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　ARK(方舟微)推出的高压电流调节器AKP10M60R，支持高达600V工作电压，具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　典型应用原理　　如图1所示，AKP10M60R的输入端A可支持高达600V的耐压，远高于常规几十伏或整流后300V的市电输入，具有充足的电压裕量。其内置负反馈机制可确保输出电流恒定，从而有效抑制浪涌电流/电压冲击，具备卓越的抗瞬态能力。　　输出电流可通过调节电阻R灵活设定，实现稳定的恒流输出。此外，通过在G-K端施加负电压，可完全关断AKP10M60R，增强系统控制灵活性。　　高压电机驱动电路应用　　AKP10M60R特别适用于驱动感性负载，其内置的瞬态抑制电路可有效吸收由电感关断产生的高压脉冲(如继电器、电机等产生的反电动势)。该器件不仅能简化传统RC吸收或TVS保护等外围电路设计，同时显著降低BOM成本和PCB面积，提升系统性价比。　　车载电器应用　　AKP10M60R专为车载电子系统设计，可有效抑制电机启停工况下产生的400V以上负载突波(Load Dump)，满足ISO 7637-2标准要求。其集成化设计可替代传统TVS+LC滤波的复杂保护方案，在保障多媒体系统可靠性的同时，减少30%以上的外围器件数量，显著优化车载娱乐系统的空间布局和制造成本。

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方舟微

发布时间：2025-06-20 14:01 阅读量：306 继续阅读>>

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全兼容高集成 | 维安WAYON推出USB Type-C E-Marker芯片

　　E-Marker(电子标记芯片)是USB Type-C线缆中的核心元器件，用于智能识别线缆属性及功率传输能力，在快充、高速数据传输、多设备兼容等领域应用广泛。　　维安近期推出符合USB PD 3.1标准的E-Marker芯片WUSB310，助力Type-C线材应用提供完整解决方案。　　1. WAYON WUSB310产品信息　　同时兼容USB Type-C 2.3，USB PD 3.1及 EPR扩展功率范围，USB4 2.0和雷电3、4规范。　　支持结构化VDM1.0 和 2.0 版本，支持厂商标识自定义。　　内置双VCONN二极管与Ra电阻，支持2.7V~5.75V宽电压输入，CC和VCONN端口最高耐压36V。　　芯片采用DFN2×2-6L封装;　　工作温度覆盖-40°C至+85°C。　　2.WAYON WUSB31产品优势　　协议全兼容，赋能快充与高速传输　　兼容USB PD 3.1协议及EPR模式，支持USB4 Gen3/Gen4，确保设备快速充电与数据无损传输。内置过温保护与CC过压保护机制，有效防止异常工况下的硬件损坏。　　高集成设计，简化系统布局　　集成BMC PHY、VCONN开关及Ra电阻，减少外围元件数量，既可支持“一线单芯”，也可满足“一线双芯”应用。　　便捷烧录及在线升级　　支持4次厂商信息烧录，提供了I²C与CC线双重通信接口，且支持协议标准Firmware Update信息，能够便捷地实现在线系统升级。　　支持过温保护　　具备智能过温保护功能，当检测到温度超过设定阈值时，WUSB310会发送 Hard Reset，切断大功率传输，防止过热损坏设备，确保充电与数据传输的安全性与稳定性。

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维安

发布时间：2025-06-13 16:40 阅读量：371 继续阅读>>

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村田与Rohde&Schwarz联合开发用于测量Digital ET省电效果的RF系统

　　株式会社村田制作所与Rohde & Schwarz公司联合开发了RF射频系统，用于测量村田专有的功率控制技术——Digital ET (Digital Envelope Tracking)的效果。通过使用本系统，可以高精度地测量5G和6G等的通信设备中Digital ET的省电效果。　　近年来，随着通信设备的高性能化，功耗增加已成为需要解决的问题。降低通信设备功耗的方法之一是一种被称为Envelope Tracking的技术，该技术可根据RF IC输出的RF信号的调制情况调整PA供电电压。　　但是，Envelope Tracking存在一个问题，即在传输5G和6G等的宽频带信号时，无法充分降低功耗。村田的Digital ET是一种以数字方式进行Envelope Tracking的技术，即使在传输宽频带信号时也能大幅降低功耗。Digital ET优化增强RF信号的电压并降低功耗的功率控制，村田于2021年通过收购Eta Wireless, Inc. 获得的该技术由以下三个要素组成：　　生成Digital ET电压控制信号的ETAC(ETAdvanced Control)，它能让RF信号的DPD(Digital pre-distortion)计算及PA(Power Amplifier)有效地工作。　　基于控制信号生成Digital ET电压并向PA提供的PMIC(Power Management Integrated Circuit)　　控制ETAC和RMIC的系统。　　此次，村田与在RF测量领域具有很高的专业水平的Rohde & Schwarz公司联合开发了本系统。本系统由以下五个部分组成：　　FPGA(村田)：计算所设定输入信号的DPD以及生成让PA以较高的效率工作的Digital ET电压控制信号，并生成向SMW200A传输输入信号和控制信号的装置。DPD：为了使PA的输出接近理想值而让输入信号发生变化的处理。　　SMW200A(Rohde&Schwarz)：将从FPGA 接收到的输入信号作为RF输入信号传输到PA，同时将从FPGA接收的PMIC控制信号与RF输入信号同步后传输到PMIC的装置。　　PMIC(村田)：根据控制信号生成Digital ET电压并将其提供给PA的装置。　　PA(村田)：利用PMIC提供的Digital ET电压对SMW200A传输的RF输入信号进行增幅，并将其作为RF输出信号进行传输的装置。　　FSW分析仪(Rohde&Schwarz)：对PA传输的RF输出信号进行解析的装置。　　村田制作所与Rohde & Schwarz开发的本系统，能够高精度、简便地测量通信设备的电路中的Digital ET功耗降低量，从而为降低功耗后的通信设备的开发过程提供支持。　　Rohde & Schwarz是一家总部位于慕尼黑的非上市企业。公司通过其测试与测量、技术系统以及网络与网络安全部门，致力于实现安全且互联的世界。90多年来，这家全球技术集团一直通过开发前沿技术来挑战技术高峰。该公司的创新性产品和解决方案为工业界、监管机关及政府机关的客户实现技术及数字主权提供支持。　　村田的目标是通过Digital ET的普及来降低通信设备的功耗。今后将继续通过提高能源效率为实现可持续发展的社会做贡献。

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村田

发布时间：2025-05-08 13:06 阅读量：509 继续阅读>>

上海贝岭高精度S<span style='color:red'>AR</span> ADC芯片斩获中国电子学会科技进步奖

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上海贝岭高精度SAR ADC芯片斩获中国电子学会科技进步奖

　　4月19日，由中国电子学会主办的“2024年度中国电子学会科学技术奖励大会”在成都隆重举行。由上海贝岭股份有限公司牵头，联合上海交通大学、国电南京自动化股份有限公司共同完成的“高精密逐次逼近模数转换器芯片设计技术”项目荣获科技进步三等奖。　　基于此项获奖技术，上海贝岭开发了系列高精度SAR ADC产品： BL108X 。　　该系列产品具有高精度、多通道、高采样速率、零转换延迟的特点，涵盖了1~16通道、16~18位分辨率、100KS/s~1MS/s采样速率，可提供QFN、QFP、TSSOP等多种封装形式。产品广泛应用于工业自动化、智能电网、轨道交通等领域。　　BL108X系列SAR ADC芯片产品规格　　其中，BL1081(8通道、100KS/s)、BL1082(8通道、200KS/s)、BL1086(4通道、300KS/s)为16位同步采样ADC芯片。全系支持5V单电源供电、±10V/±5V真双极性输入、1MΩ恒定模拟输入阻抗，无需外接驱动放大器和双极性电源。通过引脚可配置的数字滤波器可优化信噪比并降低3dB带宽。产品内置高精度电压基准源，通过上海贝岭特有的修调技术，批量供货时仍能保障<5ppm/℃的温漂性能，为客户提供极佳的全温采样精度。　　BL1088作为最新推出的一款16通道16位1MS/s高精度模数转换器芯片，专为电力线监控、继电保护、DTU、FTU等应用场景设计。支持±10V、±5V、±2.5V双极性或差分信号输入，能以1MS/s速率进行两路同步采样。该产品具备出色的噪声性能和线性度，以及88dBFS的高信噪比，THD低至-100dB。输入短接时输出噪声仅为0.7 LSBrms。并且，BL1088内部电压基准源在全温范围内温漂仅为5 ppm/℃，轻松满足系统0.2%的精度需求。　　BL1088采用LQFP80封装形式，使用5V电源供电，支持2.3V~5V数据接口。该芯片同时还配套单片高精度基准源产品BLR1XX(15V输入)、BLR2XX(5.5V输入)、BLR3XX(超低功耗)供客户选择。　　另外，BL1087和BL1080是上海贝岭推出的两款高性能ADC芯片，针对不同应用场景提供专业解决方案。　　BL1087为8通道16位600KS/s ADC，集成±15.5V钳位保护的模拟前端，以及89dBFS高信噪比表现。创新菊花链接口设计，大幅减少通信线数量，并支持自动/手动双扫描模式。BL1080为单通道18位1MS/s高精度采样，拥有95dBFS超高信噪比和-110dB THD的高线性度。QFN48紧凑型封装适合精密测量仪器等高要求、小型化场景。　　特别值得关注的是，采用BL108X系列芯片的国电南自NPS801自主先进发变组保护装置于2025年4月5日在秦山核电基地方家山核电站1号机组成功投运。　　这创下三项行业纪录：国内首套全自主先进核电保护装置，首个实现元件级国产化的核电机组保护系统，首次在核电领域建立完整的国产化方案。　　此次获奖不仅是对上海贝岭技术创新能力的充分肯定，更是展现了国产高精度ADC芯片在关键领域的应用成果!

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上海贝岭

发布时间：2025-04-29 09:33 阅读量：737 继续阅读>>

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双核智控，破界芯生|国内首款Arm® Cortex®M7+M4双核异构MCU发布

　　国民技术宣布发布国内首款基于Arm® Cortex®M7+M4双核异构实现的N32H78x系列高性能MCU，以及基于Arm® Cortex®M7内核实现的N32H76x系列高性能MCU。N32H78x系列包含N32H785、N32GH785EC、N32H787、N32H788四大系列，N32H76x系列包含N32H760、N32H762、N32H765、N32H765EC四大系列。　　N32H78x/N32H785EC/N32H76x/N32H765EC系列MCU是国民技术面向具身机器人、工业控制等智控领域推出的标杆产品，系列产品具有超强算力、超快响应、超高精度、高可靠性与高安全性等优势特点，在变频器、伺服、PLC等通用工业控制领域，工业/人形机器人、电梯等高性能电机控制领域，光伏逆变器、拉弧检测、储能BMS、汽车OBC、充电桩等新能源领域，以及工业显示屏、仪表、人脸识别等HMI方面具有应用优势。　　高性能MCU产品优势特点　　● 强劲内核　　─ N32H78x(M7+M4)，N32H76x(M7)　　✔ Cortex-M7：coremark 3200，1284DMIPS (Cortex-M7 @600MHz)　　✔ Cortex-M4F：375 DMIPS (Cortex-M4F @300MHz)　　✔ 支持DSP指令和MPU，双精度浮点运算　　─ Up to 4MB 片内Flash(存储加密)　　─ Up to 1504 KB片内SRAM　　─ 支持扩展存储(1xFEMC，1xxSPI，1xSDRAM，Up to2xSDMMC)　　● 高性能协处理器　　─ 支持浮点数据处理的Cordic算法加速器　　─ 滤波算法加速器(FMAC)　　─ Delta Sigma模块单元(DSMU)　　─ 加解密算法加速器，支持AES/TDES/SHA、商密算法　　● 丰富的通讯接口，更快更灵活　　─ 2xUSB HS OTG with HS USB PHY　　─ 1x100Mbit & 1xGigabit Ethernet　　─ 1x100Mbit/s EtherCAT从站接口( ESC )(H7x5EC only)　　─ Up to 8 x CAN FD (with 4 x TT-CAN )　　─ Up to 15xU(S)ART(其中3个UART支持任意I/O映射)，TX/RX buffer, TX/RX pin swap　　─ Up to 2xLPUART　　─ Up to 7xSPI/4xI2S　　─ Up to 10xI2C　　● 高性能模拟外设　　─ 3x12bit 5Msps ADC, 单端/差分模式，52通道　　─ 4x12bit 15Msps DAC,2x12bit 1Msps DAC　　─ 4xComparator(22ns传输延迟)　　● 超高精度定时器　　─ 2x16bit SHRTIM支持,12通道100ps超高分辨率PWM输出　　─ 灵活的PWM配置,可适应各种电源拓扑结构灵活的内外部事件联动响应机制,快速响应各类故障并进行保护　　─ 4x16bit ATIM　　─ 10x16bit GTIM　　─ 4x32bit BTIM　　─ 5x16bit LPTIM　　● 增强图像功能　　─ 2xDVP　　─ 1xMIPI(内置D-PHY，N32H787/8 only)　　─ 1xTFT-LCD(分辨率 up to 1920x1080)　　─ 内置2.5D GPU　　─ 硬件JPEG编解码器　　● 工业级安全及高可靠性　　─ -40~105℃环境工作温度　　─ Flash支持ECC，SRAM支持ECC和奇偶校验　　─ 外部时钟失效检测　　─ ESD(HBM)：+/-4KV　　─ EFT：IEC 61000-4-4 PASS 4A　　─ 符合IEC61508/IEC60335/IEC60730 Class B安全标准　　产品主要资源

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国民技术

发布时间：2025-04-21 13:38 阅读量：604 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

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ARK方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

　　01产品简介　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品，具有更高的击穿电压，其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V，且具有ESD防护设计，可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用，利用其(超高)亚阈值特性，可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压，给PWM IC等负载供电。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计，其简单易用的稳压特性，非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中，可有效简化PWM IC供电方案，提高电源系统的稳定性。　　02产品特性　　★ 产品类型：N沟道(超高阈值)耗尽型MOSFET。　　★ 阈值电压：　　DMZ(X)1315E：-27V|VGS(OFF)| >17V@ID=8μA);-11.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：11.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　DMZ(X)1315EL：-20V|VGS(OFF)| >13V@ID=8μA);-10.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：10.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　★ 高耐压：允许输入电压高达130V。　　★ ESD能力：具有ESD防护能力。　　★ 功能特点：具有可靠易用的稳压特性。　　03应用领域　　■ QC2.0/3.0/4.0快充系统　　■ USB Type-C PD 电源系统　　■ USB Type-C 直充系统　　■ 宽输出电压范围电源适配器　　■ 直流接触器

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ARK方舟微

发布时间：2025-04-18 16:48 阅读量：419 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　 2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。

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ARK（方舟微）

发布时间：2025-03-24 10:00 阅读量：495 继续阅读>>

突破工业接口壁垒！<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC

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突破工业接口壁垒！ARK（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC "万能适配" 成为现实！

　　一、行业背景：工业自动化升级，PLC接口兼容性成关键瓶颈　　随着工业4.0的推进，PLC(可编程逻辑控制器)作为自动化系统的“大脑”，需连接多种设备(如驱动器、传感器)。然而，不同厂商设备的接口电压标准各异(5V/12V/24V)，导致PLC与驱动器间的信号传输常需外置转接电路或特制电缆，成本高、布线复杂、占用空间大，严重制约系统灵活性与效率。　　根据数据统计，全球工业自动化设备市场规模已达5200亿美元(MarketsandMarkets 2025)，但PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。以汽车焊装产线为例，24V伺服系统、12V光电传感器、5V通信模块并存，传统方案需配置3组独立接口模块，导致以下问题：　　1. 布线复杂度提升40%　　2. 机柜空间占用增加25%　　3. 维护成本上升30%(数据来源：ARC咨询集团报告)　　二、痛点分析：传统方案的三大缺陷　　1. 多电压适配困难：不同电压级接口需定制连接器，增加库存和管理成本。　　2. 外置电路复杂：额外添加电阻、PTC限流元件或隔离模块，占用PCB空间。　　3. 高频信号受限：传统限流方案(如PTC)工作频率低(通常<100kHz)，难以满足高速脉冲信号(如500kHz)需求。　　三、解决方案：耗尽型MOSFET + 自适应限流电路　　1. 方案核心：耗尽型MOSFET——DMZ42C10S　　2. 步进电机驱动控制器接口电路设计适配电路，利用耗尽型MOSFET恒流控制电路基本原理，仅需一颗耗尽型MOSFET(DMZ42C10S)，配合一颗限流电阻，即可实现5V-24V宽电压输入适配，无需外置电路。　　电路工作原理：　　1. 耗尽型MOSFET和限流元件(通常为电阻)构成限流单元　　2. 自适应限流：当输入电压升高时，MOSFET栅源电压VGS降低，自动限制电流增长，形成负反馈。　　3. 公式支撑：限流电阻值 I(MAX)= |VGS(OFF)| / R，精准设定最大电流。　　性能优势：　　1. 宽电压兼容：5V-24V输入下，电流波动<±2%。　　2. 高频支持：工作频率高达500kHz，满足高速脉冲需求。　　3. 高鲁棒性：DMZ42C10S耐压达100V，抗浪涌能力强。　　技术优势对比传统方案：　　实测数据：　　1. 输入24V脉冲信号时，电流稳定在17mA，信号失真率<1%。　　2. 在-40℃~85℃环境下，接口电路性能无衰减。　　四、ARK(方舟微)DMZ42C10S关键参数说明　　1. 耐压值(Vds)：100V，轻松应对工业环境电压波动。　　2. 导通电流 530mA：从容应对工业标准电流输出要求。　　3. 导通电阻(RDS(on))：典型值2Ω，功耗低、发热小。　　4. 工作频率：支持500kHz，满足高速信号传输。　　5. 封装：SOT-23，体积小，适合高密度PCB布局。　　以上产品参数源于ARK(方舟微)耗尽型MOSFET产品DMZ42C10S产品手册，对比分析数据源自方舟微电子公司实验室测试结果。　　额外需要说明的是：DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。

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ARK（方舟微）

发布时间：2025-03-24 09:54 阅读量：547 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor

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