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<span style='color:red'>半导体</span>IP厂商最新排名TOP10！

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半导体IP厂商最新排名TOP10！

　　IPnest 于 2025年 4 月发布了《设计IP报告》，按照类别、性质(授权和版税)对IP供应商进行了排名。　　TOP10排名如下：　　2024年，前四大供应商Arm、新思科技(Synopsys)、楷登电子(Cadence)、Alphawave占据了 75% 的市场份额。　　2024年，设计知识产权(Design IP)收入达到 85 亿美元，实现了 20% 的增长。　　有线接口类设计知识产权以 23.5% 的增长率领先，处理器类设计知识产权也增长了22.4%。　　2024年，设计知识产权收入达到 85 亿美元，实现了 20% 的历史最高增长率。有线接口类设计知识产权仍以 23.5% 的增长率推动着设计知识产权市场的增长，但我们也看到处理器类设计知识产权在 2024年增长了 22.4%。这与排名前四的知识产权公司的情况相符，其中Arm(主要专注于处理器领域)以及在有线接口类处于领先地位的新思科技、楷登电子和Alphawave公司。前四大供应商的增长速度甚至超过了市场整体(增长率在 25% 左右)，2024年它们的市场份额总计达到 75%，而 2023年这一比例为 72%。　　Arm的主要目标市场是移动计算领域，而排名第二、第三和第四的知识产权公司的目标市场则是高性能计算(HPC)应用领域。高性能计算领域偏好的知识产权产品基于诸如高速串行计算机扩展总线标准(PCIe)、计算 Express Link(CXL)、以太网、串行器 / 解串器(SerDes)、芯片到芯片互连(UCIe)以及包括高带宽存储(HBM)在内的双倍数据速率(DDR)内存控制器等互连协议。需要补充的是，即使新思科技也瞄准了主流市场并实际上获得了更高的收入，但这些公司都将自己定位为能够满足人工智能超大规模开发者需求的先进解决方案(技术节点)供应商。　　2024年的设计知识产权市场表现如何与半导体市场的表现相一致呢?从台积电 2024年第四季度各平台的收入情况来看，高性能计算占 53%，智能手机占 35%，物联网占 5%，汽车领域占 4%，其他领域占 3%。与 2023年相比，按平台划分，高性能计算、智能手机、物联网、汽车和数据中心设备(DCE)的收入分别增长了 58%、23%、2%、4% 和 2%，而其他领域的收入有所下降。　　2024年，知识产权市场受到了支持高性能计算应用且销售有线接口类产品的供应商(如新思科技、楷登电子、Alphawave和Rambus)的有力推动，同时也受到了为智能手机销售中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU)的供应商(如Arm和Imagination )的推动。知识产权市场完美地反映了半导体市场的情况，年度增长的大部分来自单一领域 —— 高性能计算(尽管Arm 26% 的同比增长率也值得关注)。

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半导体

发布时间：2025-04-25 09:57 阅读量：159 继续阅读>>

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关税变动前兆：美国商务部对进口半导体和设备等发起调查

　　美国商务部星期一(美东时间4月14日)在《联邦公报》发布的两份通知中宣布，其已于2025年4月1日依据《1962年贸易扩展法》第232条，发起针对进口半导体和药品的两起232国家安全调查。BIS现征求社会各界意见，征求意见截止日期为2025年4月16日起21天。　　外媒在报道中发表评论，认为这是美国对半导体和药品加征关税的前兆，特朗普发动的贸易战恐进一步扩大。　　半导体232调查的被调查产品为进口半导体、半导体制造设备以及衍生产品，包括但不限于：半导体基板和裸晶圆、传统芯片、尖端芯片、微电子器件和中小企业(SME)元件等。“衍生产品”包括含有半导体的下游产品，例如构成电子供应链的产品(源文件表述为：This includes, among other things, semiconductor substrates and bare wafers, legacy chips, leading-edge chips, microelectronics, and SME components. Derivative products include downstream products that contain semiconductors, such as those that make up the electronics supply chain.)。　　据悉，232调查的法定期限是360天(包括商务部调查的270天，总统做决定的90天)。但从美国商务部长卢特尼克最新表态来看，“半导体关税预计在1-2个月内实施”。美国商务部长卢特尼克13日接受美国广播公司(ABC)访问说，被豁免的电子产品与半导体，将另外征收关税，约一个月后实施。　　美国总统特朗普于当地时间13日警告说，尽管部分关税暂缓90天征收，但没有哪个国家能在关税问题上“脱身”。　　以下为美方商务部发布的232调查涉及半导体部分的美方官方文件，供业内参考。

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关税

发布时间：2025-04-15 15:44 阅读量：214 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>集成电路选用八大原则

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半导体集成电路选用八大原则

　　电子元器件是电子产品最基本组成单元，电子设备的故障有很大一部分是由于元器件的性能、质量或选用的不合理而造成的，故电子元器件的正确选用是保障电子产品可靠性的基本前提。可靠性设计就是选用在最坏的使用环境下仍能保证高可靠性的元器件的过程。　　半导体集成电路选用八大原则　　一、集成电路的优选顺序为超大规模集成电路→大规模集成电路→中规模集成电路→小规模集成电路。　　二、尽量选用金属外壳集成电路，以利于散热。　　三、选用的集成稳压器，其内部应有过热、过电流保护电路。　　四、超大规模集成电路的选择应考虑可以对电路测试和筛选，否则影响其使用可靠性。　　五、集成电路MOS器件的选用应注意以下内容:　　1)MOS器件的电流负载能力较低，并且容抗性负载会对器件工作速度造成较大影响。　　2)对时序、组合逻辑电路，选用器件的最高频率应高于电路应用部位的2～3倍。　　3)对输入接口，器件的抗干扰要强。　　4)对输出接口，器件的驱动能力要强。　　六、应用CMOS集成电路时应注意下列问题：　　1)CMOS集成电路输入电压的摆幅应控制在源极电源电压与漏极电源电压之间。　　2)CMOS集成电路源极电源电压VSS为低电位，漏极电源电压VDD为高电位，不可倒置。　　3)输入信号源和CMOS集成电路不用同一组电源时，应先接通CMOS集成电路电源，后接通信号源;应先断开信号源，后断开CMOS集成电路电源。　　4)CMOS集成电路输入(出)端如接有长线或大的积分或滤波电容时，应在其输入(出)端串联限流电阻(1～10kΩ)，把其输入(出)电流限制到10mA以内。　　5)当输入到CMOS集成电路的时钟信号因负载过重等原因而造成边沿过缓时，不仅会引起数据错误，而且会使其功耗增加，可靠性下降。为此可在其输入端加一个施密特触发器来改善时钟信号的边沿。　　七、CMOS集成电路中所有不同的输入端不应闲置，按其工作功能一般应作如下处理:　　1)与门和非门的多余端，应通过0.5～1MΩ的电阻接至VDD或高电平。　　2)或门和或非门的多余端，应通过0.5～1MΩ的电阻接至VSS或低电平。　　3)如果电路的工作速度不高，功耗也不要特别考虑的话，可将多余端与同一芯片上相同功能的使用端并接。应当指出，并接运用与单个运用相比，传输特性有些变化。　　八、选用集成运算放大器和集成比较器时应注意下列问题:　　1)无内部补偿的集成运算放大器在作负反馈应用时，应采取补偿措施，防止产生自激振荡。　　2)集成比较器开环应用时，有时也会产生自激振荡。采取的主要措施是实施电源去耦，减小布线电容、电感耦合。　　3)输出功率较大时，应加缓冲级。输出端连线直通电路板外部时，应考虑在输出端加短路保护。　　4)输入端应加过电压保护，特别当输入端连线直通电路板外部时，必须在输入端采取过电压保护措施。

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集成电路

发布时间：2025-04-03 17:43 阅读量：249 继续阅读>>

从GaN 到 SiC, 茂睿芯控制器释放宽禁带<span style='color:red'>半导体</span>潜能

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从GaN 到 SiC, 茂睿芯控制器释放宽禁带半导体潜能

　　2025年3月28日，茂睿芯受邀参加充电头网在前海国际会议中心举办的2025(春季)亚洲充电展。茂睿芯华南区应用经理梁潮裕先生参加了同期举办的2025亚洲充电大会，并在现场带来了主题为《666：从GaN到SiC, 茂睿芯控制器释放宽禁带半导体潜能》的演讲。演讲主题中的3个6为茂睿芯即将推出的3款以6结尾新品：MK2706、MK2606S和MK1206H，此次演讲重点介绍了这3款产品的特点、优势以及实际测试效果。　　MK2706是一款集成700V/170mΩ的氮化镓功率管AC/DC产品，采用了全新GaNControlTM技术，能做到Current Sense 无采样电阻损耗，采用小环路+miller钳位的方式达成安全驱动，以及主动SR短路保护提高可靠性，并且能省去4颗个1206采样电阻，低压90V转换效率能提升0.3~0.4%，真正为客户做到省钱、省损耗、省心!　　MK2606S是截至目前为止，国内首发推出的小6pin直驱SiC的QR反激控制器，SiC本身具备高可靠性、高功率密度、高效率和耐高温的特点，MK2606能省去额外的SiC驱动器和驱动电路，具备全程QR/DCM以进一步提升转换效率、管脚抗扰加强能适用工业恶劣场景等产品优势。　　MK1206H是茂睿芯针对PD应用低电压做的一款5.1A大电流SR同步整流芯片，支持65W PD应用，助力多口充市场，可放置在输出正端或负端，支持CCM/DCM/QR、<500kHz频率、低至 3V 输出电压(自供电)，MK1206H能做到10ns极低关断延迟和4A关断电流，使得Vds应力尖峰电压能做得更低，同时具备25ns快速开通延迟进一步提升系统转换效率，适用于USB-PD快充、适配器及多口插排等应用场景。　　自2017年成立之初以来，茂睿芯始终坚持自主研发和创新驱动的开发理念，持续聚焦PD快充、工业电源等场景，打造了系列一站式解决方案的高性能模拟芯片产品，目前产品已覆盖消费电子、工业与算力及汽车电子等应用场景。

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茂睿芯

发布时间：2025-04-03 17:35 阅读量：268 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的电源方案

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意法半导体65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的电源方案

　　意法半导体的VIPerGaN65D反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和USB-PD(电力输送)快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。　　这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN(氮化镓)晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz，开关损耗极小，可以搭配使用小体积的反激式变压器和无源元件，以及价格低廉的小电路板。　　VIPerGaN65D采用较传统的SO16n窄体封装，而VIPerGaN系列其他成员则采用5mmx6mm DFN封装。　　该变换器采用零电压开关技术，可以调整谷底同步延迟，确保GaN晶体管导通时间始终是在漏极谐振谷底。该转换器还具有动态消隐时间功能，在输入电压上升时可保持能效，并自适应任何线路和负载条件，以最大限度地提高整体能效。此外，在输入电压范围内，前馈补偿可最大限度地减少输入峰值功率变化。　　VIPerGaN65D的极限电流为3.5A，当设计采用85V至265V的通用输入电压时，变换器最大输出功率可达65W，如果把输入电压提高到185V-265V，最大额定输出功率可达85W。待机功率不到30mW，符合最新国际能效标准的要求。　　VIPerGaN65D可用于设计小巧又便宜的快速充电器和适配器，并可用作洗衣机、洗碗机、咖啡机、电视机、机顶盒、数码相机、便携式音频播放器、无线剃须刀等设备的辅助电源。它还用于台式电脑和服务器、楼宇和家庭自动化设备、电表、家用和建筑照明以及空调的辅助电源。　　VIPerGaN65D集成了一个SENSEFET晶体管(电流检测功率MOSFET)，为优化能效和触发系统安全保护机制提供精确的电流检测功能，最大限度减少物料清单成本。内置安全功能包括过流保护、输出过压保护、输入电压前馈补偿、输入高压/欠压保护、输入过压保护、输出过载保护、输出短路保护和热关断。所有安全保护功能均具有自动重启功能，变换器还采用频率抖动技术抑制EMI干扰。　　参考设计EVLVIPGAN65DF有助于加速基于VIPerGaN65D的电源项目的开发进度。EVLVIPGAN65DF电路板集成变换器芯片、副边同步整流电路和意法半导体的SRK1001自适应控制器，为开发者提供一个24V、65W的电源，并配备完善的安全保护功能，峰值能效大于93%。　　VIPerGaN65D现已上市，采用SOIC16窄体封装，可联系AMEYA360的销售代表垂询。

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意法半导体

发布时间：2025-04-01 09:28 阅读量：275 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出高效的1A降压转换器为智能电表、家电和工业电源转换器提供低电压电源

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意法半导体推出高效的1A降压转换器为智能电表、家电和工业电源转换器提供低电压电源

　　意法半导体新款微型单片降压转换器DCP3601集成大量的功能，具有更高的设计灵活性，可以简化应用设计，降低物料清单成本。这款芯片内置功率开关与补偿电路，构建完整的输出电压设置电路，仅需电感器、自举电容、滤波电容、反馈电阻等6个外部元件。　　3.3V至36V宽输入电压范围，1A输出电流，DCP3601可以在智能电表、家用电器及24V工业总线转换器等设备内给低压负载供电。同步整流技术与1MHz固定开关频率让转换器在负载范围内各种工况下保持优异的能效，在12V输入电流，5V 600mA输出电流时，转换效率达到91%。　　设计灵活性来自于丰富的产品选型，低噪款产品为噪声敏感应用提供PWM强制模式，低功耗版在轻载时可以自动进入脉冲跳跃模式，以优化功耗，这两个产品型号都有频率抖动技术，以降低开关频率在1MHz时的噪声功率。全系产品的静态电流都很低，仅110μA，并配备使能引脚，可以用专用信号关断转换器，进一步提高节能效果。　　STEVAL-3601CV1评估板可以快速启动DCP3601应用开发项目，具有螺栓式连接器和排针接口，开箱机用，采用紧凑、高效的电路设计。　　DCP3601是新系列降压转换器芯片的首发产品，今年还会推出后续产品。DCP3601被纳入意法半导体10年长期供货计划，客户将获得长期供货和技术支持保障。这款单片降压转换器采用3mm×1.6mm SOT23 6引脚封装。

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意法半导体

发布时间：2025-04-01 09:26 阅读量：244 继续阅读>>

马自达与罗姆开始联合开发采用下一代<span style='color:red'>半导体</span>的汽车零部件

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马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件

　　～通过GaN功率半导体的社会应用，助力汽车技术创新～　　Mazda Motor Corporation(以下简称“马自达”)与ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓(GaN)功率半导体的汽车零部件。　　(左)马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎/(右)罗姆董事、专务执行官东克己　　马自达与罗姆自2022年起，在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中，一直在推进搭载碳化硅(SiC)功率半导体的逆变器的联合开发。此次，双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件，旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。　　GaN作为下一代功率半导体材料备受瞩目，与传统的硅(Si)基功率半导体相比，其不仅能够抑制功率转换过程中的损耗，还可高频驱动，有助于实现产品的小型化。　　双方将充分利用这些特点，将其转化为整车的总布置、轻量化及设计方面的创新型解决方案。双方计划在2025年度内将这一理念落地，并通过Demo车进行试验，力争在2027年度投入实际应用。　　马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎表示：“在迈向碳中和的过程中，电动化进程加速，罗姆凭借其卓越的半导体技术和先进的系统解决方案构建能力，致力于创造可持续出行的未来社会。我们非常高兴能够与罗姆在电动汽车零部件的开发与生产方面进行合作，双方将携手并进，致力于共创半导体元器件与汽车双向直联的新价值链。马自达将通过与志同道合的合作伙伴企业之间的合作，向客户提供在电动汽车中也能畅享驾驭魅力的、充满‘驾乘乐趣’的产品。”　　罗姆董事兼专务执行官东克己表示：“非常高兴能够与致力于追求‘驾乘乐趣’这一汽车本质魅力的马自达合作，共同面向电动汽车领域开发汽车零部件。支持高频工作的罗姆EcoGaN™和能够充分发挥其性能的控制IC相结合的解决方案，是实现节能和小型化的关键。为扩大该解决方案在实际应用，罗姆非常重视与广大企业的合作。在GaN的开发与量产方面，已与众多合作伙伴建立了多样化的合作关系。此次，通过与致力于打造‘与地球及社会共存共生的汽车’的马自达开展联合开发，我们将能够从应用和终端产品开发的角度深入了解对GaN产品的需求，从而为推动GaN功率半导体的普及，进而为创造可持续出行的未来社会做出贡献。”　　・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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罗姆

发布时间：2025-03-28 15:09 阅读量：342 继续阅读>>

极海<span style='color:red'>半导体</span>36V三相电机专用栅极驱动器GHD3125R，专注提升系统性能与可靠性

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极海半导体36V三相电机专用栅极驱动器GHD3125R，专注提升系统性能与可靠性

　　针对工业自动化与智能设备领域，极海正式发布性能优异的GHD3125R 36V三相电机专用栅极驱动器，专为提升电机控制专用技术而设计，具有高功率密度和效率，可有效提升系统性能与可靠性，广泛适用于手持设备、小功率水泵、落地扇、低压吊扇、空气净化器、循环泵、电动工具等直流无刷电机应用。　　GHD3125R是一款用于驱动P/N MOS功率管的36V三相栅极驱动IC，支持宽范围工作电压5.5V~30V ，提供3.3V/5V逻辑输入兼容，实现与不同逻辑电平电路工作。　　新产品低待机功耗可显著降低待机状态时的电力消耗，实现节能;在特定电压下，具备不同的输出电流能力，如在Vsup=24V时，HO输出电流为+260mA/-80 mA，LO输出电流为+50 mA /-240 mA。　　集成LDO，为芯片内外部提供电力支持　　GHD3125R集成了5V 低压差线性稳压器LDO，其带载能力为60mA，可为芯片内部逻辑电路与外部MCU供电，并且LDO具备重载启动保护功能，对于防止瞬态过流、保护电路、提高系统稳定性与安全性起到关键作用，同时帮助客户有效节省系统成本。　　多重保护功能设计，为系统安全保驾护航　　GHD3125R内置多种保护功能，其中电源欠压保护UVLO，可避免芯片因欠压出现各种故障;直通防止功能，可防止不必要的直通情况出现，以提升电路的安全性与稳定性;启动保护功能，有效确保芯片正常运行;过温保护功能，防止芯片因过热而损坏;内置400ns死区时间，可有效保护系统正常运行。　　高低侧通道匹配，灵活应对多样需求　　GHD3125R采用高低侧通道匹配设计，使芯片能同时满足高侧和低侧功率半导体器件的驱动需求，有效提高系统灵活性和整体性能。　　一站式方案设计，为各应用升级迭代赋能　　极海为广泛的电机应用提供灵活便捷、简单易用的丰富软硬件开发工具，以及资深电机团队的技术支持，方便工程师开发及进行移植测试等，助力客户项目快速实现升级迭代　　GHD3125R芯片工作温度范围为-40℃~105℃，提供SOP16封装，目前已正式投入量产供货并开发派样，索样可联系极海各办事处销售经理。

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极海半导体

发布时间：2025-03-25 09:02 阅读量：333 继续阅读>>

新洁能：金兰功率<span style='color:red'>半导体</span>发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块

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新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块

　　在“双碳”目标驱动下，光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率，成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测，三电平模块市场年增长率将超18%，其中650V平台因适配1000V光伏系统，占据核心份额。　　产品介绍　　新洁能全资子公司：金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW　　INPC逆变储能一体模块，全方位助力客户应对能源高效化挑战。　　产品特点　　均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)　　使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT，损耗更小　　模块内外管均使用快管，集逆变储能应用为一体　　封装材料 CTI > 500　　紧凑型模块封装设计实现高功率密度　　可根据客户特殊工况定制模块　　核心技术　　优异的动静态参数，低压降、低动态损耗，适配高频高功率应用场景　　通过全套芯片级&封装级可靠性验证　　低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果　　选用ZTA/AMB基材，保证更优异的散热能力和更好的可靠性　　竞争优势　　芯片优势：搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT　　定制化扩展：支持客户多功率段定制化需求　　精益化生产：MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯　　应用领域　　储能系统　　光伏逆变器　　其他三电平应用

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新洁能

发布时间：2025-03-20 09:26 阅读量：306 继续阅读>>

东芝功率<span style='color:red'>半导体</span>后道生产新厂房竣工

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东芝功率半导体后道生产新厂房竣工

　　日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上，并将于2025财年上半年开始全面生产。　　新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率，并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电，包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。　　功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件，在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战，并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。　　新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上，为推进碳中和作贡献。　　新生产厂房概况　　建筑面积：4,760.31 m2　　总建筑面积：9,388.65 m2　　结构：钢架结构，地上2层　　竣工时间：2025年3月　　用途：功率半导体制造(后道工艺)　　姬路工厂 - 半导体工厂概况　　地点：日本兵库县揖保郡太子町鵤-300　　占地面积：246,800.08 m2　　总经理：Kyozo Takeo　　员工：约1,400人(截至2025年1月)　　主要产品：分立半导体(功率器件、小信号器件)　　[1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。

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东芝

发布时间：2025-03-14 09:31 阅读量：299 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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