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上海雷卯丨ESDA10CP30 静电保护二极管深度解析——9V-10V接口防护小<span style='color:red'>封装</span>优选方案

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上海雷卯丨ESDA10CP30 静电保护二极管深度解析——9V-10V接口防护小封装优选方案

　　去年秋季，某工业自动化设备厂商在量产前进行EMC预一致性测试时，发现其心率传感器数据接口在接触放电±8kV条件下出现了偶发性数据丢包。初步排查后，工程师将问题定位到IO引脚——该引脚直接暴露于设备外部连接器，未做任何ESD防护。在整改阶段，团队先后尝试了两种方案：第一种是在接口处并联一颗0603封装的ESD二极管，虽然防护等级达标，但占板面积偏大;第二种方案是更换为更低结电容的SOT-23器件，但钳位电压偏高，在±15kV浪涌下仍对被保护芯片构成威胁。最终，团队引入了上海雷卯电子科技的ESDA10CP30——一颗采用DFN1006封装(1.0mm×0.6mm×0.5mm)、工作电压10V的单路双向TVS二极管。重新打样后，产品在接触放电±15kV、空气放电±25kV的严苛条件下均顺利通过，量产良率从整改前的87%提升至99.2%。　　这一案例在IO口和电源接口保护中十分普遍。ESD脉冲若未被有效泄放，极易导致微处理器锁死或数据总线损坏。在硬件研发阶段引入可靠的瞬态抑制器件，是保障产品可靠性的关键防线。　　产品概述　　ESDA10CP30是一款单路双向TVS二极管，由上海雷卯电子科技出品，专为保护敏感电子设备免受静电和瞬态电压事件损坏而设计。器件采用DFN1006封装(1.0mm×0.6mm×0.5mm)，在提供卓越防护能力的同时极大节省PCB空间。　　该器件引脚采用无铅镀层，符合RoHS环保标准，工作温度-55°C至+125°C，存储温度-55°C至+150°C，覆盖各类工业及消费级应用环境。采用7英寸卷带包装，每卷10,000颗，适配SMT自动化贴片产线。该器件通过严格的高温高湿工作测试、温度循环测试和振动测试，确保在各类严苛环境下长期稳定运行。　　核心电气参数解析　　在TA=25°C测试条件下，ESDA10CP30各项参数经过精密调校，以平衡防护能力与信号完整性：　　反向工作电压VRWM=10V：正常工作状态下器件呈高阻态，不影响电路运行。击穿电压VBR=11V(IT=1mA)，10V与11V间的合理裕度保证信号稳定同时确保及时触发。10V的工作电压可以覆盖常见8V-9V逻辑电平的IO口保护需求，留有足够的电压裕量。　　反向漏电流IR=0.1µA：在VRWM=10V条件下漏电流极低，有利于电池供电设备的待机功耗控制，延长设备续航时间。　　钳位电压VC=17V(典型)/20V(最大)@5.5A：在承受8×20µs瞬态脉冲电流时，将线路电压严格限制在20V以内，有效保护后端IC不被过压击穿。典型值17V与最大值20V之间的差距较小，说明器件一致性良好，批量应用中防护效果稳定。　　结电容CJ=8pF：在VR=0V、f=1MHz条件下测得，低电容特性减少信号反射与衰减，适用于IO口、I2C等中低速数据接口。8pF的结电容对于中低速接口影响可忽略不计。　　峰值脉冲功率PPP=110W：8/20µs波形下展现强大的瞬态能量吸收与耗散能力，可应对常见的浪涌冲击。110W的峰值脉冲功率意味着器件能够吸收较大的瞬态能量，在工业现场常见的浪涌环境下表现可靠。　　多标准防护能力　　ESDA10CP30不仅针对静电放电提供防护，更能应对多种复杂的瞬态干扰，全面对标国际IEC标准：　　ESD防护(IEC 61000-4-2)：该标准规定了静电放电的测试等级和抗扰度要求，测试波形为10/700ns(接触放电)和150/500ns(空气放电)，模拟人体或设备携带静电对电子产品的放电冲击。ESDA10CP30空气放电与接触放电均达±30kV，远超人体模型(HBM)和机器模型(MM)的常规测试要求，为按键、I/O端口等易受静电直接接触的部位提供可靠保护。　　EFT防护(IEC 61000-4-4)：该标准针对电快速瞬变脉冲群(EFT/Burst)的抗扰度进行规范，测试脉冲重复频率为5kHz，模拟继电器、开关等感性负载切换产生的高频瞬态干扰。ESDA10CP30可承受40A(5/50ns)瞬态电流，有效抑制脉冲群能量，防止系统出现死机或意外复位。　　浪涌防护(IEC 61000-4-5)：该标准规定了浪涌(Surge)抗扰度测试方法，测试波形为1.2/50µs(开路电压)和8/20µs(短路电流)，模拟雷击感应或电网切换产生的瞬态过电压。ESDA10CP30可承受5.5A(8/20µs)峰值脉冲电流，有效抵御长线缆接口引入的浪涌冲击，为后级电路提供可靠的二次防护。　　应用场景　　凭借10V工作电压和DFN1006超小封装，ESDA10CP30广泛适用于各类紧凑型电子产品的IO口及电源接口保护：　　●消费电子与移动设备：在手机、PDA、笔记本及台式机中，保护IO接口、SIM卡槽及音频接口，防止插拔瞬间静电损坏主控芯片。　　●工控与仪器仪表：在医疗仪器、测试测量设备及工业控制面板中，保护各类模拟/数字I/O端口及电源输入端，防止现场恶劣电磁环境造成干扰或永久损坏。　　●电源接口保护：在DC-DC输入端、电池供电端并联使用，可有效抑制上电瞬态和外部浪涌对后级电源管理芯片的冲击。　　● 微处理器系统：适用于各类控制信号线保护，如GPIO、ADC采样线、DAC输出线等，防止静电通过信号线耦合至主控芯片。　　封装优势与PCB布局建议　　在确定应用场景后，如何选择合适的封装并优化PCB布局，是发挥ESD防护器件效能的关键环节。　　DFN1006封装(1.0×0.6mm，引脚间距0.5mm)在极致小型化与电气性能之间取得了良好平衡。相比传统SOD-323或SOD-523封装，DFN1006不仅大幅缩减占板面积，其无引脚设计还显著降低封装寄生电感，对提升ESD响应速度和降低钳位电压至关重要。　　PCB布局时应遵循以下要点以最大化防护效能：路径最短原则，TVS尽量靠近接口放置以减小回路寄生电感;独立接地，TVS接地端通过宽短走线直连主地平面，避免地弹效应将瞬态噪声耦合至后端电路;走线隔离，受保护走线应避免与未保护信号线平行走线，防止瞬态能量通过空间耦合产生二次干扰。对于电源输入端保护，建议TVS尽量靠近电源连接器放置，并配合共模电感使用，形成两级防护架构，进一步提升系统EMC性能。　　选型建议　　在实际工程选型中，工程师需综合评估以下因素：电压匹配，确保被保护线路最大正常工作电压不超过10V，比如8V、9V、10V电压的都可以用。后端IC绝对最大额定电压需高于20V(最大钳位电压)以留出安全裕量;电容评估，中低速数据总线，需评估8pF结电容对信号的影响，必要时选择更低电容型号;若应用场合需要更高工作电压或更大通流能力，可在同系列中向上选型;若对成本或尺寸有极致要求，需重新评估防护等级是否满足系统级EMC测试标准。此外，还需关注器件的功率降额特性，高温环境下实际可承受的脉冲功率会下降，设计时应预留至少20%的降额裕量。替代型号方面，Inpaq佳邦(中国台湾)的TVL9VB1S-DFN1006-2LDG(CJ仅8pF，DFN1006-2封装)是首选替代方案，引脚兼容可直接替换。　　替代型号参数对比　　总结　　ESDA10CP30以10V精准工作电压、±30kV顶级ESD防护和DFN1006超小封装，为10V以下接口防护提供了高性价比方案。其8pF低结电容与17V典型钳位电压，在保障信号完整性的同时为后端电路提供坚实保护，是IO口和电源接口ESD防护的优选器件。ESDA10CP30凭借其优异的综合性能，在10V接口ESD防护领域具有明显的性价比优势，值得工程师在IO口和电源接口保护设计中优先考虑。本文所有参数数据均来源于上海雷卯电子官方数据手册，真实可靠。

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发布时间：2026-09-08 10:29 阅读量：264 继续阅读>>

ROHM制TOLL<span style='color:red'>封装</span>：最大限度发挥新一代功率器件性能的贴装方案

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ROHM制TOLL封装：最大限度发挥新一代功率器件性能的贴装方案

　　概要　　近年来，在AI服务器、数据中心电源、光伏(PV)逆变器、电力储能系统(ESS)等领域，除了大功率化之外，设备小型化和高功率密度化需求也与日俱增。传统大功率应用中主流的TO-247、TO-220等通孔封装，以及TO-263等表面贴装封装，在寄生电感、散热性能以及安装空间方面都存在设计瓶颈。　　本应用笔记将介绍ROHM的TOLL(TO无引线)封装——一种可解决上述课题的创新型表面贴装(SMD)方案，并阐述其技术优势。文中将详细说明TOLL封装所带来的优势：节省空间(薄型化、占板面积缩减)、优异的散热性能、通过开尔文源极(4端子)结构降低开关损耗，以及符合JEDEC标准的高通用性。同时，还介绍了能够将 ROHM最新SiC MOSFET、12～150V耐压SiMOSFET、超级结MOSFET等功率器件的性能发挥到极致的电路板设计方法。　　目录　　· 符合JEDEC MO-299标准的外形尺寸　　· 兼顾小型薄型化与大功率化　　· 优异的散热性能　　· 4端子(开尔文源极)结构大幅降低开关损耗　　· 提高安装可靠性并降低检测成本　　· 通过优化电路板设计实现散热最大化　　· 结语　　· 参考资料　　符合JEDEC MO-299标准的外形尺寸　　TOLL封装是一种符合JEDEC制定外形标准MO-299的表面贴装型封装。因此，便于利用现有贴装设备，具备生产线操作上的高通用性。　　另一方面，在基板设计(焊盘布局)方面，为了最大限度发挥所搭载的新一代功率器件的特性，对端子形状进行了优化。JEDEC MO299中规定，多引脚侧(8引脚侧)的相邻引脚根部连接结构为“可选(OPTIONAL)”。因此，ROHM根据器件特性，为各产品采用最合适的形状。例如，在SiC MOSFET和Si MOSFET等TOLL封装中，采用了8引脚侧根部相连的形状;并且，带开尔文源极的4端子器件(漏极、栅极、源极、开尔文源极)与3端子器件(漏极、栅极、源极)的连接方式也有所不同(见 Figure 1)。　　此外，ROHM的GaN HEMT产品采用TOLL-8N封装，虽然外形尺寸符合MO-299标准，但引脚配置和焊盘形状具有独特性，因此在基板设计时，请务必使用数据手册中记载的TOLL-8N专用焊盘布局(Figure 2)　　如此，虽然在外形尺寸上实现了标准化，但安装焊盘图案则针对各器件进行了优化。因此，基板设计时不应沿用通用的焊盘布局，而必须使用各产品数据手册中记载的专用推荐焊盘布局。这样才能充分发挥各器件的真正性能，并确保高可靠性。　　特别需要注意的是，开尔文源极(数据手册中有时表述为“驱动源极”)端子的连接方式对开关损耗影响很大。此外，以下做法是严格禁止的：将开尔文源极端子与功率源极端子直接连接;使开尔文源极端子保持开路，仅使用功率源极端子来驱动栅极;以及将开尔文源极端子与功率源极端子反向连接。这些不当连接可能导致意想不到的发热、误动作甚至器件故障　　兼顾小型薄型化与大功率化　　TOLL封装最大的特点在于节省空间。封装外形尺寸为9.9mm × 11.68mm × 2.3 mm，高度较以往同等级封装(TO-263-7LA)降低了约一半(从4.5mm降至2.3 mm，降低约49%)(见Figure 3)。此外，在实际基板上所占用的安装面积(焊盘布局)也削减了25%。传统TO-263-7LA的焊盘面积为179.3mm²(11.0mm × 16.3mm)，而TOLL封装的焊盘面积仅为134.33mm²(10.1mm × 13.3mm)(见Figure 4)。由此，即使在被称为“披萨盒型”的薄型电源用图腾柱PFC电路等厚度需控制在4mm以下的严格设计约束下，也能带来极高的安装自由度。

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ROHM,ROHM Semiconductor,Ameya360

发布时间：2026-09-03 13:10 阅读量：472 继续阅读>>

贴片电感<span style='color:red'>封装</span>尺寸都有哪些规格？

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贴片电感封装尺寸都有哪些规格？

　　贴片电感(简称SMD电感)是一种适用于表面贴装技术的电感器件，具有体积小、质量轻、易自动化生产等优势。它通过绕制线圈或磁芯结构形成电感，广泛应用于电源滤波、射频调谐、电磁干扰(EMI)抑制等领域。　　贴片电感常见封装尺寸规格　　贴片电感封装尺寸一般以英制代码表示，指的是元件长度和宽度的尺寸，单位通常为英寸的千分之一(mil)，即1 mil = 0.001 英寸，换算单位毫米(mm)更便于理解。　　以下是几种常见的贴片电感封装尺寸：　　封装尺寸的选择原则　　空间限制　　小型化设备如手机、手表、智能穿戴设备更倾向于使用0402、0603等超小型封装，节约PCB面积。　　电流负载能力　　封装尺寸越大，通常电感的截面积越大，可以承载更高的电流，适合电源管理和高频滤波电路。　　电感值和品质因数(Q值)　　较大封装可实现较高电感值和更优的品质因数，满足高性能应用需求。　　热性能考虑　　较大封装有助于散热，提高元件可靠性和使用寿命。　　不同封装尺寸的应用案例　　超小型封装(0402、0603)　　应用于移动通讯、穿戴设备、无线传感器等空间受限的场景。　　常规尺寸(0805、1005、1206)　　广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等，性能与成本平衡。　　大尺寸封装(1210、1812、2220)　　适合电源滤波、大电流处理、工业电源模块和汽车电子等高功率需求。

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贴片电感

发布时间：2026-08-27 11:36 阅读量：309 继续阅读>>

矩形连接器常见的<span style='color:red'>封装</span>形式有哪些

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矩形连接器常见的封装形式有哪些

　　矩形连接器作为电子设备中广泛使用的一种连接器类型，因其结构紧凑、可靠性高而被广泛应用于通信、计算机、工业控制、汽车电子等领域。　　一、插拔式封装　　插拔式封装是矩形连接器最常见的形式，即连接器由插头和插座两部分组成，通过插入实现电气连接。这种封装便于快速连接和拆卸，适合需要经常插拔维护的场合。插拔式矩形连接器通常带有锁紧机构，确保连接稳固可靠，防止 vibration 或外力导致松脱。　　二、板对板封装　　板对板封装形式适用于两个电路板之间的直接连接，避免使用焊接线缆，节省空间并提高传输性能。矩形连接器的板对板封装一般设计为对接式结构，插头与插座分别焊接在两块电路板上，实现紧凑的模块化设计。此类封装主要用于高速信号传输和模块化电子设备中。　　三、线对板封装　　线对板封装形式是将带线缆的插头与电路板上的插座连接。常见于电源、电机控制和信号传输等领域，方便线缆与设备电路板快速连接与拆卸。线对板矩形连接器通常配备密封圈和锁紧结构，以保证连接的可靠性和防护等级。　　四、嵌入式封装　　嵌入式封装指连接器主体部分嵌入设备面板或机箱内，与外部表面齐平或低于表面，既保护连接器本体，又美观大方。这种封装形式适合对设备外形要求较高的应用，能够防止外部机械冲击及灰尘进入，提高设备的使用寿命。　　五、导轨式封装　　导轨式封装主要应用于工业自动化设备，将矩形连接器直接安装在标准的DIN导轨上，节省安装空间并方便维护。这种封装形式通常集成了安装固定机制，使设备布局更为简洁规范，便于快速接线和系统集成。　　六、防水密封封装　　针对恶劣环境和户外应用，矩形连接器还设计了防水密封封装，配备橡胶密封圈、密封垫片等防水结构，达到IP67甚至更高的防护等级。这种封装形式广泛应用于汽车电子、户外通信设备等领域，确保连接器在潮湿、多尘环境下正常工作。　　总结来说，矩形连接器的封装形式多样，涵盖插拔式、板对板、线对板、嵌入式、导轨式及防水密封等不同类型。不同封装形式满足了多种应用环境和连接需求。

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矩形连接器

发布时间：2026-08-20 09:55 阅读量：309 继续阅读>>

纳芯微丨支持15mm爬电距离，纳芯微推出超宽体<span style='color:red'>封装</span>、集成隔离电源的数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列

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纳芯微丨支持15mm爬电距离，纳芯微推出超宽体封装、集成隔离电源的数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列

　　纳芯微近日宣布推出采用超宽体封装、集成隔离电源的四通道数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列，进一步补足了NSIP984x系列组合。NSIP984x系列作为NSIP88xx系列的迭代升级款，采用纳芯微第三代数字隔离技术，可提供更好的隔离耐压等级和性价比。本次推出的新品NSIP984x-DSWWR相较于已推出的NSIP984x‑DSWR产品(SOW16封装)，采用超宽体SOWW16封装，在保持优异EMC性能的基础上，将爬电距离从8.15mm提升至15mm，可满足1500V高压系统对增强绝缘的严苛安规要求，为光伏、储能、充电桩等高压应用提供了高可靠性的隔离解决方案。　　超宽体封装　　筑牢高压隔离屏障　　随着光伏、储能、新能源汽车等应用持续追求更高功率密度，系统内部母线电压已从传统的600V-900V提升至1500V甚至更高。以光伏系统为例，根据IEC 62109等安规标准，1500V高压系统在增强绝缘条件下，隔离器件的爬电距离需达到14mm以上。纳芯微NSIP984x-DSWWR系列采用超宽体SOWW16封装，将爬电距离延长至15mm，并支持7.5kVrms隔离耐压(安规证书申请中)，通过更长的爬电距离与更高的隔离耐压，满足高压系统的安规要求，帮助客户简化系统认证难度。　　此外，当系统选用超宽体隔离接口器件时，选用相同封装的NSIP984x-DSWWR系列为其供电，无需再单独配置隔离电源模块或变压器，既是满足安规要求的更简洁方案，也是降低BOM成本和设计复杂度的更优选择。　　例如，当用户想在系统中实现具有超宽体爬电距离的隔离CAN通信电路时，有以下几种IC方案与隔离电源方案：　　IC方案1：超宽体隔离器+接口　　供电特点：需要提供超宽体变压器/模块，面临额外超宽体认证和大尺寸的挑战　　IC方案2：宽体隔离器+隔离接口　　供电特点：需要提供两级外置宽体供电串行，整体尺寸大且比较复杂　　IC方案3：宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+隔离接口　　供电特点：需要提供一级外置宽体供电　　IC方案4：超宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+非隔离接口　　供电特点：不需要额外提供隔离电源，集成度最高，认证最简单　　RE性能大幅优化　　轻松通过CISPR32 Class B测试　　纳芯微NSIP984x全系列针对EMI的RE性能进行了大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容、输入5V、带载100mA的测试条件下，NSIP984x-Q1系列均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　通过内置变压器缩小系统尺寸　　提升可靠性　　传统方案中，数字隔离器需单独配置电源进行供电，无论是采用电源模块还是外置变压器，分立方案对系统尺寸和可靠性均会带来挑战。NSIP984x系列内部集成变压器和四通道数字隔离器，属于二合一产品，外围电路无需单独配置电源，相比分立方案可显著降低系统尺寸，尤其在外置电源模块和变压器的方案中，可能因额外的器件和多次焊接带来系统可靠性的问题，而NSIP984x系列采用全半导体生产工艺，可显著降低相关风险，提升系统可靠性。　　封装和选型　　NSIP984x全系工作温度为-40℃~125℃，通道传输速率高达150Mbps，支持100kV/μs的高共模瞬变抗扰度(CMTI);采用SOW16封装的器件已通过UL、CQC、CSA和VDE认证，满足增强隔离要求，目前已全面量产，采用超宽体SOWW16封装的器件安规证书正在申请中，将于近期量产。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。

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纳芯微

发布时间：2026-08-14 10:08 阅读量：378 继续阅读>>

思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小<span style='color:red'>封装</span>双路5A低边驱动硬核突围，助力高功率密度驱动设计

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思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小封装双路5A低边驱动硬核突围，助力高功率密度驱动设计

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦(股票代码：688536)，持续在功率驱动领域深耕布局。针对当前火热的通信电源、服务器电源(砖模块)及充电桩模块等高密度应用场景，思瑞浦推出TPM27524A-DFSR双通道栅极驱动芯片,产品在保证强劲驱动能力的同时，以业界极小封装尺寸DFN1.5×1.5-8，有效解决系统“空间焦虑”痛点。　　01　　产品优势　　极小封装下的“散热”奇迹　　传统认知里，极小封装往往要牺牲散热性能，而TPM27524A-DFSR打破了这一局限，图1为该封装引脚示意图。图2直观对比了行业通用的SOP8、EMSOP8与DFN1.5×1.5-8三款封装的尺寸：DFN1.5×1.5-8的封装面积仅为SOP8的1/13、EMSOP8的1/6，底部还保留了专用散热焊盘。这种“小尺寸、强散热”的设计，给空间高度受限的大功率电源模块单板，留出了充足的布局调整空间。灵活的隔离驱动与供电方案　　依托极小封装尺寸，TPM27524A-DFSR在隔离供电场景下的适配优势十分突出，图3就是基于该芯片搭建的隔离供电参考方案。工程师可以把芯片直接贴装在小型变压器近旁，大幅压缩高频走线长度，有效降低寄生参数与信号干扰。这种布局的灵活性既能让单板布线更简洁清爽，更利于保障信号完整性，也能为多路输出电源的高密度堆叠腾出更多设计空间。　　02产品特性　　封装形式：1.5mm×1.5mm DFN-8(带散热焊盘);　　驱动通道：双通道独立驱动;　　供电电压范围：4.5V至23V;　　峰值拉/灌电流：5A/5A;　　传输延迟：典型值14ns;　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃;　　03典型应用　　TPM27524A-DFSR是面向高功率密度开关电源场景定制的驱动芯片，可广泛适配通信基础设施电源、服务器电源、新能源汽车、大功率充电桩模块等前沿领域。当前这类场景普遍面临功率升级带来的器件布局空间紧张问题，TPM27524A-DFSR的极小封装优势恰好能针对性破局，帮助客户轻松突破单板面积瓶颈，在不牺牲整机性能的前提下又能实现功率密度的显著提升。

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思瑞浦

发布时间：2026-07-30 14:03 阅读量：461 继续阅读>>

维安超薄顶部散热二极管<span style='color:red'>封装</span>“以小博大，以薄驭热”

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维安超薄顶部散热二极管封装“以小博大，以薄驭热”

　　伴随智能手机、轻薄智能家电等电子产品持续迭代，整机小型化、薄型化、高功率、低温升已成为行业核心发展趋势，传统贴片二极管封装仅依靠引脚导热，存在散热效率低、本体体积偏大、高温工况性能衰减明显等痛点，难以适配新一代硬件设计需求。　　为此，维安(WAYON)二极管推出贴片式顶部散热全新封装体系——SMHx系列，包含SMHS、SMHM、SMHL三款规格，可替换传统SOD-123FL、SMA、SMB、SMC封装。　　“产品特点　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　01　　小型化(Miniaturization)　　02　　薄型化(Thinning)　　03　　顶部散热(Topside Cooling)　　图1：维安顶部散热SMHx封装外形示意图　　传统封装的散热途径是通过引脚散热，而新型顶部散热封装是通过顶部的金属直接向空气中散热。　　图2：传统封装贴片示意图　　图3：维安顶部散热封装散热示意图　　结壳热阻对比：　　顶部散热SMHM封装相比传统封装SMA结壳热阻降低66.39%,比传统封装SMB结壳热阻降低56.53%。　　温升对比　　器件持续正向导通30分钟：　　相同测试环境下，SMHS封装的顶部金属区域温度39.4℃，远低于传统SMA封装的73.3℃。高温运行稳定性显著提升，可有效规避器件过热失效、整机温升超标等问题。　　维安顶部散热与传统封装的外形尺寸对比：　　SMHx系列针对传统SMA/SMB/SMC封装完成尺寸压缩，长宽厚全方位缩小，大幅节省PCB布板空间。　　应用领域　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　主推型号　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　维安SMHx系列顶部散热封装凭借高效散热、尺寸优化、高温稳定三大核心竞争力，精准匹配智能家电、小型化面板、大功率设备的升级需求，为各行业终端硬件迭代、电路方案优化提供一站式高性能器件解决方案。

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维安

发布时间：2026-07-29 09:36 阅读量：479 继续阅读>>

太阳诱电丨业界领先的大尺寸<span style='color:red'>封装</span>（φ12.5），兼具高纹波电流承载能力、大容量与低高度设计

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太阳诱电丨业界领先的大尺寸封装（φ12.5），兼具高纹波电流承载能力、大容量与低高度设计

　　-导电性高分子混合铝电解电容器-　　无论在数据中心、AI服务器、车载ECU还是工业设备等应用中，电源电路的设计要求都在持续提升，且呈现多样化趋势。太阳诱电凭借采用电解液与导电性高分子相结合的独特结构，实现了大容量、高耐压与低ESR特性的兼顾。通过导电性高分子混合铝电解电容器HVX/HTX-J系列，助力解决车载市场面临的各类设计挑战。　　为什么需要混合电容器　　在车载领域，48V系统的电力转换已逐渐要求达到700W～1kW级别。因此，电源用电容器同时面临以下挑战：(1)应对更高的纹波电流要求;(2)在高速开关时实现更低ESR;(3)实现低高度与小型化设计;以及(4)满足AEC-Q200车规标准。仅依靠传统铝电解电容器或固态高分子聚合物电容器单体，已难以同时满足上述全部要求。　　使用混合电容器替代铝电解电容器　　太阳诱电混合电容器最大的优势在于其优异的高纹波电流承载能力，可实现产品小型化、减少元器件数量并降低PCB占板面积。此外，经测算，采用混合电容器后，其使用寿命可延长至传统铝电解电容器的约2～3倍。　　应对车载系统48V化趋势　　太阳诱电HVX/HTX-J系列在保持业界领先的高纹波电流承载能力和大容量特性的同时，提供多种尺寸的63V产品阵容，可满足48V系统多样化的设计需求。此外，业界领先的φ12.5×13.5L(mm)大尺寸封装，在实现与φ10×16.5L(mm)产品同等性能的同时，还可提供13.5L(mm)低高度设计这一独特优势。

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太阳诱电

发布时间：2026-07-27 10:47 阅读量：498 继续阅读>>

江西萨瑞微丨音频国产替代风口！全 TO <span style='color:red'>封装</span>达林顿管，一站式覆盖全品类功放驱动

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江西萨瑞微丨音频国产替代风口！全 TO 封装达林顿管，一站式覆盖全品类功放驱动

　　2026 音频行业迎来多重增长红利：杜比全景声 Soundbar、大功率户外派对音箱、桌面 HIFI、全屋智能音响、AI 语音音箱全线放量，空间音频、多声道分频驱动成为标配。但海外功率器件持续涨价、交期拉长，音箱厂商普遍面临进口 TIP/MJD 系列达林顿管供货不稳、成本承压、封装选型受限三大痛点，功率器件国产化替代已成行业刚需。　　江西萨瑞微电子达林顿功率管全面适配音频设备，全系列 TO 封装均可定制量产，NPN/PNP 互补型号完整配套，为各类音箱功放、控制电路提供稳定国产替代方案。　　01　　直击音箱行业三大核心痛点　　痛点 1：多声道分频 + 多路负载，电路设计繁琐　　现代音箱搭载低音炮功放、高低音喇叭驱动、语音麦克风放大、氛围灯、按键继电器、主动散热风扇等多路感性负载，MCU 微弱音频 / IO 信号无法直接驱动喇叭与电机。　　*NPN达林顿内部电路　　*PNP达林顿内部电路　　萨瑞解决方案：内置两级复合达林顿结构，hFE 高达 1000~12000，微安级输入信号即可驱动数安培负载;内部集成分压电阻 + 续流二极管，无需额外外围元件，PCB 布线精简 30%，大幅降低音箱 BOM 成本，音频放大线性度高、失真低。　　痛点 2：音箱产线分贴片、插装，封装选择单一　　多数国产厂商仅少量 TO 封装现货，便携小音箱 SMT 贴片、大功率 HIFI 插板、户外功放散热款无法一站式配齐，需要多家供应商采购，供应链割裂。✅萨瑞核心优势：不止 TO-220、TO-252 成熟现货，全系 TO 封装支持快速开发、批量供货　　TO-252(DPAK 贴片)：MJD122T4/MJD127T4/MJD112T4，卷带 2500pcs 全自动 SMT，适配便携蓝牙音箱、桌面小音响、AI 智能音箱小型主板;　　TO-220 直插：TIP117/TIP137/TIP147/MJD122T5，散热余量充足，适配大功率 Soundbar、户外重低音、家用 HIFI 分立功放后级;　　TO-92/126/247/263 全系列可定制丝印、功率、耐压，匹配不同音箱内部空间设计。　　痛点 3：高低温、长时间播放，音质易衰减　　户外音箱暴晒、室内音箱长时间连续播放，普通管子易出现放大倍数漂移、饱和压降上升，造成低音疲软、声音失真、风扇启停异响。　　萨瑞器件宽温稳定：工作区间 - 65℃~150℃，UL94V-0 阻燃环保塑封，湿敏等级 L3，无铅回流焊适配自动化产线;高低温循环下增益波动极小，持续播放音质稳定，完美满足音频设备长期工作需求。　　02　　全 TO 封装矩阵，覆盖音箱生产工艺　　萨瑞达林顿管不止 TO-220、TO-252 两大主流封装，全系列 TO 封装均可定制量产　　TO-252(DPAK 贴片封装)　　代表型号：MJD122T4 (NPN)/MJD127T4 (PNP)、MJD112T4　　功率 1.5~1.75W，贴装省空间，卷带包装 2500pcs，全自动 SMT 高速贴片，适合大批量音箱量产　　TO-220(直插散热封装)　　代表型号：MJD122T5、TIP117、TIP137、TIP147　　散热性能优异，Tc=25℃下 TIP137 峰值功率 70W。　　全 TO 系列可定制开发　　TO-92、TO-126、TO-247、TO-251、TO-263 等全系封装均可按需开发，可根据音箱板空间、功率需求灵活匹配封装尺寸，单 / 互补 NPN+PNP 配套供货。　　03　　全品类音箱多场景落地应用　　紧跟 2026 音频市场主流赛道，萨瑞达林顿覆盖音箱全部功率驱动电路：　　Soundbar 回音壁 / 家庭影院　　NPN+PNP 互补对管组成推挽放大电路，驱动中高低音多声道喇叭，低饱和压降，动态范围大，杜比全景声声场饱满，适配多分频功放后级输出　　户外大功率蓝牙音箱 / 派对音响　　选用 TIP137、TIP147 大电流达林顿，持续电流 8~10A，充足散热冗余，大音量输出无失真，适配低音炮大功率负载。　　桌面便携 / AI 智能音箱　　TO-252 贴片 MJD112/MJD122，体积小巧，驱动喇叭、散热风扇、氛围 LED、语音复位继电器，缩小整机主板尺寸，轻薄音箱设计首选。　　家用 HIFI 分立功放　　TO-220 插件 MJD122/TIP147 对管，音频线性放大优异，交越失真低，发烧友功放、多媒体 2.1 声道音箱标准方案。　　车载音响 / 全屋背景音乐主机　　中小电流达林顿驱动分区喇叭、音量调节开关、散热风机，高低压兼容，长时间播放稳定不发烫。　　04　　萨瑞微电子交付保障，家电厂商稳定供货　　全系列 RoHS、家电电子安规齐全，内销、出口跨境音箱均可合规出货;　　支持参数微调、丝印定制、小批量快速试样，音频研发工程师同步提供功放电路调试技术支持;　　长单锁价机制，交期稳定，规避进口器件涨价、断供风险;　　全系 TO 封装快速打样，缩短音箱新品研发上市周期。　　结语　　从空间音频普及、户外音箱爆发，到音频供应链自主可控浪潮，音箱功放、控制元器件国产化已是不可逆趋势。江西萨瑞全 TO 系列达林顿管兼顾封装全覆盖、高低功率匹配、NPN/PNP 互补配套，为便携蓝牙、回音壁、HIFI、户外音响提供一站式功率开关国产解决方案。

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江西萨瑞微

发布时间：2026-07-24 09:28 阅读量：569 继续阅读>>

顶面散热新<span style='color:red'>封装</span>！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：617 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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