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ROHM官方技术论坛（ESH）——<span style='color:red'>工程师</span>的专属技术加油站！

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ROHM官方技术论坛（ESH）——工程师的专属技术加油站！

　　在硬件研发中，工程师和采购往往被几个老问题反复拖累：公开渠道的器件资料零散混杂，来源和准确性难以验证;第三方论坛说法不一，轻信错误方案可能导致EMC、散热等隐患，直接推高改版与报废成本。遇到SiC驱动、热设计等深层调试难题时，又难以及时触达原厂技术支持，只能依赖碎片化信息反复试错。器件选型落定后，询价、样品申请与采购流程仍需单独对接代理商，技术和采购环节割裂，沟通成本居高不下。　　针对这些实际研发痛点，罗姆半导体推出了本土化的官方线上技术阵地——ESH工程师社区(Engineer Social Hub™)，帮助工程师减少非技术因素的干扰，把精力集中回设计本身。　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH，全称Engineer Social Hub™)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台秉承“工程师交流支持平台・助力中国原创设计”的宗旨，汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　平台整合了罗姆丰富的产品技术资源，为工程师提供直连支持、全面技术覆盖和零门槛知识共享服务。用户通过ROHM官方技术论坛可快速融入罗姆工程师生态，获得个性化支持及一对一的专业指导与咨询，解决从产品选型到设计应用的全流程技术难题。　　为什么推荐ROHM官方技术论坛(ESH)?　　原厂专家坐镇：罗姆工程师在线答疑，技术问题不再无处可问。　　海量技术资源：涵盖电源设计、热设计、SiC MOSFET驱动、PCB Layout等热门技术领域。　　社区互动交流：与同行工程师分享经验、探讨方案，共同成长。　　持续更新：每周都有新的技术文章和案例分享发布。　　社区版块一览　　ROHM官方技术论坛(ESH)设有多个专业讨论版块和技术专题，方便工程师按需查阅和交流：　　FAQ/讨论：平台按产品技术方向设置了系统化的分类类目，涵盖电源管理、功率器件、传感器、电机驱动、接口、无线连接等主要技术领域。工程师可根据研发需求，进入对应类目发帖提问，与罗姆原厂专家及同行进行技术交流。　　社区：工程师可加入对应群组，就具体技术问题发帖提问或分享经验，形成活跃的技术交流氛围。　　文章/视频：平台持续发布原创技术文章与视频内容，涵盖产品技术解读、应用方案剖析、设计技巧分享等。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN　　移动端入口：　　第 1 步：　　进入首页，依次点击 [注册 & 登录] ➔ [新用户注册 & 登录] 跳转至 MyROHM 页面。　　已有 MyROHM 账号：直接登录即可。　　无 MyROHM 账号：填写基础信息提交注册。　　第 2 步：　　提交后，您的邮箱会收到一封邮件，打开邮件，点击正文中的激活链接(URL)，激活您的账号。　　第 3 步：　　账号激活后，系统会自动发送第二封邮件，打开邮件，点击信中的论坛链接可直接登录论坛，或直接返回活动页面，输入账号密码登录论坛。　　第 4 步：　　成功登录论坛后，为了您的隐私安全，请完成最后一项配置：　　点击右上角 [我的个人资料] ➔ 点击 [编辑]。　　修改默认昵称(注意：请避免使用包含个人真实姓名、公司名称等可识别身份的昵称)。　　点击右下方 [保存] 按钮，即可正式开启社区交流!　　完成以上步骤，即可正式开启社区交流之旅!　　关于AMEYA360 × ROHM　　作为ROHM的官方授权代理商，AMEYA360一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应与专业技术服务。未来，AMEYA360将持续与ROHM官方技术论坛(ESH)深度联动，为工程师打造从技术学习到器件选型的一站式服务体验，敬请期待!

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发布时间：2026-07-31 11:14 阅读量：319 继续阅读>>

泰晶科技丨电子<span style='color:red'>工程师</span>私藏的经验：看这5个指标，晶振稳不稳扫一眼就知道

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泰晶科技丨电子工程师私藏的经验：看这5个指标，晶振稳不稳扫一眼就知道

　　在每一块电路板上，那个米粒大小的晶振永远藏着整个电子系统的心跳。从手机快充到5G基站信号传输，从北斗导航到工业PLC控制，所有需要精准计时的地方，都得靠这颗小小的石英晶体来定节奏。一旦晶振不稳，轻则通信卡顿丢包，重则数据错乱系统宕机，连精密测量设备出个错，说不定整个实验结果都要推翻重来。　　很多工程师选型看晶振，盯着标称频率看价格，翻起数据手册满眼都是看不懂的英文参数，抓不住核心。其实判断一颗晶振够不够稳，抓准五个核心指标就够了，不用被多余参数绕晕。　　01　　频率容差，看出厂准不准　　频率容差也叫初始频率精度，说白了就是晶振刚出厂，在标准条件下(25度、额定电压、匹配负载)，实际输出频率和标称值对不对得上，偏差有多大。单位用ppm(百万分之一)来标，比如一颗标称频率10MHz的晶振，如果标注±10ppm，就是允许10MHz晶振，对应最大偏差是(10*10^6 )X(10*10^-6)=100Hz。　　数值越小，初始精度越高。很多人觉得初始准不准不重要?其实对于要求开机就联网的智能电表、通信模组来说，初始频率差一点，一开始对频就慢半拍，基站搜信号直接搜不到。第一次上电连不上网，很多时候就是晶振初始偏差太大。选的时候，根据场景来，普通消费电子可以放宽到±20ppm，但是要做工业通信，就得缩到±10ppm以内才稳妥。　　02　　温度稳定性，看冷热折腾稳不稳　　对晶振稳定性影响最大的其实不是时间，是温度。石英晶体本身的频率随温度变化呈三次曲线，在25℃左右的拐点最稳，温度一偏就飘。频率温度稳定性，就是说晶振整个工作温度范围里，频率相对25℃的最大漂移量。　　不同类型晶振的温度稳定性差得远：普通标准晶振温漂在±10到±30ppm，只适合放在家里空调房里的家电、普通工控，温差不大够用了。如果放到户外基站、车载导航，冬天零下几十度夏天零上一百度，就得选温补晶振TCXO，内置补偿电路把温度漂拉平，温漂能压到±0.1到±2.5ppm，完全满足产品要求。要是做北斗授时、5G基站这种要极致精度的，必须上恒温晶振OCXO，直接把晶体放在恒定温度的小槽里，温漂能做到几百个ppb(1ppm等于1000ppb，几乎可以忽略不计)　　03　　老化率，看用久了漂不漂　　你以为只有人会变老?晶振用久了也会“变老”。石英晶体在长期通电工作之后，内部应力会慢慢释放，材料会慢慢变化，这些变化是累积的，不可逆，会让频率慢慢漂移，这个漂移速度就是老化率。　　一般好点的晶振，第一年老化最快，漂移大概在±1到±3ppm每年，第一年过去之后老化速度就慢下来了，恒温晶振能做到每年几个ppb。这个指标，普通消费电子用个三五年，漂移其实影响不大，但是通信基站、野外无人值守的工业网关、挂在电线杆上的智能电表，一跑就是十几年没人管，要是老化太快，过个三五年频率飘出范围，整个设备就废了，这种长周期运行的设备，一定要盯着老化率选，选低老化的晶振才靠谱。　　04　　相位噪声，看信号干不干净　　前面三个都是说频率准不准，到高速通信、精密测量领域，光准还不够，得干净。相位噪声就是在频域看信号，就是说输出频率周围，那些杂的随机扰动，单位是dBc/Hz，数值越小，说明信号越纯，旁边的杂波扰动越少。打个比方，你听收音机，相位噪声低就像信号清晰没有杂音，相位噪声高就是满屏都是杂音，根本听不清。　　在5G通信、相控阵雷达、高精度ADC采集这种对信噪比要求极高的场景，相位噪声高一点，信噪比就下去了，整个系统的灵敏度就差了，别说测不准，连通信距离都要打折扣。所以这种场景必须选低相位噪声的晶振，差几个dB，性能就差一个档次。　　05　　抖动，看时钟准不准　　抖动和相位噪声其实是一件事从两个角度看，相位噪声是频域的描述，抖动就是时域描述。什么意思呢?时钟信号就是一个方波，每个上升沿本来应该准点来，但是实际总有偏差，这个偏差的大小就是抖动，单位一般用ps(皮秒)来算RMS值，数值越小偏差越小。　　现在的高速串行接口，比如PCIe 5.0、SerDes这些，速率十几个Gbps，抖动大一点，眼图就闭了，误码率直接上去了，传数据错一个比特，整个数据包都废了。所以高速接口选晶振，一定要选低抖动的差分输出晶振，比如LVDS、LVPECL输出的，差个几个ps，误码率就能降好几个数量级，传输就稳定多了。

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发布时间：2026-07-08 10:22 阅读量：413 继续阅读>>

上海雷卯丨器件级ESD vs系统级 ESD—— 硬件<span style='color:red'>工程师</span>必懂

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上海雷卯丨器件级ESD vs系统级 ESD—— 硬件工程师必懂

　　很多硬件工程师把HBM/CDM当成系统抗ESD 依据，导致整机过不了IEC 61000-4-2、现场死机、返修率高。　　本文一次性讲清：本质区别、失效风险、选型规则、设计步骤。　　简单来说，两者的关注点截然不同：　　器件级ESD保护：关注的是芯片在制造、组装环节的“存活率”。　　系统级ESD保护：关注的是整机设备在用户实际使用中的“生存能力”。　　它们在测试标准、方法和防护目标上有着天壤之别。　　核心一句话(必须背下来)　　器件级 ESD(HBM/MM/CDM)：保芯片生产不死　　系统级 ESD(IEC 61000-4-2)：保整机使用不挂　　两者不能互相替代!集成电路(IC)在其生命周期的任何阶段——从器件装配、PCB焊接到最终测试——都可能遭受静电放电(ESD)损伤。为了在生产过程中“活下来”，所有IC内部都集成了专门的ESD保护结构。　　为了模拟和评估这些制造环节的ESD风险，业界主要采用三种器件级模型：　　1、人体模型(HBM)：模拟人体携带静电后接触IC引发的放电事件。　　2、机器模型(MM)：模拟自动化生产设备等金属物体接触IC引发的放电事件。　　3、带电器件模型(CDM)：模拟IC自身因摩擦等原因带电后，引脚接触导体时发生的快速放电事件。　　这些模型都适用于受控的工厂环境。在这样的环境下，从装配到PCB焊接的每一步都需要严格的静电控制，以将IC承受的ESD应力降到最低。典型的IC能承受2kV的HBM应力，但随着器件尺寸不断微缩，部分小型器件的耐受电压已降至500V。　　系统级ESD：考验整机的“实战测试”　　虽然器件级模型在工厂里很管用，但它完全不足以应对真实世界。终端用户环境中的ESD事件，其电压和电流强度都远超制造环境。　　因此，业界采用国际标准IEC 61000-4-2定义的系统级ESD测试，来模拟真实使用条件下用户可能遇到的ESD冲击。这个测试的对象是完整的成品设备，目的是评估它在“实战”中的抗干扰能力。　　一句话概括：器件级测试(HBM、MM、CDM)的核心是保障IC在制造过程中的可靠性;而系统级测试(IEC 61000-4-2)的目标是评估成品设备在实际使用环境中抵抗ESD事件的能力。　　以下是详细的对比表格：维度器件级ESD (HBM, MM, CDM）保护系统级ESD(IEC 61000-4-2)保护核心目标保护芯片在制造、封装、运输、贴片过程中免受静电损伤。保护成品设备在用户日常使用中（如触摸、插拔、摩擦）免受静电放电干扰或损坏。测试对象独立的、未上电的芯片（IC）已组装完成的、通常处于上电工作状态的整机或系统。测试模型1. HBM (人体模型)2. CDM (充电器件模型)3. MM (机器模型，已较少使用)IEC 61000-4-2 标准模型（包含接触放电和空气放电）测试波形HBM：上升时间 25ns，脉冲宽度~150ns;CDM：上升时间 <400ps, 脉冲宽度 ~1ns;MM ：脉冲宽度 ~80ns 上升时间 0.7-1ns，第一个峰值电流极高（如8kV接触放电时达30A以上），脉冲总宽度约150ns典型电压等级HBM：（500V-2000V)CDM： (250-2000V)MM: (100-200V) 接触放电：±4kV, ±6kV, ±8kV空气放电：±8kV, ±15kV (最高可达±30kV)施加2 kV电压时的峰值电流（APK）HBM：1.33ACDM： 5A 7.5A电压冲击次数HBM：2CDM：2MM: 2 20防护策略芯片内部集成 ESD钳位结构板级应用：1. TVS二极管（最常用）2. 压敏电阻、气体放电管3. RC吸收电路、铁氧体磁珠4. 屏蔽、接地、绝缘设计成本和面积占用芯片面积，增加工艺复杂度，但无额外BOM成本。增加PCB面积和物料成本，但设计灵活，可针对高风险接口重点防护。典型应用场景裸片、封装好的芯片（在托盘/卷带中）。手机、笔记本电脑、汽车电子、工业控制接口（USB, HDMI, RS232等）。　　为什么不能混用?(几个致命原因)　　1. 电流和能量差异　　器件级：2kV HBM测试的峰值电流约1.33A。能量相对较小。　　系统级：2kV IEC接触放电的峰值电流约7.5A。能量比器件级高,5倍能量。如果用器件级防护(如芯片内部结构)去抗系统级静电，瞬间就会烧毁。　　2. 失效模式差异　　器件级：主要是物理损伤(烧熔、击穿)。测完如果参数正常，芯片就是好的。　　系统级：除了物理损伤，更头痛的是逻辑混乱。高速静电脉冲会耦合到内部总线、时钟线、复位线，导致CPU误触发、寄存器翻转、锁死。即使没有任何元件烧坏，设备也可能死机或重启。　　3. 电压尖峰上升时间差异　　器件级：HBM的规定上升时间为25ns。　　系统级：IEC模型的上升时间<1ns，其在最初3ns消耗掉大部分能量。如果HBM额定的器件需25ns来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。　　4.电击次数不同　　两种模型在测试期间所用的电击次数不同。　　HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击。　　IEC模型却要求10次正电击和10次负电击。可能出现的情况是，器件能够承受第一次电击，但由于初次电击带来的损坏仍然存在，其会在后续电击中失效。　　图1显示了CDM、HBM和IEC模型的ESD波形举例。很明显，相比所有器件级模型的脉冲，IEC模型的脉冲携带了更多的能量。　　(图1) 器件级和IEC模型的ESD波形　　常见误区澄清　　1.误区：“芯片引脚标注了±8kV HBM，所以直接接USB口没问题”　　这是最常见且危害最大的误区。根据技术文献的对比数据：　　即使电压数值相同(如8kV)，IEC标准的峰值电流也是HBM的5倍以上。此外，IEC标准的放电上升时间小于1ns(HBM为25ns)，能量更集中、破坏性更强。因此芯片内部的HBM防护结构完全无法承受IEC标准的ESD脉冲。　　2.误区：“系统级测试通过，说明芯片本身ESD很强”　　系统级ESD测试的对象是完整的成品设备(含外壳、PCB、TVS、屏蔽层等)，而不是裸芯片。系统级测试通过，可能得益于以下因素的共同作用：　　(1)PCB板级TVS管的分流　　(2)外壳的屏蔽和绝缘设计　　(3)接地路径的优化　　(4)多层板布局的寄生效应　　因此，系统级测试通过不能直接推导出芯片本身的ESD鲁棒性高。实际上，HBM/CDM测试才是评估芯片自身抗ESD能力的标准方法。　　3. 误区：“器件级HBM Class 3A (4000V) 比 Class 2 (2000V) 好在系统中更可靠”　　HBM等级与系统级可靠性之间的相关性很低。根据权威研究结论：　　(1)HBM与IEC 61000-4-2之间不存在直接相关性　　(2)CDM与IEC 61000-4-2之间也不存在直接相关性　　(3)系统级ESD性能更多取决于板级防护设计(TVS选型、布局、接地)，而非芯片自身的HBM等级　　不过需要补充一点：虽然相关性低，但HBM等级过低的芯片(如<500V)在制造和组装阶段就容易受损，这会间接影响系统可靠性。因此，不能完全忽视器件级ESD等级，只是不应将其作为系统级可靠性的预测指标。　　设计建议　　1、芯片选型时：关注芯片引脚说明中的 IEC 61000-4-2 等级(若有)，这代表该引脚内置了系统级防护。对于普通引脚，只关注HBM/CDM即可。　　2、板级设计时：　　对外接口(USB、音频、按键、SIM卡、天线触点)必须加系统级TVS。　　TVS的钳位电压应低于被保护芯片的绝对最大额定值。　　TVS应紧靠接口或紧靠被保护芯片，走线尽量短、直，减小寄生电感。　　3、测试顺序：建议先完成器件级ESD测试(在芯片未贴板前)，再贴板进行系统级IEC测试。如果器件级已损坏，系统级测试会失败得更惨烈。　　总结一句：最终总结(工程师极简版)　　器件级ESD = 保生产　　系统级ESD = 保现场　　芯片内部ESD ≠ 系统防护　　接口不加TVS，IEC 一定挂　　永远不要用HBM 去硬扛 IEC 静电枪!

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上海雷卯

发布时间：2026-04-17 09:39 阅读量：1315 继续阅读>>

电磁兼容设计检查清单：<span style='color:red'>工程师</span>必须关注这些细节

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电磁兼容设计检查清单：工程师必须关注这些细节

　　在电子设计中，电磁兼容性(EMC)是至关重要的。EMC设计旨在确保设备在正常工作时不会对其周围环境产生不可接受的电磁干扰(EMI)，同时也不会受到来自其他设备的电磁干扰。　　01 IC芯片的选择　　封装类型：优先选择小间距的表面贴装工艺封装的IC芯片，BGA封装因其具有最低的引线电感而优先考虑。　　偏置电压与工艺技术：选择适当的偏置电压和工艺技术(如CMOS、ECL等)，以最小化EMI。　　电源和地管脚分布：电源管脚和地管脚应成对分配，且相邻分布，以降低环路电感。　　02 信号完整性控制　　信号上升时间：通过优化信号上升时间来控制EMI发射带宽，公式为f=0.35/Tr(f为频率，Tr为信号上升时间)。　　信号回路设计：确保信号电压与信号回路之间紧密耦合，以最小化电容和电感，从而降低EMI。　　03 PCB设计　　内部PCB层结构：采用四层PCB板设计，中间两层分别为电源和地平面层，以降低电源总线上的电压瞬变。　　布线与走线：信号布线应尽量避免长距离平行走线，以减少耦合和干扰。　　去耦网络：在电源总线上设置去耦电容，以吸收和抑制电压瞬变。　　04 封装内部设计　　硅基芯片与内部PCB连接：优先选择直接连接方式(如使用特殊PCB板基材料)，以降低电感。　　内部PCB电容与电感控制：确保内部PCB设计时电容和电感的严格控制，以改善整体EMI性能。　　05 其他因素　　地线设计：确保地线连续、低阻抗，以有效抑制地弹反射。　　滤波与屏蔽：在必要时使用滤波器和屏蔽措施，以进一步降低EMI。

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发布时间：2026-02-06 17:19 阅读量：1053 继续阅读>>

硬件<span style='color:red'>工程师</span>必知：电路原理图设计的十大核心准则

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硬件工程师必知：电路原理图设计的十大核心准则

　　电路设计能否一次性通过测试，除了跟硬件工程师自身的专业理论有关，还包括对硬件项目设计的熟悉程度。比如对元器件原理、选型与使用，懂得绘制原理图、PCB设计、软件工具使用外，还要学会如何调试、优化电路，特别是在设计前期，对电路设计细节的把握，有一套自己的硬件设计思维，能让你设计电路的时间缩短，极大提高设计的成功率。以下是硬件工程师设计电路时，必须时时牢记的十项准则：　　一、电源是系统的血脉，要舍得成本，这对产品的稳定性和通过各种认证是非常有好处的。　　1、尽量采用∏型滤波，增加10uH电感，每个芯片电源管脚要接104旁路电容;　　2、采用压敏电阻或瞬态二极管，抑制浪涌;　　3、模电和数电地分开，大电流和小电流地回路分开，采用磁珠或零欧电阻隔开;　　4、设计要留有余量，避免电源芯片过热，攻耗达到额定值的50%要用散热片。　　二、输入IO记得要上拉;　　三、输出IO记得核算驱动能力;　　四、高速IO，布线过长采用33殴电阻抑制反射;　　五、各芯片之间电平匹配;　　六、开关器件是否需要避免晶体管开关时的过冲特性;　　七、单板有可测试电路，能独立完成功能测试;　　八、要有重要信号测试点和接地点;　　九、版本标识;　　十、状态指示灯。　　如果每次的原理图设计，都能仔细的核对上面十点，将会提高产品设计的成功率，减少更改次数，缩短设计周期。

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发布时间：2026-02-03 16:57 阅读量：1112 继续阅读>>

罗姆漫画第二弹 | 成为超级<span style='color:red'>工程师</span>的第一步！

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罗姆漫画第二弹 | 成为超级工程师的第一步！

　　罗姆“R课堂”应各位工程师的要求，开启了全新漫画系列“Sugiken老师的电机驱动器课堂”!目的是让参与电机设备开发和设计的工程师，特别是面向三相无刷电机驱动电路亦或是初学者们告别从前枯燥无趣的文字，在轻松的漫画氛围中同样可以掌握电机驱动器知识。　　第1集我们跟着主人公一漱学，在Sugiken老师的课堂了解了电机驱动的相关内容，各位工程师可以点击下方前往查看详细内容~　　接下来跟着主人公一起进入第2集课堂吧~　　【第2集】Sugiken登场!　　成为超级工程师的第一步　　从这一集开始，我将为大家介绍与电机相关的基础知识。首先，我们以最基本的有刷电机(带有电刷的电机)为例，来了解一下什么是电机以及电机的旋转原理。然后，我会为大家具体介绍一下无刷电机，这也是我们要学习的主题。　　关于本次讲解详细内容，可以点击下方链接前往查看!　　Sugiken登场!成为超级工程师的第一步　　无刷电机的结构示例和应用示例　　什么是无刷电机?了解电机的极数与槽数、机械角度与电角度、霍尔器件(霍尔IC)

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发布时间：2025-12-18 15:18 阅读量：844 继续阅读>>

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工程师召集！利用罗姆碳化硅模块的优势来助力汽车应用的未来发展

　　近年来随着电动汽车市场的不断扩大，对高性能、高效率的功率半导体器件的需求也在持续增长。碳化硅芯片以其出色的耐高温、耐高压、低损耗等特性，成为电动汽车电机控制器、电池管理系统等关键部位的首选材料。　　罗姆碳化硅业务布局，其贯彻垂直整合生产体系，通过第4代碳化硅晶圆及多类碳化硅模块，如 TRCDRIVE pack™(小型化、低寄生电感、散热好，适配主驱逆变器)、BSTB模块、HSDIP模块与2in1表面贴装模块(适用于OBC等)的性能优势与未来规划，为汽车电动化提供高效解决方案。　　本次研讨会将向大家讲解罗姆碳化硅模块方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　01 研讨会提纲　　1. ROHM碳化硅业务概述　　2. 主流碳化硅模块产品介绍　　3. TRCDRIVE pack™模块　　4. BSTB模块　　5. HSDIP20/2in1 SMD碳化硅模块　　02 研讨会主题　　利用罗姆碳化硅模块的优势　　来助力汽车应用的未来发展　　03 研讨会时间　　2025年12月17日上午10点　　04 研讨会讲师张子阳(高级工程师)　　罗姆半导体公司的功率器件工程师，主要推广碳化硅等功率器件的推广和应用，深度了解碳化硅器件工艺及相关市场。　　相关产品页面　　· 二合一碳化硅封装模块“TRCDRIVE pack™”　　· 碳化硅塑封型模块“HSDIP20”　　· 罗姆碳化硅功率器件系列产品　　· 第4代碳化硅MOSFET　　好礼●来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　标签打印机(30份)　　微信朋友圈　　车载手机支架(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2025-12-04 15:48 阅读量：963 继续阅读>>

CMP工艺<span style='color:red'>工程师</span>常用专业术语

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CMP工艺工程师常用专业术语

　　一、核心工艺参数与性能指标 (Core Process Parameters & Metrics)　　这些是你在日常工作中每天都要监控、分析和报告的关键数据。　　去除速率 (Removal Rate, RR)　　解释：单位时间内去除的薄膜厚度，是CMP最核心的性能指标。通常单位为埃/分钟 (Å/min) 或纳米/分钟 (nm/min)。RR的稳定性和可控性至关重要。　　不均匀性 (Non-Uniformity, NU%)　　解释：衡量整个晶圆表面去除速率差异的指标。通常分为片内不均匀性 (WIWNU, Within-Wafer) 和片间不均匀性 (WTWNU, Wafer-to-Wafer)。NU%越小，代表平坦化效果越均匀，对器件性能一致性越好。　　选择比 (Selectivity)　　解释：指在同一工艺条件下，对两种不同材料的去除速率之比。例如，在浅沟槽隔离(STI) CMP中，我们希望氧化物(Oxide)相对于氮化物(Nitride)有很高的选择比，以在去除多余氧化物的同时，尽可能少地磨损作为停止层的氮化物。　　下压力 (Downforce / Pressure)　　解释：研磨头(Polishing Head)施加在晶圆背面的压力，单位通常是psi (磅/平方英寸)。根据普雷斯顿方程，它是决定去除速率的关键输入参数之一。　　转速 (Rotation Speed)　　解释：指研磨盘(Platen)和研磨头(Head)的旋转速度，单位是rpm (转/分钟)。同样是影响去除速率和流体动力学的关键参数。　　二、关键硬件与耗材 (Key Hardware & Consumables)　　这些是你每天都要接触、更换和维护的物理部件。　　研磨液 (Slurry)　　解释：CMP工艺的“化学”核心。它是由研磨颗粒(Abrasive)和各种化学添加剂(助氧化剂、络合剂、pH稳定剂、表面活性剂等)混合而成的悬浮液。　　研磨垫 (Pad)　　解释：CMP工艺的“机械”核心。通常是聚氨酯(Polyurethane)材料，表面有特定的沟槽(Grooves)设计，用于传输研磨液和带走碎屑。分为硬垫和软垫。　　研磨垫修整器 (Pad Conditioner / Dresser)　　解释：带有金刚石颗粒的圆盘，用于在研磨过程中或研磨间隙对研磨垫进行“修整”。目的是去除嵌入的碎屑，恢复研磨垫表面的粗糙度和微观结构，以维持稳定的去除速率。　　挡环 (Retaining Ring)　　解释：位于研磨头边缘的环状部件，用于在研磨时固定晶圆，防止其滑出。同时，挡环的材质和状态对晶圆边缘的研磨轮廓(Edge Profile)有决定性影响。　　研磨颗粒 (Abrasive)　　解释：研磨液中的固体颗粒，提供主要的机械研磨作用。常见的有二氧化硅(Silica)、二氧化铈(Ceria)、氧化铝(Alumina)等，其粒径、形状和硬度都经过精密设计。　　三、平坦化形貌与缺陷 (Planarization Topography & Defects)　　这些是CMP工艺需要解决的核心问题和常见的失效模式。　　碟形凹陷 (Dishing)　　解释：在金属CMP(如铜互连)中，大尺寸金属区域由于材质较软，被过度研磨，中心区域低于周围介电层，形成碟状凹陷。这会增加后续连线的电阻。　　腐蚀凹陷 (Erosion)　　解释：在高密度图形区域，由于局部压力和化学作用增强，导致大面积的介电层被过度磨损而变薄的现象。　　残留 (Residue)　　解释：研磨后，本应被去除的材料(如金属、氧化物)未能完全去除，残留在晶圆表面。这通常发生在图形的凹陷区域，会导致短路等致命缺陷。　　划伤 (Scratches)　　解释：CMP工艺最常见的缺陷之一。由大的研磨颗粒、外部异物或研磨垫碎屑在晶圆表面划出的线状痕迹。　　边角磨圆 (Corner Rounding)　　解释：在STI CMP中，沟槽的边角被过度研磨而变得圆钝的现象。这会影响晶体管的几何形状和电学性能。　　四、工艺控制与终点检测 (Process Control & Endpoint Detection)　　这些是确保工艺稳定性和精确性的关键技术。　　终点检测 (Endpoint Detection, EPD)　　马达电流法 (Motor Current)：通过监测研磨盘或研磨头马达的电流变化(摩擦力变化)来判断。　　光学法 (Optical)：通过监测特定波长光的反射或干涉信号来判断薄膜厚度变化。　　涡电流法 (Eddy Current)：专门用于金属CMP，通过感应金属膜厚变化引起的涡电流变化来判断。　　解释：判断CMP过程何时应该停止的技术。这是从按时间控制(Timed Polish)向量产控制(Process-Controlled Polish)转变的关键。常见方法有：　　原位 (In-situ)　　解释：指在研磨过程中实时进行。例如“原位终点检测”(In-situ EPD)，“原位修整”(In-situ Conditioning)。　　CMP后清洗 (Post-CMP Clean)　　解释：一个至关重要的独立工序。使用刷洗、兆声波清洗和化学药液，去除CMP后残留在晶圆表面的颗粒、金属离子和有机物。清洗的好坏直接决定最终的缺陷水平。　　金属填充 (Dummy Fill / Metal Fill)　　解释：一种版图设计端的优化手段(DFM, Design for Manufacturability)。在图形密度低的区域，预先填充不具备电学功能的“假”金属块，以提高整个版图的图形密度均匀性，从而极大地改善CMP后的平坦度，减少Dishing和Erosion。　　五、理论与模型 (Theory & Models)　　这些是理解CMP机理、进行深入研究的理论基础。　　普雷斯顿方程 (Preston's Equation)　　解释：CMP最基础的经验模型：RR = Kp * P * V。其中RR是去除速率，P是压力，V是相对速度，Kp是普雷斯顿系数(一个包含了所有其他化学和材料因素的经验常数)。　　斯特里贝克曲线 (Stribeck Curve)　　解释：描述润滑状态下摩擦系数与(粘度×速度/压力)关系的曲线。在CMP中，它被用来解释研磨垫、晶圆和研磨液三者之间的复杂作用，帮助我们理解从接触式研磨到流体动力学研磨的转变，对优化工艺窗口有指导意义。　　希望这份清单对你有所帮助。在实际工作中，你会发现这些术语总是交织在一起出现。例如，你需要调整下压力和转速来优化去除速率，同时监控不均匀性，并利用终点检测来防止碟形凹陷和腐-蚀凹陷的发生。祝你在CMP领域不断进步。

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CMP

发布时间：2025-08-27 11:52 阅读量：1626 继续阅读>>

<span style='color:red'>工程师</span>必备：36个开关电源专业名词解释

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工程师必备：36个开关电源专业名词解释

　　在快速发展的电力电子领域，无论是设计、选型、应用还是维护电源系统，清晰准确地理解相关术语至关重要。本文系统性地汇编了开关电源、DC/DC变换器及相关技术中常见的核心术语与概念，力求为工程师、技术人员及爱好者提供一份简洁明了的参考指南。掌握这些术语，是高效沟通、优化设计、规避风险、确保系统可靠运行的基础。　　辅助电源/AUX(Auxiliary power supply)：在有些AC/DC电源和DC/DC变换器中，有一个辅助的电源，一般加上输入电压以后就会有输出(少数辅助电源，例如，给风扇的电源也有受控的)，它主要用作控制信号的电源。　　“砖”/Brick：DC/DC变换器中，“Brick”是用来表示模块大小的“单位”，有所谓的全砖、半砖、1/4砖、1/8砖、1/16砖等，例如，密封的半砖模块，其大小为2.40×2.30×0.50(单位为英寸)，而开架结构半砖模块的大小为2.40×2.28×0.30(单位为英寸)(高度还有0.34英寸等不同的数值)。　　均流端/ CB (Current Balance)：为了增加输出功率，把多个具有相同输出电压和输出功率的电源并联使用，把它们的“CB”端连接在一起，以达到各个模块的输出电流大致相等，以免由于不均流而导致个别电流太大的模块损坏，均流端也有用“PC”，“SWP”，“C Share”等表示。　　立方英尺/分钟和英尺/分钟/CFM(Cube feet minute)、LFM(Line feet minute)：风冷的流量单位，CFM=LFM×面积S。风速的另一个单位为米/秒。　　共模噪声/Common Mode Noise：指两导体对某个基准点具有大小基本相等，方向相同的噪声，通常指交流输入L线和N线对地的噪声，可通过共模电感和Y电容来抑制它们。　　降额/Derating当环境温度较高时(例如50℃以上)，有的电源必须要降低使用的输出功率，另外，有些电源在规定的输入电压范围的低端，不能满足所有的输出参数(例如：电压可调范围或功率)，要降额使用。　　动态响应/Dynamic Response：当负载出现突变时，电源的输出电压会出现瞬间的过冲，然后回到正常输出状态，动态响应关心的是过冲幅度的大小和响应时间的长短。　　电磁兼容/EMC(Electromagnetic compatibility)：指电源在工作中产生的电磁发射要限制在一定的范围内，另外它本身也要有一定的抗干扰能力。　　电磁干扰/EMI(Electromagnetic Interference)：分为传导发射(conducted emissions)和辐射发射(Radiated emissions)。　　散热器/Heat sink：用来帮助电源内的功率元器件散热的外加金属附件，一般以铝材为多，DC/DC模块的铝基板和散热器之间，应加一些导热硅胶或导热膜，使它们有良好的接触，有助于热量的散出。　　保持时间/Hold-up Time：在开关电源的输入电压撤销后，依然保持额定输出电压不变的时间。　　浪涌电流抑制/Inrush Current Limiting：限制开机瞬间过大浪涌电流的抑制电路，最简单的是在输入电路中串接热敏电阻，也可在输入电路中串接MOS管并联功率电阻等方法来抑制浪涌电流。功率因数校正电源模块中的浪涌抑制电路是用可控硅和功率电阻并联来完成的。　　绝缘/Isolation：在电源设备中，输入端和输出端的隔离是通过高频变压器来完成的。　　环境管理体系标准/ISO14000：是国际标准化组织(ISO)继ISO9000系列标准后提出的又一套重要的系列标准。它是一整套新的、国际性的、环境方面的管理性标准，包括环境管理体系、环境审计、环境标志、环境行为评价、产品寿命周期等几个方面。该标准是一套环境自愿性标准，通过第三方认证的方式实施。　　漏电流/Leaking Current：通过输入交流电源线(L线和N线)和地线之间的电流，我国军用标准GJB1412，规定的泄漏电流小于5mA，在医疗设备上使用的电源，其漏电流一般要求小于100UA。　　电源电压调整率/Line Regulation：指输出负载固定时，输入电压从最小值缓慢变到最大值时，输出电压的变化，用百分数表示(有时也用变化量表示)。　　负载调整率/Load Regulation：指输入电压为额定值，输出负载电流从最小值缓慢变到最大值时，输出电压的变化，用百分数表示(有时也用变化量表示)。　　低电压指令/LVD (Low Voltage Directive)：CE标志中的一条指令，它的对象是电压在50-1000Vac 或75-1500Vdc范围内工作的设备或机器，确保产品不危害人身与财物的安全。　　最小负载电流/(Minimum Load Current)：在多路输出的电源中，有些多路输出的电源在其主路必须施加一个最小的负载电流，才能保证各路输出稳定可靠地工作。有些单路输出的电源，在并联的时候，也要加一个最小的负载电流。　　平均无故障时间/MTBF(Mean Time Between Failure)：可以计算也可以由温度加速寿命试验来认证。　　负逻辑/Negative Logic：指控制模块开关的信号为低有效。当控制端对-Vin的电压为低电时，模块有输出;为高电时，模块被关闭。　　过流保护/OCP(Over Current Protection)：当输出电流大于105-145%的额定电流值时，电源开始保护(输出电压下降直至停止输出)，在消除了过载状态后，一般能自行恢复输出。　　并联工作/Parallel Operation：为了增加输出功率把二个模块并联起来使用，一般采用同功率，同输出电压的模块，必须把均流端连在一起，保证输出电流大致相等。总的输出电流应该小于总电流的95%。在1+1备份使用中，由于有二极管的隔离，就无所谓均流的问题了。对于并联工作的模块，其输入端必须分别连接共模电感和Y电容，以免模块之间互相影响。　　功率因数校正/PFC(Power Factor Correction)：开关电源因采用电容输入滤波，功率因数很低，一般只有0.65左右，大大降低了交流电力的利用率，与此伴随的是输入电流严重的非正弦失真而增加了对电网的污染，为提高功率因数而采用功率因数校正电路，通常分为无源PFC和有源PFC两种。而且有专用功率因数校正的集成电路。　　正逻辑/Positive Logic：指控制模块开关的信号端为高有效。当控制端Remote ON/OFF对-Vin 端的电压为高电平时，模块有输出;为低电平时，模块被关闭。一般非隔离DC/DC模块的Remote ON/OFF端悬空时，为模块开启状态。　　脉冲宽度调制/PWM (Pulse Width Modulation)：在开关管频率恒定的条件下，通过改变脉冲导通宽度的方法来实现稳压输出的一种方法。　　遥控开关/Remote ON/OFF：也有称CNT、RC等各种称谓，有正逻辑和负逻辑两种方式，一般DC/DC隔离模块的控制端在悬空时为高电平。而非隔离模块的控制端悬空时，正逻辑为高电平，而负逻辑为低电平，使用时更方便，如果不用控制端，悬空就行。　　射频干扰/RFI(Radio Frequency Interference)：由开关电源的开关元件工作而引起的，不希望传输和发射的高频能量频谱。　　纹波和噪声/Ripple and noise：电源直流输出端的交流分量的幅值，用峰一峰值或有效值来表示，纹波的频率和开关频率相同，而噪声是由开关管，高频变压器、整流二极管等元器件的工作而产生的尖峰电压。　　指限制使用某些有害物质的指令/RoHS(Restriction of Hazardous Substances)：有害物质包括：镉Cd、铅Pb、汞Hg、六价铬Cr6+、多溴联苯PBB和多溴联苯醚PBDE六种物质;DC/DC模块电源满足RoHs标准必须要求：镉物质的含量小于0.01%(100ppm)，其它物质的含量小于0.1%(1000ppm)。　　串联工作/Series Operation：为了增加输出电压而把二个模块串联起来使用，一般采用同功率同输出电压的模块。如果功率不同的模块串联使用，应以输出电流小的值作为总的电流。另外模块串联使用，必须在每个模块的输出端并联一个反向肖特基二极管，因为在开机时，由于不同电源模块输出端的电压的建立可能不同步，较慢启动模块的输出端被加上反向电压，反向偏置连接的二极管提供了一个反向电流的通路，起到了保护模块的作用。　　单列直插封装/SIP(Single In–line package)：模块的一种封装形式，一般为小功率DC/DC模块和非隔离电源中使用。　　输出电压调整端/Trim：外加电阻网络或电压源，可在一定的范围内调节模块的输出电压，输出电压被调高以后，输出电流应该减小，保证输出功率不会超过其额定值。在双路输出的模块中，有二路独立的Trim端，也有二路输出公用一个Trim端，也有一路有Trim端，另一个输出固定。　　X电容/X-Capacitor：和电感组成的π型滤波器的二个电容，用来滤除两根输入线的噪声。　　Y电容/Y-Capacitor：分别接在二根输入线到地的陶瓷电容和共模电感一起用来抑制共模噪声的，单从EMI滤波器的角度出发，Y电容越大越好，但从安全角度出发，Y电容的容量应越少越好，因为漏电流的大小取决于EMI滤波的Y电容的容量，最终Y电容的容量应根据安全标准来决定。　　安全距离：包括电气间隙(空间距离)，爬电距离(沿面距离)和绝缘穿透距离;电气间隙：两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿空气测量的最短距离;爬电距离：两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿绝绝缘表面测量的最短距离。　　本文梳理的电源核心术语，如同构建复杂电源系统知识大厦的一块块基石，对这些术语的精准把握，直接关系到电源产品的性能、效率、可靠性与合规性。

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开关电源

发布时间：2025-07-08 15:50 阅读量：1657 继续阅读>>

硬件<span style='color:red'>工程师</span>应记住的10大软件技巧

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硬件工程师应记住的10大软件技巧

　　嵌入式系统设计不仅需要了解硬件，还需了解软件是如何影响硬件并与硬件进行交互的。设计硬件所需的范式可能与设计软件完全相反。当从硬件设计转向包含软件的设计时，硬件工程师应牢记以下十个技巧。　　01流程图第一，实现第二　　当工程师首次迈入软件开发领域时，会有一种强烈的诱惑力促使他们立刻投入工作并开始写代码。这种做法就好比在电路逻辑图还未完成前就试图设计印刷电路板(PCB)。在着手开发软件时，抑制一上来就想写代码的冲动至关重要，应首先用流程图制定一个软件架构图。这样的方法会使开发人员对应用所需的不同部分与组件形成一个概念，就像电路逻辑图可以告诉工程师需要哪些硬件元件一样。这样可确保程序整体建立在良好的组织和深思熟虑之上，减少程序调试时间，从长期看，这样做还可以节省时间、省去麻烦。　　02使用状态机控制程序流程　　状态机是20世纪最伟大的软件发明之一。一个应用程序往往可被分为多个状态机，每个状态机都控制该应用程序的特定部分。这些状态机都拥有自己的内部状态和状态转换，从中可看出软件如何与各种激励相互作用。用状态机来设计软件，可简化软件的开发，使之模块化、可维护，并易于理解，相关文章请移步此处:谈谈单片机编程思想——状态机。现在已经有多种资源来演示状态机理论和算法。　　03避免使用全局变量　　在函数式编程的年代，函数要先于形式，程序员的唯一目标是尽可能地让程序按预期方式快速运行，而不用考虑程序结构或可重用性。这种编程范式会毫无顾虑地使用全局性变量，程序中的任何函数都可能修改它。其结果就造成了变量被破坏的几率增加或变量被误用。在新推荐的面向对象的范式中，应在最小的范围内定义变量并封装它们，以防止其他函数的误用或破坏。因此，建议限制使用全局变量的数量。在C语言中可用外部关键字标识这些变量。　　04充分利用模块化特性　　无论问哪一名工程师，项目的哪部分最有可能延迟交付并超出预算，答案都是软件。软件往往是复杂的，且难以开发和维护，尤其是当整个应用都存在于单个文件或松散关联的多个文件中时。为了改善可维护性、可重用性及复杂性，强烈建议程序员充分利用现代编程语言的模块化特性，将常用功能分解成模块。以这样的方式分解代码，程序员就能着手建立函数与特性库，然后在一个接一个的应用中重用它们，从而通过连续测试而改善代码质量，同时也减少了开发时间，降低了开发成本。　　05保持中断服务例程的简单性　　中断服务例程用来中断处理器对当前代码的执行，而去处理刚刚触发中断的外围设备。无论何时执行中断，都需要一定的开销，用于保存当前程序的状态并运行中断，然后将处理器回归原程序状态。现代处理器要比多年前的处理器快得多，但仍需要考虑此花销。一般情况下，程序员都想把中断运行时间降至最低，以避免干扰主代码。这意味着中断应该短而简单。中断中不应调用函数。此外，如果中断变得过于复杂或耗时，那么就应该只在必要时利用中断做最少量的工作，例如，将数据载入缓冲区并设置一个标志，然后让主代码处理输入的数据。这样做可保证大多数处理器的时间用于运行应用，而不是处理中断。　　06使用处理器示例代码进行测试　　设计硬件时，构建原型测试电路总是有益的，这样可确保工程师对电路有正确的理解，然后再做电路板布局。这在设计软件时也同样适用。硅片制造商通常都有示例代码，可用来测试微处理器的各个部分，这样工程师们就可判定该部分的工作情况。此方法使人们明确知道应该如何设计软件体系架构，以及可能碰到的任何问题。在设计初期了解可能存在的障碍，比在产品交付前的最后几小时才发现它们要好得多。这是预先测试一段代码的好方法，但需提醒的是，制造商代码往往不是模块化的，要经过彻底的修改才可用于实际应用。随着技术的进步，也许某一天芯片供应商会提供可用于生产的代码。　　07限制功能复杂度　　工程学中有一个旧词叫“KISS”——保持简单和直接。无论在处理何种复杂的工作时，最简单的方法就是把它分解为更小、更简单、更易处理的任务。随着工作或功能变得越来越复杂，人们要准确无误地记录所有的细节也变得更困难。在写一个函数时，其复杂度在当时看似适中，然而还必须考虑到，6个月后当工程师进行维护时，还需要查看代码。测量函数复杂度(如循环复杂度)的方法很多，现在已经有工具可以自动计算某个函数的循环复杂度。由经验可知，函数的循环复杂度保持在10以下是最理想的。　　无论在处理何种复杂工作时，最简单的方法就是把它分解为更易处理的任务。　　08使用源代码存储库并频繁提交代码　　人都是会犯错误的，写代码时也会犯错。这就是为什么开发人员使用源代码存储库是如此重要。源代码存储库可使开发人员“存入”一个好的代码版本，并描述对该基础代码所做的修改。这不仅使开发人员可以复原或追溯到的旧版代码，还可以比较旧版代码之间的不同。如果开发人员做的一系列修改破坏了系统，只需点击一下即可恢复好代码版本!请谨记，如果不频繁提交代码，存储库就不会达到预期目的。如果做了不可修复的改变，过两周才提交代码再恢复的话，就会造成大量工作和时间的损失!　　09代码注释　　在紧张的软件开发中，开发人员很容易把注意力集中在编写和调试代码上，而忽略做详细的注释。在压力之下，注释工作往往拖到最后，因为开发人员认为这是最后的一件事。然而，趁代码在你脑中记忆犹新时就做注释是至关重要的，这样做可使其他开发人员或以后你自己读懂注释，理解代码是如何工作的。　　10使用Agile开发流程　　无论做何种类型的工程设计，都建议先设定并遵守某种流程，以便质量和成本都保持稳定的并能按时交付。软件开发人员已成功使用Agile开发流程开发高质量软件，这一流程可按任务的优先顺序做开发。优先级别最高的任务在指定的时间内首先完成，这被称为迭代。这种方法的好处是可以使软件开发流程保持顺畅，还可以根据结果和客户的需要，使需求和任务适应每一次迭代并做相应的修改。

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软件技巧

发布时间：2025-05-06 17:56 阅读量：1310 继续阅读>>

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