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明天15点开播！AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源<span style='color:red'>技术</span>专场，海量好礼等你拿！

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明天15点开播！AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源技术专场，海量好礼等你拿！

　　AI 算力爆发，服务器功耗持续飙升，下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。　　AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆，带来专场技术直播，深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案，同时分享功率器件在机器人领域落地实践，工程师不要错过!　　扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，多重好礼等你拿!　　直播信息　　直播时间　　10 月 30 日 15:00‑17:00 　　直播嘉宾　　AMEYA360 PM Dean(主持人)　　ROHM FAE Musk(原厂技术分享)　　直播核心看点　　AI 时代功耗危机　　AI 服务器耗电量激增背景，传统电源架构瓶颈解析　　下一代供电演进　　800V 总线高压直流架构优势，降低线缆损耗、减重降铜材成本，DC‑Grid 可再生能源适配方案　　ROHM Power Rack 完整方案　　IDM 垂直整合优势，SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势：面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路　　拓展应用　　功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用　　在线答疑　　设计难题现场问诊，和原厂 FAE 面对面交流　　直播间福利　　直播互动抽奖，电子周边、礼品等多重好礼等你来!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　移动端入口：　　1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1　　2、跳转到(图 2)，点击新用户注册&登录图2　　3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮，找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)　　4、密码要设置的比较复杂，最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中，可忽略不填　　　5、提交信息后，去注册邮箱收激活账号的邮件，点击链接激活　　　　6、点击激活链接后，再重新到第一步，点击链接，用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　　注：使用 PC 端进行 ESH 注册，邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录，　　若没有自动登录且跳转到首页或显示错误，还需要到首页自行登录一次　　注册完成后必须要登录才算有效注册!!!　　　　　　还没有预约直播的小伙伴，扫描海报二维码完成预约，10 月 29 日 14:00，我们直播间不见不散!

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发布时间：2026-10-29 17:08 阅读量：345 继续阅读>>

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动<span style='color:red'>技术</span>篇：低边 SiC 开关开通 / 关断时，栅源电压如何优化？

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AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：低边 SiC 开关开通 / 关断时，栅源电压如何优化？

　　本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况和LS关断时的动作情况。　　SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作　　当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VGS向下推，在HS会将VGS向负极侧拉，使之产生负浪涌(波形示意图VGS的T1)。　　当ID的变化结束时，LS的VDS的电位降低(波形示意图T2)。所以，公式(2)中的电流就像等效电路图中的(II)-1、(II)-2那样流动，并且VGS会分别引发下列公式(3)、(4)中的电压上升。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　VDS刚刚开始变化后，公式(3)的VGS上升为主，随着时间的推移，公式(4)的VGS也开始上升。也就是说，MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。　　如等效电路图所示，HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此，本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时，就会与LS的导通工作重叠，致使HS和LS的MOSFET同时导通，从而引发直通电流。　　ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束，并被积蓄在LTRACE中，但会在VSW变化结束的时间点消失，LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响，ICGD2可能会达到几安培，并且该电动势可能会增加。　　受上述事件(I)、(II)、(III)的影响，LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外，图中VGS的虚线波形表示理想的波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω，(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。　　dVDS/dt带来的LS的VGS上升和HS的VGS负浪涌(波形示意图T4)是事件(IV)。　　波形示意图的T4周期结束时，公式(1)所示的ICGD1消失时发生的浪涌是事件(V)。公式(1)与之前使用的公式相同。　　然后，漏极电流发生变化(波形示意图T6)，并发生公式(2)所示的LSOURCE引起的电动势，电流如等效电路的事件(VI)中所示流动。公式(2)也与之前使用的公式相同。　　可以看出的动作是，由于该电流以源极侧为负极向MOSFET的CGS充电，因此在HS侧将VGS推高，在LS侧将VGS向正极侧拉升，以防止VGS下降。结果就产生了波形示意图所示的VGS动作。波形示意图中VGS的虚线表示理想的电压波形。　　外置栅极电阻的影响　　下面是SiC MOSFET桥式结构的LS关断时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω时，(b)为10Ω。图中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。　　如波形图所示，可以看到事件(V)的浪涌非常明显。　　尽管由VDS的变化引起的事件(IV)的影响很小，但由于HS中事件(IV)引起的负浪涌常常会超过额定值，在这种情况下，就需要对电路采取相应的措施。要想减少这种关断时的HS负浪涌，需要减小HS栅极电阻RG_EXT。然而，需要注意的是，在前文介绍过的常用栅极电阻调节电路中，事件(IV)在电阻值高的RG_ON侧较为突出。　　关于由事件(VI)引起的VGS抬升，由于该时刻正好在关断(Turn-off)结束之前，所以即使HS进入导通(Turn-on)动作，SiC MOSFET桥式结构的LS也已经被关断，几乎不会造成什么问题。

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发布时间：2026-10-28 13:22 阅读量：328 继续阅读>>

松下 | 什么是自动驾驶<span style='color:red'>技术</span>中的域控制单元（DCU）？～负责高性能化的元器件群～

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松下 | 什么是自动驾驶技术中的域控制单元（DCU）？～负责高性能化的元器件群～

　　背景　　DCU(Domain Control Unit)是一种ECU(Electronic Control Unit)，它在车载系统中对数据进行综合处理和判断，并指挥车辆的操作。随着驾驶辅助技术和自动驾驶技术的进步，预计DCU的数量将会逐年增加。我们将在本消息中就ADAS/AD用DCU的功能和系统构成进行解说，同时对构成DCU的电子零部件的产品阵容进行介绍。　　PART 01　　关于ADAS与AD的差异　　ADAS(Advanced driver-assistance systems)是指先进驾驶辅助系统，它通过辅助或协助驾驶员的驾驶来设法提高行驶安全性。另一方面，AD(Autonomous Driving)是指自动驾驶，由系统来取代人进行自动驾驶。　　自动驾驶被SAE(Society of Automotive Engineers：美国汽车工程师协会)定义为0～5级。0～2级，人是驾驶的主体，从3级起驾驶的主体则由人转变为车辆。　　PART 02　　ADAS/AD的系统构成　　要实现ADAS/AD，需要具备传感器ECU、主ECU、执行元件ECU　　传感器ECU：用来识别周围环境等(摄像头、RADAR、LiDAR、超声波传感器等)。　　主ECU：用来进行数据处理或判断等(ADAS-ECU、AD-ECU、DCU等)。　　执行元件ECU：用来进行驾驶操作或辅助(加速器、刹闸、转向器、马达、发动机等)。　　此外，从检测到执行的流程如以下图1所示　　PART 03　　关于域型和区型　　面向ADAS/AD的系统构成包括域型(分散)和区型(集中)　　域型：每个功能被分类为叫做域的组，按每个域将ECU集中起来。它通过网关与其他域连接起来，并在每个域ECU中进行数据处理。　　区型：按车身位置的每个关键点将ECU集中起来。此外，在系统中央部设置了一台中央计算机，在这里进行从关键点收集的数据处理和操作。　　PART 04　　什么是ADAS/AD用DCU?　　每个功能域(例：ADAS/AD、通信、动力系统、车身、驾驶舱)都有一个DCU(Domain Control Unit)。各DCU担负着将相同域的多台设备集中起来，对数据进行综合处理和判断，并通过与其他DCU的协作和数据收发来操作车辆和设备的重任。　　譬如，在面向ADAS/AD的DCU上，各种传感器设备被集中在一起，用来对数据进行综合处理和判断，并执行安全驾驶辅助和自动驾驶的操作。　　PART 05　　DCU的市场&设备趋势　　安装有域型系统DCU的车辆，预计以自动驾驶水平2级以下为中心将会逐渐增加。随着自动驾驶水平的进一步提高，必须相应地增加安装的传感器数量，以获取周围的环境数据。由于传感器数量的增加，DCU的数据处理量也随之增加，执行处理的主半导体的功耗也会随着性能的提高而增加。　　作为面向DCU的元器件，将要求其具备“大电流”“低损耗”“小型化”“高频率”“高精度(电压)”等特点。　　PART 06　　DCU的系统构成　　DCU及其外围设备，是按以下图3所示方式连接起来的。DCU的内部，是由与传感器ECU或其他DCU进行通信的收发器电路、对来自传感器ECU的数据进行处理和判断的SoC(System on a Chip)和各种存储器、基于由SoC做出判断的内容进行行驶控制的MCU、以及这些各种电路的动作所需的DC/DC转换器电源电路构成。　　1　　收发器I/F　　如图4中所示，收发器电路使用两根线与外部设备(CAN、Ethernet等)进行通信。此时，如果噪声或静电从通信线路混入，则恐会导致收发器IC故障。因此，收发器电路通常由用于静电预防措施的片式压敏电阻器和ESD抑制器构成。　　使用部件　　静电预防措施片式压敏电阻器、ESD抑制器　　❶ 藉由具有广泛电容特性的产品阵容，在保持电路通信质量的同时，为抑制静电(ESD)噪声做出贡献。　　❷ 片式压敏电阻器藉由其8~250pF的电容特性，支持从低速到高速的通信速度。　　❸ ESD抑制器藉由其0.1pF的电容特性，支持高速的通信速度。　　2　　DC/DC转换器　　> 所谓DC/DC转换器 <　　DC/DC转换器是将一种直流电压转换成不同直流电压的电路。各自的电路所需的电压值不同，需要转换成与其相匹配的电压。DC/DC转换器的电路通常由FET、线圈、电容器构成。　　> 按类型区分的电路构成 <　　DC/DC转换器的电路构成根据要处理的功率、电压、电流和负荷过渡响应而不同。如图5所示，电路构成大致上包括3种类型。　　由于电流值非常大，使用多个线圈和FET来分担负荷电流(多相)。此外，由于剧烈的电流变动在瞬间发生会导致电压下降，因而除了使用MLCC(陶瓷电容器)外，还使用聚合物电容器来防止电压下降。　　在电流大量流过的电路中使用电容大的电容器。这里也一样，除了使用MLCC(陶瓷电容器)外，还使用聚合物电容器。　　这是通常的DC/DC转换器的电路。　　使用部件　　DC/DC转换器电路中，为了去除输入部的噪声和使得输出部平滑，通常使用导电性聚合物混合铝电解电容器，为了进行电压转换，通常使用车载用功率电感器，为了进行电压测量，通常使用芯片电阻器(高精度芯片电阻器)。　　噪声去除、开关和平滑　　导电性聚合物混合铝电解电容器　　❶藉由大电容、低ESR和高纹波性能，为电路的小型化和高功率化(低电压和大电流)做出贡献。❷支持高频电容特性，为宽带和高频去除电路的高频开关化中产生的噪声做出贡献。　　电压转换　　车载用功率电感器　　❶藉由金属磁性材料的低损耗和大电流性能，为电路的小型化和大功率化(低电压和大电流)做出贡献。　　❷藉由损耗特性的高频化(低ACR)，为在电路的高频开关化中抑制损耗做出贡献。　　电压测量　　芯片电阻器 (高精度芯片电阻器)　　❶藉由薄膜结构的电阻值公差、低TCR性能，为电路输出特性的高精度控制化做出贡献。　　小结　　为实现自动驾驶不可或缺的DCU，预计今后其安装数量将会不断增加。这是因为自动驾驶水平越高，就必须安装越多的传感器来获取周围的环境数据。今后，要求我们在抑制半导体功耗的同时，支持“大电流”、“低损耗”、“高频”、“小型”。作为面向DCU的产品，松下机电株式会社拥有为满足各种要求的广泛的商品群和高性能元器件(表)。

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松下

发布时间：2026-10-27 14:37 阅读量：259 继续阅读>>

直播预告丨AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 ROHM ESH 官方<span style='color:red'>技术</span>论坛

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直播预告丨AMEYA360×ROHM：AI 服务器电源与机器人应用，同步解锁 ROHM ESH 官方技术论坛

　　AI 算力爆发，服务器功耗持续飙升，下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。　　AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆，带来专场技术直播，深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案，同时分享功率器件在机器人领域落地实践，工程师不要错过!　　扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，多重好礼等你拿!　　直播信息　　直播时间　　10 月 30 日 15:00‑17:00 　　直播嘉宾　　AMEYA360 PM Dean(主持人)　　ROHM FAE Musk(原厂技术分享)　　直播核心看点　　AI 时代功耗危机　　AI 服务器耗电量激增背景，传统电源架构瓶颈解析　　下一代供电演进　　800V 总线高压直流架构优势，降低线缆损耗、减重降铜材成本，DC‑Grid 可再生能源适配方案　　ROHM Power Rack 完整方案　　IDM 垂直整合优势，SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势：面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路　　拓展应用　　功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用　　在线答疑　　设计难题现场问诊，和原厂 FAE 面对面交流　　直播间福利　　直播互动抽奖，电子周边、礼品等多重好礼等你来!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　移动端入口：　　1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1　　2、跳转到(图 2)，点击新用户注册&登录图2　　3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮，找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)　　4、密码要设置的比较复杂，最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中，可忽略不填　　　5、提交信息后，去注册邮箱收激活账号的邮件，点击链接激活　　　　6、点击激活链接后，再重新到第一步，点击链接，用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703　　　注：使用 PC 端进行 ESH 注册，邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录，　　若没有自动登录且跳转到首页或显示错误，还需要到首页自行登录一次　　注册完成后必须要登录才算有效注册!!!　　　　　　还没有预约直播的小伙伴，扫描海报二维码完成预约，10 月 29 日 14:00，我们直播间不见不散!

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发布时间：2026-10-26 14:46 阅读量：473 继续阅读>>

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动<span style='color:red'>技术</span>篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

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AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

　　在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。　　下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流(绿色线)。　　ID的变化dID/dt所产生的电压　　ID的变化将会产生下述公式(1)所示的电压。　　这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。　　VDS的变化dVDS/dt所产生的电流　　以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会流过电流ICGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式(2)所示。　　从公式可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。　　dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时是不同的。在下一篇文章中将会进一步详细解说。　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

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发布时间：2026-10-22 10:05 阅读量：429 继续阅读>>

圆满收官｜江西萨瑞微电子亮相第五十三届电磁测量<span style='color:red'>技术</span>、标准、产品研讨会及展会

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圆满收官｜江西萨瑞微电子亮相第五十三届电磁测量技术、标准、产品研讨会及展会

　　会议前言/Preface　　为期两天(10月15日—16日)的第五十三届电磁测量技术、标准、产品研讨会及展会在江苏溧阳圆满落下帷幕。作为电工仪器仪表领域极具影响力的行业盛会，本次大会聚焦新型电力系统、量测技术迭代与行业标准升级，汇聚计量机构、仪表设备厂商、元器件产业链同仁共话产业发展。　　NO.1　　盛会相聚，现场精彩回顾　　Gathering of the Great, Highlights of the Event　　江西萨瑞微电子携IDM全产业链自研成果亮相T128展位，集中展示功率半导体、电路保护器件、模拟IC全套解决方案，面向电磁测量、电工仪器仪表应用场景，为国产仪表设备提供稳定可靠的核心元器件支撑。　　技术为本，深耕电磁测量领域　　依托自身研发实力，萨瑞微电持续聚焦功率半导体器件研发与产业化，面向电磁测量、工业测控等场景提供可靠元器件解决方案。我们坚持以高标准把控产品性能，匹配电磁测量行业高精度、高稳定性的应用需求，助力客户产品迭代升级。　　NO.2　　深耕智能仪表，赋能电磁测量　　Dedicated to intelligent instruments, empowering electromagnetic measurement　　依托自身研发实力，萨瑞微电针对智能电表全电路链路，提供整流桥、肖特基二极管、开关管、稳压管、TVS/ESD 保护器件、晶体管、MOSFET、LDO 等全套功率半导体元器件。　　产品覆盖电表电源、计量采样、通讯接口、防窃磁、静电防护等模块，以高稳定性、高可靠性的器件，匹配电磁测量行业高精度的严苛要求，助力电表厂商简化 BOM 选型、加速产品迭代。　　01　　智能仪表选型　　智能电表在继承传统电能表对有功、无功用电量进行精确计量的基础功能之上，进一步面向智能电网建设、分布式新能源接入以及互动式用电管理需求，扩展实现了双向电能计量、多时段费率结算、用户端智能控制、远程数据通信等智能化功能，能够支撑电网实时监测、阶梯电价执行、分布式电源并网计量以及用户用电精细化管理等复杂应用场景。　　NO.3　　技术为本，匹配电表全链路器件　　Technology-driven, matching full-link metering devices　　我们的器件产品矩阵适配智能电表硬件各大模块：　　智能电表在继承传统电能表对有功、无功用电量进行精确计量的基础功能之上，进一步面向智能电网建设、分布式新能源接入以及互动式用电管理需求，扩展实现了双向电能计量、多时段费率结算、用户端智能控制、远程数据通信等智能化功能，能够支撑电网实时监测、阶梯电价执行、分布式电源并网计量以及用户用电精细化管理等复杂应用场景。　　NO.4　　交流不止，携手奔赴新征程　　Continuous communication, join hands to embark on a new journey　　短暂相聚，长久同行。本次展会虽已结束，但技术交流与合作探索不会停止。感谢每一位莅临展位的客户、专家与同行的信任与支持。　　未来，江西萨瑞微电将持续打磨半导体器件产品，精进技术，深耕智能仪表与电磁测量赛道，期待下一次与行业伙伴再度相遇，共创产业价值!

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江西萨瑞微

发布时间：2026-10-21 09:48 阅读量：284 继续阅读>>

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动<span style='color:red'>技术</span>篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

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AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：SiC-MOSFET的桥式结构栅源电压动作解析

　　从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。　　前言　　MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外，所使用的电路方式也多种多样，除单独使用外，还有串联连接、并联连接等多种使用方法。　　其中，在将开关元件上下串联连接的桥式结构中，通常交替地导通与关断各个元器件。下面是常规的桥式结构同步方式boost电路，波形图是根据栅极信号交替地导通/关断的低边(LS)MOSFET和高边(HS)MOSFET的漏极-源极间电压(VDS)和漏极电流(ID)示例。　　通过开关工作，流过各元件的电流和变化的电压以复杂的方式相互影响。尤其是在处理高电压高电流的电路中，受安装电路板和结线引起的寄生分量等影响，产生电压和电流的动作，并因此导致工作不稳定、效率下降，从而可能导致损耗增加、产生异常发热等问题。　　近年来，SiC MOSFET等高性能功率元器件的应用，使得通过高速开关转换大功率成为可能，但在操作过程中，需要对开关工作有深入的了解。　　在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。　　SiC MOSFET的桥式结构　　下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。　　该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态，即所谓的硬开关状态的波形。　　横轴表示时间，时间范围Tk(k=1～8)的定义如下：　　T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段　　T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段　　T3： LS为ON时的时间段　　T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段　　T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段　　T4～T6： HS变为ON之前的死区时间　　T7： HS为ON的时间段(同步整流时间段)　　T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间　　本文将针对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。　　SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路　　LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。　　右图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号(VG)、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻(RG_INT)、以及SiC MOSFET的封装的源极电感量(LSOURCE)、栅极电路局部产生的电感量(LTRACE)和外加栅极电阻(RG_INT)。　　关于各电压和电流的极性，需要在等效电路图中，以栅极电流(IG)和漏极电流(ID)所示的方向为正，以源极引脚为基准来定义VGS和VDS。　　SiC MOSFET内部的栅极线路中也存在电感量，但由于它比LTRACE小，因此在此忽略不计。　　导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作　　为了理解桥式电路的Turn-on / Turn-off动作，下面对上一篇文章中提到的桥式电路中各SiC MOSFET的电压和电流波形进行详细说明。下面的波形图与上次的波形图是相同的。我们和前面的等效电路图结合起来进行说明。　　当正的VG被施加给LS侧栅极信号以使LS侧ON时，Gate-Source间电容(CGS)开始充电，VGS上升，当达到SiC MOSFET的栅极阈值电压(VGS(th))以上时， LS的ID开始流动，同时从源极流向漏极方向的HS侧ID开始减少。这个时间范围就是前一篇文章中定义的T1(见波形图最下方)。　　接下来，当HS侧的ID变为零、寄生二极管 Turn-off时，与中间点的电压(VSW)开始下降的同时，将对HS侧的Drain-Source间电容(CDS)及Drain-Gate间电容(CGD)进行充电(波形图T2)。对该HS侧的CDS+CGD充电(LS侧放电)完成后，当LS侧的VGS达到指定的电压值，LS侧的 Turn-on动作完成。　　而Turn-off动作则在LS侧VG OFF时开始，LS侧的CGS蓄积的电荷开始放电，当达到SiC MOSFET的平台电压(进入米勒效应区)时，LS侧的VDS开始上升，同时VSW上升。　　在这个时间点，大部分负载电流仍在LS侧流动(波形图T4)，HS侧的寄生二极管还没有转流电流。LS侧的CDS+CGD充电(HS侧为放电)完成时，VSW超过输入电压(E)，HS侧的寄生二极管Turn-on，LS侧的ID开始转向HS侧流动(波形图T5)。　　LS侧的ID最终变为零，进入死区时间(波形图T6)，当正的VG被印加给HS侧MOSFET的栅极信号时Turn-on，进入同步工作时间(波形图T7)。　　在这一系列的开关工作中，HS侧和LS侧MOSFET的VDS和ID变化导致的各种栅极电流流动，造成了与施加信号VG不同的VGS变化。具体内容将在下一篇文章进行详细说明。　　AMEYA360优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

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ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-20 13:02 阅读量：466 继续阅读>>

村田丨开拓数据中心光通信市场，时钟元件<span style='color:red'>技术</span>要如何进化？

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村田丨开拓数据中心光通信市场，时钟元件技术要如何进化？

　　智能手机、家电产品等支撑日常生活的多类电子设备中，都内置了电子电路。您知道吗，电子电路中装有称为“时钟元件”的元件，是一种确保电子电路正常工作的元件，可以产生出称为“时钟”的、具有固定间隔的信号。换言之，“时钟元件”就是电子设备的“心脏”。　　在以生成式AI为首的技术飞速发展的当下，人们对更高速、更高精度的通信需求日益增长。村田制作所开发出了一种时钟元件，具有高频且能够将时钟信号间隔偏差(即“抖动”)控制在非常低水平的性能，并成功确立了相关技术。与当前先端产品相比，性能增强6倍的村田时钟元件将如何为社会做出贡献?我们采访了该项目的负责人野村。　　时钟元件(晶体谐振器)是支撑AI社会基础的“心脏”!　　什么是时钟元件?　　时钟元件是驱动电子设备的心脏。那么，该如何理解这一定义呢?　　村田制作所功能元件事业部新型时钟元件项目相关负责人野村介绍说：“通俗地讲，时钟元件就是电子设备中发挥钟表的基础功能的那个电子元件。”时钟总是以“嘀嗒嘀嗒”这种有规律的节拍走着，时钟元件中的“嘀嗒嘀嗒”声是一种称为“时钟”的信号，时钟元件与振荡电路配合，产生作为电子电路基准的时钟信号，从而确保电子电路得以正常运行。　　正如演奏时以节拍器打出的节拍为基准一样，几乎悉数的电子设备都是基于时钟元件产生的固定节拍来运行的。　　——村田项目负责人野村　　智能手机、电脑、家电产品、汽车等我们身边的许多电子设备，几乎都配备了IC芯片。如果把IC比作“大脑”，时钟比作“血液”，时钟元件比作“心脏”，应该就容易理解了。正如心脏以稳定的节律泵出血液，而正是有了这些血液，大脑才能正常运作一样，时钟元件(心脏)通过提供时钟(血液)，使IC芯片(大脑)能够正常工作，从而驱动电子设备运行。　　什么是时钟元件?　　用人体来比喻的话，时钟元件就相当于心脏的作用　　村田时钟元件的历史　　村田制作所起初是从市场需求的角度出发，采用了自创业之初就具备材料技术优势的陶瓷材料。陶瓷虽小巧，却不易损坏，且具备足够的性能。但是，随着电脑等设备的兴起，市场开始需要能够支持更高频率和更高频率稳定度的晶体谐振器。　　关于村田时钟元件的开发历史，野村介绍道：“因此，从2009年左右开始，我们便与东京电波株式会社(现为株式会社岩手村田制作所)共同正式着手开发采用晶体技术的时钟元件。”　　东京电波在晶体谐振器的开发和制造方面拥有出众的技术，并积累了生产人造晶体的专业技术。正是因为与该公司建立了合作关系，村田才能顺利开发出采用晶体技术的时钟元件。　　那么，村田这次提到的“性能是以往的6倍”的新技术是什么呢?　　村田新技术有哪些杰出之处?　　村田负责人表示，本次确立的新技术，性能是以往的6倍，可以称为“非常高的频率、低抖动晶体谐振器”：　　顾名思义，其特点是在通信时不仅提高了频率，还将“抖动”降到了非常低的水平。通过提高频率，可以在相同时间内处理更多任务，从而有助于实现高性能电子设备。　　——村田产品负责人　　抖动是指本应以固定间隔保持节拍的时钟所产生的“偏差”。在专业术语中称为“波动”，英语中称为“Jitter”(抖动)。如果抖动较大，则难以在正确的时机读取信号，这可能会导致通信质量下降或出现错误，进而引发延迟和卡顿。　　想象一下车站的检票口(下图)。如果乘客们排得整整齐齐，通行起来就会很顺畅。如果时间很紧的话，悉数乘客只要全部冲过去就行了，但只要出现一点点偏差，就会造成混乱，导致通行速度变慢——这一点不难想象。　　抖动变大便会导致延迟和卡顿　　村田本次开发的技术产生的抖动非常小，与目前市面上流通的先端时钟元件相比，在抖动成分方面可提供6倍的性能。因此即使在更高频率下——也就是说，即使悉数人以更快的速度冲刺，也能顺畅地通过检票口。　　为了便于理解，我们可以从时钟与频率的关系讲起。　　村田的新技术有助于实现高精度的高速通信　　例如，在采用光通信的数据中心中，为了实现数据的高速收发，正逐渐进入需要100GHz级甚至更高速度的信号处理和时钟生成技术的领域。不过，作为整个系统基准的、由时钟元件产生的时钟(称为参考时钟)本身，其频率要比这低得多。这里使用的是名为“PLL”的电路。　　PLL会将时钟元件产生的基准节拍提高数倍，从而生成实际通信所需的高速节拍。但是，作为基础的时钟元件的时钟偏差(即抖动)在频率提高的过程中，其偏差也会随之增大。因此，要生成高速通信时钟，除了要降低时钟元件本身的抖动外，尽可能减小PLL的放大倍率也至关重要。　　例如，如果要获得100GHz级别的通信时钟，由于先端的时钟元件频率只有625MHz，因此需要通过PLL将其增强约160倍。　　另一方面，村田此次确立的技术将时钟元件本身的频率提高到了1.25GHz。因此，为了获得100GHz级别的通信时钟，可以将PLL倍率控制在约80倍。　　这里值得注意的是，抖动小会产生怎样的影响。在先端的625MHz时钟元件中，抖动约为15fs(注：fs，即“飞秒”，等于10−15秒，即1000兆分之一秒)。如前所述，如果要获得100GHz级别的通信时钟，其频率将提高约160倍，因此抖动成分为15×160，相当于2400fs。　　相比之下，村田时钟元件的新技术所产生的抖动只有5fs，非常小。按照同样的思路计算，输出端的抖动成分为5×80，即相当于400fs。　　划重点：　　也就是说，村田的新技术通过“提高基础频率”和“减小基础抖动”这两方面，将输出端的抖动控制在普通时钟元件的六分之一。换句话说，在本次的比较条件下，其性能是先端时钟元件的6倍。　　新技术的关键：晶体培育　　村田在提高时钟元件自身频率的同时还降低了抖动，是如何实现的呢?　　要充分发挥晶体谐振器的性能，首先需要使用高纯度的人造晶体。我们利用共同推进研发的东京电波所掌握的人造晶体培育专业技术，培育出杂质很少的人造晶体。　　同时，晶体的加工技术也至关重要。晶体切得越薄，就能以越高的频率振动。　　野村认为，村田在其他产品领域积累了这项加工技术，并成功将该技术应用于晶体切片上。由于村田涉足多种产品领域，因此能够将其他领域积累的技术应用到晶体加工工艺中。正因为公司内部拥有多类技术人员，才得以实现这一点。　　此外，在对晶体谐振器进行封装时，村田也采用了特有的技术。当微小的灰尘或异物(即颗粒)进入封装内部后，如果晶体谐振器开始振荡，可能会导致工作异常，从而加剧抖动，甚至根本无法振荡。如果是智能手机，还可能出现无法开机的情况。村田凭借在制造阶段检测封装内部颗粒的技术，能够提供质量有保障的时钟元件。可以说，这种封装的“美观性”也是村田所具备的优势之一。　　在利用这些材料技术和加工技术将制成的晶体作为实际谐振器进行生产时，村田还自主生产了相关生产设备。野村认为：　　垂直整合型一体化制造体系为开发出出众的时钟元件提供了有力支持。　　应用前景：数据中心光通信...　　这项技术产品化后，预计将应用于哪些领域呢?村田认为，时钟元件的未来是数据中心的光通信化、6G基站，乃至更远的未来!　　根据日本总务省发布的“2025年版信息通信白皮书”，全球数据中心市场规模今后将继续增长。预计到2029年，该数字将达到6241亿美元，是2019年的2.1倍。村田制作所希望首先能将本次提及的时钟元器件新技术应用于采用光通信的数据中心以及6G基站通信中。　　凭借时钟元件的新技术，为更便捷的生活提供支持　　在数据中心中，通过使用被称为“光模块”的部件，在服务器和网络设备之间高速传输大量数据。在面向先端的数据中心的光模块领域，针对单模块1.6Tbps(太比特/秒)级的产品化及引进工作正在稳步推进。此外，预计传输速率达到其两倍的3.2Tbps级的光模块，也将在2028年前后开始推进实用化和商业化进程。如果能结合这个时机采用村田的新技术就太好了。　　此外，村田还计划支持未来传输速率高至6.4Tbps的下下代光模块。以目前的技术水平来看，我认为这在可实现的范围之内。　　随着AI的应用范围进一步扩大，数据中心处理的数据量和运算量也在不断增加。因此，在提高数据中心内部通信的速度和容量的同时，还需确保服务器内部的IC之间以及电路板之间能够以更高速、更稳定的方式进行数据传输。在这样的AI社会中，掌握关键的无疑是时钟元件。作为村田，我们下定决心，需要提供足以占据整个市场份额的价值。

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村田

发布时间：2026-10-14 15:42 阅读量：304 继续阅读>>

采用BendingMag™聚磁<span style='color:red'>技术</span>，纳芯微推出U型聚磁线性电流传感器NSM2025

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采用BendingMag™聚磁技术，纳芯微推出U型聚磁线性电流传感器NSM2025

　　纳芯微推出车规级线性电流传感器NSM2025，采用纳芯微BendingMag™聚磁技术，内置集磁片并配合外部U型磁芯，满足AEC-Q100 Grade 0要求，为需要检测大电流、安装空间受限的新能源汽车电驱系统，提供便于与PCB、母排组合安装的结构选择，可用于新能源汽车电机逆变器、BMS及过流检测等应用。　　采用聚磁技术，　　提供灵活电流检测结构选择　　NSM2025采用BendingMag™聚磁技术，配合外部U型磁芯完成电流检测。外部磁芯将载流导体产生的磁场引导至芯片，内置集磁片将水平方向的磁场转换至霍尔敏感单元可检测的垂直方向，芯片据此输出与电流大小对应的电压信号。　　相较传统C型磁芯方案，U型聚磁方案结构更简洁，传感器芯片的安装位置可根据母排形态和系统内部空间灵活调整，有利于系统小型化与成本优化。　　快速响应、宽温精度，　　支持闭环控制与过流保护　　快速捕捉电流变化：NSM2025具备270kHz带宽，典型响应时间为2μs，可及时跟踪电机控制及功率变换系统中的电流变化，为闭环控制和过流保护提供信号反馈。　　准确测量，降低温度漂移：NSM2025在25℃下的典型精度为±1.0%，非线性误差为±0.4%。针对温度变化带来的测量偏差，产品采用Spin Current技术，并优化测试及标定程序，在−40℃至150℃范围内将灵敏度漂移控制在±1.5%以内、失调漂移控制在±8 mV以内，为系统在不同工作温度下的电流闭环控制提供稳定的测量反馈。　　丰富的电流检测结构与磁传感产品布局　　在新能源汽车电机逆变器等应用中，电流传感器既要满足快速、准确的检测要求，也要适配母排结构、安装空间及系统成本要求。纳芯微线性电流传感器已覆盖C型磁芯、U型聚磁及Coreless无磁芯结构，可针对不同的检测性能、母排结构、安装空间和成本要求，提供适配的产品方案。　　在磁传感器芯片领域，纳芯微已形成涵盖霍尔、AMR、TMR、电感及磁通门等技术的产品布局，提供电流传感器、磁开关与锁存器、角度编码器、线性位置传感器、速度传感器及传感器信号调理芯片，为汽车电子、光伏、储能、工业控制、机器人、消费电子等应用提供丰富、灵活、可靠的感知解决方案。

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纳芯微

发布时间：2026-10-10 10:58 阅读量：311 继续阅读>>

海凌科丨毫米波雷达vs红外PIR：智能家居感应方案的<span style='color:red'>技术</span>路线之争

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海凌科丨毫米波雷达vs红外PIR：智能家居感应方案的技术路线之争

　　在智能家居领域，人体感应技术正经历从“移动检测”到“存在检测”的升级。过去二十年，被动红外(PIR)传感器凭借低成本、低功耗的优势，在自动控制场景中广泛应用。但随着需求细化，PIR的局限逐渐显现——它只能检测“有没有人在动”，却无法判断“人还在不在”。毫米波雷达的成熟，正在改变这一格局。　　一、PIR的黄金时代与先天短板　　PIR的原理并不复杂。人体表面温度约36-37°C，持续辐射8-14μm波段的红外线。PIR通过菲涅尔透镜将辐射聚焦到热释电元件上，当热源相对透镜移动时，元件受热面变化，产生电压信号。　　这套方案成本低、功耗仅50-100μA，一颗纽扣电池可驱动数年，因此在楼道灯、安防报警等场景普及多年。但它的物理原理决定了天花板：检测的是“温度变化”而非“人体存在”。人静坐不动几十秒后，PIR就会判定“无人”;夏天室温接近体温时，灵敏度进一步下降;隔着玻璃或薄木板，红外辐射透不过去，传感器直接失效。这些局限在“人来灯亮、人走灯灭”的简单场景中尚可接受，但智能家居需要的是持续的存在感知。　　二、毫米波雷达：用微动重新定义存在检测　　毫米波雷达解决PIR痛点的思路是：不依赖温度变化，而是探测最微小的位移。它发射调频连续波(FMCW)，接收人体反射的回波，计算距离、速度和角度。呼吸时胸腔起伏幅度仅毫米级，也会产生可识别的回波相位变化。即使人静坐在沙发上，雷达依然能持续锁定其存在。　　与PIR相比，两者有本质区别：检测对象上，PIR检测热源移动，雷达检测反射体微动;环境适应性上，PIR受温度影响显著，雷达不受温湿度、灰尘影响，且能穿透玻璃、塑料等非金属材料;感知维度上，雷达可输出距离信息，结合多天线还能获取角度，实现区域划分。当然，雷达功耗和成本高于PIR，复杂环境中需算法抑制风扇、空调气流等干扰。但趋势已经明确：24GHz方案成熟后，雷达模组价格正逼近PIR，而功能体验的差距是代际性的。　　三、从照明到全屋：雷达的智能家居感应场景　　如果把毫米波雷达仅用于“人来灯亮”，确实低估了它的价值。在智能家居中，它的应用远不止照明。　　智慧照明是基础场景。人在静坐阅读时持续保持照明，真正离开后自动关闭，解决PIR“人在灯灭”的尴尬。空调与暖通控制中，雷达可判断房间是否有人、人在哪个区域、是否处于睡眠状态。无人时自动关闭空调，睡眠时根据体动和呼吸微调温度。安防监控领域，雷达能区分人体移动与其他干扰源，降低宠物、窗帘晃动引发的误报;夜间布防时，即使入侵者静止，也能通过呼吸微动发现异常。睡眠与健康监测是雷达的独特优势，通过非接触方式提取呼吸率和心率，分析睡眠分期、监测呼吸暂停，联动灯光、音乐、空调营造助眠环境。家电联动方面，雷达可感知用户是否在电视前、是否靠近冰箱，实现“人近屏幕亮”“人离设备停”。　　从照明到暖通，从安防到健康，毫米波雷达正在成为全屋智能的基础感知层。　　四、海凌科的毫米波雷达方案　　针对智能家居多样化的感应需求，海凌科推出了覆盖24GHz和60GHz频段的智能家居毫米波雷达模组。例如HLK-LD2402作为24GHz静止人体生命存在传感器，可实现对运动、微动和存在人体的感知，适合走廊、卫生间等场景。LD2410-AA支持吸顶安装，覆盖更广空间;LD6004基于60GHz频段，提供3D存在检测和可视化调试工具，适用于睡眠监测等对精度要求更高的应用。　　从PIR到毫米波雷达，智能家居的感知层正在完成一次从“移动检测”到“存在检测”的升级。当系统能够真正“知道”人还在不在、在做什么，全屋智能的主动服务才算有了扎实的感知基础。

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海凌科

发布时间：2026-09-30 16:59 阅读量：424 继续阅读>>

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TL431ACLPR	Texas Instruments
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