常见的<span style='color:red'>芯片制造</span>技术有哪些？
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常见的芯片制造技术有哪些？

随着现代科技的发展，芯片已经成为电子设备中不可或缺的核心组件。芯片制造技术作为半导体产业的关键环节，不断推动着计算能力、能效和集成度的进步。　　1. 光刻技术　　光刻是芯片制造中的核心工艺，通过光的照射将电路图案转移到硅片上的光刻胶层。主要步骤包括涂布光刻胶、曝光、显影等。随着工艺节点的缩小，极紫外光(EUV)光刻技术逐渐成为主流，用于3纳米及以下制程。　　2. 薄膜沉积技术　　该工艺包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等，用于在硅片表面沉积多种功能薄膜，如绝缘层、导电层等。薄膜质量直接影响芯片的性能和可靠性。　　3. 离子注入技术　　通过向硅片中注入特定元素的离子，调整半导体材料的电学性质，实现不同区域的掺杂。离子注入技术精准且高效，是制造晶体管的关键步骤。　　4. 蚀刻技术　　蚀刻工艺用于去除硅片不需要的部分，形成微小电路结构。主要分为干法蚀刻(等离子蚀刻)和湿法蚀刻，现代芯片多采用干法蚀刻以实现更高的精度。　　5. 晶圆制造与切割　　芯片制造始于高纯度硅单晶的生长和切割，形成晶圆。晶圆经过多道复杂工序后，被切割成单个芯片，供封装和测试使用。　　6. 封装与测试技术　　制造完成后的芯片需要封装以保护电路，并进行功能测试。随着多芯片封装(MCP)和系统级封装(SiP)技术的发展，芯片的集成度和性能不断提升。　　总结来说，芯片制造技术涵盖多种复杂工艺，每一步都对最终产品的性能和成本有重要影响。
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发布时间：2026-05-14 09:33 阅读量：171 继续阅读>>
我国<span style='color:red'>芯片制造</span>核心装备取得重要突破
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我国芯片制造核心装备取得重要突破

　　近日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机(POWER-750H)成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。　　离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。　　长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快发展新质生产力提供强有力技术支撑。
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发布时间：2026-01-20 13:12 阅读量：694 继续阅读>>
英特尔组建日本<span style='color:red'>芯片制造</span>自动化团队
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英特尔组建日本芯片制造自动化团队

　　英特尔将与14家日本公司合作开发技术，以实现封装等“后道”芯片制造过程的自动化。此次合作将由英特尔日本区总裁Kunimasa Suzuki领导。未来几年，英特尔领导的集团将在日本建立一条试验性后道生产线，目标是实现全自动化。　　此次合作包括电子产品制造商欧姆龙、雅马哈汽车以及材料供应商Resonac和Shin-Etsu Polymer，并将由英特尔日本部门负责人Kunimasa Suzuki领导。　　该集团预计将投资数百亿日元(100亿日元约合6500万美元)，目标是到2028年实现可行的技术。　　随着电路制造等前端发展开始接近其物理极限，后端步骤(例如堆叠芯片以提高性能)的竞争也在加剧。　　手工组装是后端生产的主要部分，主要集中在中国和东南亚等劳动力资源丰富的国家。英特尔公司将自动化技术视为在成本较高的美国和日本设立工厂的必要先决条件。　　英特尔领导的集团将在未来几年内在日本建立一条试验性后端生产线，目标是实现全自动化。它还将寻求标准化后端技术，使制造、检查和搬运设备能够由单一系统进行管理和控制。
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发布时间：2024-05-08 13:12 阅读量：1606 继续阅读>>
大众与<span style='color:red'>芯片制造</span>商签订直接供应协议以应对芯片短缺
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大众与芯片制造商签订直接供应协议以应对芯片短缺

　　大众汽车表示已开始直接从恩智浦、英飞凌和瑞萨电子等10家制造商处采购重要芯片，避免芯片供应短缺。　　8月24日消息，据外媒，大众汽车表示公司已开始直接从恩智浦、英飞凌和瑞萨电子等10家制造商处采购重要芯片，以避免可能出现的芯片供应短缺。　　报道中称，大众零部件供应工作组负责人Karsten Schnake表示，大众此前依赖零部件供应商采购芯片，为确保供应安全，去年10月开始与芯片制造商达成直接协议。　　去年7月，大众和意法半导体宣布，双方计划联合开发一款新型半导体。这是大众首次与二三级半导体供应商建立直接合作关系。　　据大众零部件供应工作组负责人Karsten Schnake透露，大众还计划减少汽车所需芯片的种类，以简化供应链，并有助于简化软件产品。
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发布时间：2023-08-25 09:28 阅读量：2024 继续阅读>>
尼得科推出半导体<span style='color:red'>芯片制造</span>专用LSPM真空泵电机
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尼得科推出半导体芯片制造专用LSPM真空泵电机

　　尼得科（Nidec）推出专用于半导体芯片制造的真空泵电机（LSPM）。该电机采用高效IE2/IE3同步机，功率范围在1.5KW至11KW ，马达极数具备4极和6极两种选项，工作温度范围为-40度~+50度，可在1000米，2000米海拔处工作。　　产品特点：　　1.高效IE3/IE4同步电机　　2.功率：1.5KW至11KW　　3.极数：4极，6极　　4.工作温度：-40度~+50度　　5.海拔：1000米，2000米　　产品参数：
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发布时间：2022-11-14 15:37 阅读量：2472 继续阅读>>
<span style='color:red'>芯片制造</span>工艺流程 <span style='color:red'>芯片制造</span>的6个关键步骤
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芯片制造工艺流程 芯片制造的6个关键步骤

    在智能手机等众多数码产品的更新迭代中，科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被制造出来的，其中又有哪些关键步骤呢？    智能手机、个人电脑、游戏机这类现代数码产品的强大性能已无需赘言，而这些强大的性能大多源自于那些非常小却又足够复杂的科技产物——芯片。世界已被芯片所包围：2020年，全世界共生产了超过一万亿芯片，这相当于地球上每人拥有并使用130颗芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表现出，这个数字还未达到上限。    尽管芯片已经可以被如此大规模地生产出来，生产芯片却并非易事。制造芯片的过程十分复杂，今天我们将会介绍六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。    一、沉积    沉积步骤从晶圆开始，晶圆是从99.99%的纯硅圆柱体（也叫“硅锭”）上切下来的，并被打磨得极为光滑，然后再根据结构需求将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到晶圆上，以便能在上面印制第一层。这一重要步骤通常被称为 "沉积"。    随着芯片变得越来越小，在晶圆上印制图案变得更加复杂。沉积、刻蚀和光刻技术的进步是让芯片不断变小，从而推动摩尔定律不断延续的关键。这包括使用新的材料让沉积过程变得更为精准的创新技术。    二、光刻胶涂覆    晶圆随后会被涂覆光敏材料“光刻胶”（也叫“光阻”）。光刻胶也分为两种——“正性光刻胶”和“负性光刻胶”。    正性和负性光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多，因其可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。    三、光刻    光刻在芯片制造过程中至关重要，因为它决定了芯片上的晶体管可以做到多小。在这个阶段，晶圆会被放入光刻机中，被暴露在深紫外光（DUV）下。很多时候他们的精细程度比沙粒还要小几千倍。    光线会通过“掩模版”投射到晶圆上，光刻机的光学系统（DUV系统的透镜）将掩模版上设计好的电路图案缩小并聚焦到晶圆上的光刻胶。如之前介绍的那样，当光线照射到光刻胶上时，会产生化学变化，将掩模版上的图案印制到光刻胶涂层上。    使曝光的图案完全正确是一项棘手的任务，粒子干扰、折射和其他物理或化学缺陷都有可能在这一过程中发生。这就是为什么有时候我们需要通过特地修正掩模版上的图案来优化最终的曝光图案，让印制出来的图案成为我们所需要的样子。我们的系统通过“计算光刻”将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合，从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计，但这正是我们想要达到的，因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。    四、刻蚀    下一步是去除退化的光刻胶，以显示出预期的图案。在"刻蚀"过程中，晶圆被烘烤和显影，一些光刻胶被洗掉，从而显示出一个开放通道的3D图案。刻蚀工艺必须在不影响芯片结构的整体完整性和稳定性的情况下，精准且一致地形成导电特征。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。    和光刻胶一样，刻蚀也分为“干式”和“湿式”两种。干式刻蚀使用气体来确定晶圆上的暴露图案。湿式刻蚀通过化学方法来清洗晶圆。    一个芯片有几十层，因此必须仔细控制刻蚀，以免损坏多层芯片结构的底层。如果蚀刻的目的是在结构中创建一个空腔，那就需要确保空腔的深度完全正确。一些高达175层的芯片设计，如3D NAND，刻蚀步骤就显得格外重要和困难。    五、离子注入    一旦图案被刻蚀在晶圆上，晶圆会受到正离子或负离子的轰击，以调整部分图案的导电特性。作为晶圆的材料，原料硅不是完美的绝缘体，也不是完美的导体。硅的导电性能介于两者之间。    将带电离子引导到硅晶体中，让电的流动可以被控制，从而创造出芯片基本构件的电子开关——晶体管，这就是 "离子化"，也被称为 "离子注入"。在该层被离子化后，剩余的用于保护不被刻蚀区域的光刻胶将被移除。    六、封装    在一块晶圆上制造出芯片需要经过上千道工序，从设计到生产需要三个多月的时间。为了把芯片从晶圆上取出来，要用金刚石锯将其切成单个芯片。这些被称为“裸晶”的芯片是从12英寸的晶圆上分割出来的，12英寸晶圆是半导体制造中最常用的尺寸，由于芯片的尺寸各不相同，有的晶圆可以包含数千个芯片，而有的只包含几十个。    这些裸晶随后会被放置在“基板”上——这种基板使用金属箔将裸晶的输入和输出信号引导到系统的其他部分。然后我们会为它盖上具有“均热片”的盖子，均热片是一种小的扁平状金属保护容器，里面装有冷却液，确保芯片可以在运行中保持冷却。    现在，芯片已经成为你的智能手机、电视、平板电脑以及其他电子产品的一部分了。它可能只有拇指大小，但一个芯片可以包含数十亿个晶体管。例如，苹果的A15仿生芯片包含了150亿个晶体管，每秒可执行15.8万亿次操作。    当然，半导体制造涉及到的步骤远不止这些，芯片还要经过量测检验、电镀、测试等更多环节，每块芯片在成为电子设备的一部分之前都要经过数百次这样的过程。
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发布时间：2022-08-08 14:39 阅读量：3438 继续阅读>>
尼得科推出一款半导体<span style='color:red'>芯片制造</span>专用LSPM真空泵马达
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尼得科推出一款半导体芯片制造专用LSPM真空泵马达

    尼得科（Nidec）公司推出一款半导体芯片制造专用LSPM真空泵马达，本产品配置高效IE3/IE4同步电机，功率为1.5kW-11kW，工作温度范围在-40度~+50度之间，极数分为4极和6级。    主要特点：    1.高效IE3/IE4同步电机    2.功率：1.5KW至11KW    3.极数：4极，6极    4.工作温度：-40度~+50度    5.海拔：1000米，2000米
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发布时间：2022-07-13 11:15 阅读量：3879 继续阅读>>
中国<span style='color:red'>芯片制造</span>产业发展难点在哪
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中国芯片制造产业发展难点在哪

　　2021年，我国GDP规模达到114.4万亿元，一年内GDP增加13万亿元，这在中华民族历史上是第一次。2022年是进入全面建设社会主义现代化国家、向第二个百年奋斗目标进军新征程的重要一年。如何走好新的“赶考路”举世瞩目。　　在这条新的“赶考路”上，我国的发展经受着来自外部的压力。压力之下，维护技术主权的重要性也是不言而喻的。在此当中半导体产业的自主研发能力及生产的能力更是决定了中国信息技术主权发展的重要因素。　　　　半导体主要由四个部分组成：集成电路（IC: integrated circuit），光电器件，分立器件，传感器，由于集成电路又占了器件80%以上的份额，因此通常将半导体和集成电路等价。集成电路按照产品种类有主要分为四大类：微处理器，存储器，逻辑器件，模拟器件，这些我们又称它们为“芯片”。　　半导体产业是支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，也是我国当前需要重点突破的领域。它不仅支撑了庞大的生态，它的边界也在不断被延伸。从简单的计算与控制、数据、智能到感知与信号转换、能量变换再到AI、云计算、大数据、物联网、数字经济、信息安全等，它们无一例外地以芯片为基础。可以说半导体制造技术发展到位，我国科技领域才不会受制于人。　　半导体制造业的发展壮大为什么那么难呢？我们从全局的角度简要了解下半导体制造工艺及面临的技术难点。　　各种半导体产品　　首先我们以汽车为例，介绍半导体技术所涉及的领域。从F-1赛车到大型拖车，应用目的不同，种类也多种多样。半导体产品同样根据衬底材料和应用的不同，来进行各种分类。其分类如图1所示。　　　　图1半导体的主要分类 （按材料和产品分类）　　材料以单元素类材料和化合物类材料为主。硅半导体当然是单元素类，另外，化合物类材料主要用于按产品分类的光器件等。　　说说半导体工艺　　在半导体产业中，制造工程被称为工艺 （Process），理由是什么？虽然没有明确的答案，但很多人认为，与其说加工尺寸微小 （目前是nm制程。1nm=10-9m）， 不如说制造过程无法用肉眼看到所致。例如像电视机和汽车这样的组装工程，因为是肉眼可见的，所以不能把制造工程称为工艺。此外，半导体产品还有一个特点，即不是一个一个生产， 而是批量生产，之后进行分割。因此，在半导体中，可能比较适合使用具有相对抽象含义的术语 “工艺” （Process）。　　半导体工艺包含前段制程和后段制程。这里的前段制程主要是对硅晶圆进行加工，所以也被称为晶圆工艺 （ Wafer Process）。主要的6个工艺会反复多次进行， 称之为“循环型工艺”。化学工业常被称为 “工艺产业”，也是因为化学产品要经过热分解、聚合、蒸馏等工艺，故而得名。而且同样也是先大量生产，之后进行分装。与此相对应，后段制程包括封装工序，因此称之为从上游到下游的 “Flow型工艺”。　　前段制程可以进一步分类为前端 （Front-End）和后端（ Back-End）。前者主要是形成晶体管等元件， 而后者主要是形成布线。而且加工尺寸非常小， 只有几十nm（纳米），因此，硅晶圆的洁净度要求变得更加严格，而且对生产设备和晶圆厂（fab）的洁净度也有很高的要求，生产设备的价格也会更加昂贵，晶圆厂建设的投资额也会更加庞大。　　图2半导体工艺的特点　　以上内容归纳在图2中，希望您牢记这张图。　　另外，还要提到的是，本文所涉及的半导体工艺是在硅晶圆的表面 （ Mirror，镜面）上进行工艺加工，而不是在硅晶圆的背面（Sand Blast， 磨砂面）上进行工艺处理。突然冒出镜面和磨砂面两个词，可能让不熟悉晶圆的读者略感困惑，为此，下面对硅晶圆进行介绍。　　硅晶圆是将单晶硅的硅锭用钢丝锯切成圆盘状。逻辑和存储器LSI都是只在晶圆表面上制作的，所以晶圆表面要做镜面抛光处理。如图2所示，因为像镜子一样光亮，所以叫作镜面。而另一面仅进行粗糙的研磨，不像镜子那样光亮，故而称为磨砂面。　　在制作成芯片时，如图1.2所示， 通过后段制程中的工艺使晶圆变薄。　　半导体制造面临的难点　　半导体制造主要面临的难点，可总结为以下7点。　　1. 材料纯度极高　　所用晶圆纯度高达“11个9”，即99.999999999%，洁净度也比手术室的要求严格100倍。　　2. 复杂度极大　　集成了数百亿的晶体管，复杂程度可想而知。　　3. 制程尺寸极小　　晶体管的尺寸已经来到5nm的水平。　　4. 设备极复杂　　半导体对于精度和功能的要求很高，导致简单的工艺能很难满足高精尖的需求。所以需要很多复杂的设备参与生产，比如光刻机。光刻机的光源和光学反射系统都是相当复杂的系统。　　5. 投资成本极大　　建造一座10nm以下，并拥有产能10万片晶圆/月的晶圆厂需要百亿美元的规模。不光是设备，相关工艺研发也是同等数量级的。　　6. 工作流程极长　　设备繁多，多以串行处理贯穿制造始终，工作流程的设计、实行、监控要求很高。　　7. 分工极细，融合极其紧密　　从设计，EDA（电子设计自动化），设备和材料的相互融合，都是各大企业以数十年的行业基础推动而成的，使得后来者很难居上甚至介入。
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发布时间：2022-04-14 15:10 阅读量：3936 继续阅读>>
​ 芯片是如何制造的 <span style='color:red'>芯片制造</span>工艺流程
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​ 芯片是如何制造的 芯片制造工艺流程

在智能手机等众多数码产品的更新迭代中，科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被制造出来的，其中又有哪些关键步骤呢？ 智能手机、个人电脑、游戏机这类现代数码产品的强大性能已无需赘言，而这些强大的性能大多源自于那些非常小却又足够复杂的科技产物——芯片。世界已被芯片所包围：2020年，全世界共生产了超过一万亿芯片，这相当于地球上每人拥有并使用130颗芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表现出，这个数字还未达到上限。 尽管芯片已经可以被如此大规模地生产出来，生产芯片却并非易事。制造芯片的过程十分复杂，今天ameya360电子元器件采购网将会介绍六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。沉积沉积步骤从晶圆开始，晶圆是从99.99%的纯硅圆柱体（也叫“硅锭”）上切下来的，并被打磨得极为光滑，然后再根据结构需求将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到晶圆上，以便能在上面印制第一层。这一重要步骤通常被称为 "沉积"。 随着芯片变得越来越小，在晶圆上印制图案变得更加复杂。沉积、刻蚀和光刻技术的进步是让芯片不断变小，从而推动摩尔定律不断延续的关键。这包括使用新的材料让沉积过程变得更为精准的创新技术。光刻胶涂覆晶圆随后会被涂覆光敏材料“光刻胶”（也叫“光阻”）。光刻胶也分为两种——“正性光刻胶”和“负性光刻胶”。 正性和负性光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多，因其可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。光刻光刻在芯片制造过程中至关重要，因为它决定了芯片上的晶体管可以做到多小。在这个阶段，晶圆会被放入光刻机中（没错，就是ASML生产的产品），被暴露在深紫外光（DUV）下。很多时候他们的精细程度比沙粒还要小几千倍。 光线会通过“掩模版”投射到晶圆上，光刻机的光学系统（DUV系统的透镜）将掩模版上设计好的电路图案缩小并聚焦到晶圆上的光刻胶。如之前介绍的那样，当光线照射到光刻胶上时，会产生化学变化，将掩模版上的图案印制到光刻胶涂层上。 使曝光的图案完全正确是一项棘手的任务，粒子干扰、折射和其他物理或化学缺陷都有可能在这一过程中发生。这就是为什么有时候我们需要通过特地修正掩模版上的图案来优化最终的曝光图案，让印制出来的图案成为我们所需要的样子。我们的系统通过“计算光刻”将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合，从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计，但这正是我们想要达到的，因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。刻蚀下一步是去除退化的光刻胶，以显示出预期的图案。在"刻蚀"过程中，晶圆被烘烤和显影，一些光刻胶被洗掉，从而显示出一个开放通道的3D图案。刻蚀工艺必须在不影响芯片结构的整体完整性和稳定性的情况下，精准且一致地形成导电特征。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。 和光刻胶一样，刻蚀也分为“干式”和“湿式”两种。干式刻蚀使用气体来确定晶圆上的暴露图案。湿式刻蚀通过化学方法来清洗晶圆。 一个芯片有几十层，因此必须仔细控制刻蚀，以免损坏多层芯片结构的底层。如果蚀刻的目的是在结构中创建一个空腔，那就需要确保空腔的深度完全正确。一些高达175层的芯片设计，如3D NAND，刻蚀步骤就显得格外重要和困难。离子注入一旦图案被刻蚀在晶圆上，晶圆会受到正离子或负离子的轰击，以调整部分图案的导电特性。作为晶圆的材料，原料硅不是完美的绝缘体，也不是完美的导体。硅的导电性能介于两者之间。 将带电离子引导到硅晶体中，让电的流动可以被控制，从而创造出芯片基本构件的电子开关——晶体管，这就是 "离子化"，也被称为 "离子注入"。在该层被离子化后，剩余的用于保护不被刻蚀区域的光刻胶将被移除。封装在一块晶圆上制造出芯片需要经过上千道工序，从设计到生产需要三个多月的时间。为了把芯片从晶圆上取出来，要用金刚石锯将其切成单个芯片。这些被称为“裸晶”的芯片是从12英寸的晶圆上分割出来的，12英寸晶圆是半导体制造中最常用的尺寸，由于芯片的尺寸各不相同，有的晶圆可以包含数千个芯片，而有的只包含几十个。 这些裸晶随后会被放置在“基板”上——这种基板使用金属箔将裸晶的输入和输出信号引导到系统的其他部分。然后我们会为它盖上具有“均热片”的盖子，均热片是一种小的扁平状金属保护容器，里面装有冷却液，确保芯片可以在运行中保持冷却。一切才刚刚开始现在，芯片已经成为你的智能手机、电视、平板电脑以及其他电子产品的一部分了。它可能只有拇指大小，但一个芯片可以包含数十亿个晶体管。例如，苹果的A15仿生芯片包含了1150亿个晶体管，每秒可执行15.8万亿次操作。 当然，半导体制造涉及到的步骤远不止这些，芯片还要经过量测检验、电镀、测试等更多环节，每块芯片在成为电子设备的一部分之前都要经过数百次这样的过程。
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发布时间：2022-04-12 10:21 阅读量：4255 继续阅读>>
瑞萨电子：受灾<span style='color:red'>芯片制造</span>工厂4月19日之前重启生产
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瑞萨电子：受灾芯片制造工厂4月19日之前重启生产

车用芯片大厂瑞萨电子那珂工厂N3大楼自3月19日突发火灾，使其12英寸晶圆生产线受损以来，恢复运作的进程一直受到行业关注。 据台媒钜亨网证实，瑞萨电子茨城县那珂市N3大楼的无尘室已在周五晚间9点左右恢复运作，朝本月重启生产的目标前进。  瑞萨表示，正朝19日之前让那珂工厂12吋厂房N3大楼重启生产的目标前进，距离3月19日的火灾历时约一个月。 日媒周五（4月9日）报道，瑞萨电子受灾芯片制造工厂将于4月19日前重启生产。 此前，据日本《朝日新闻》报导称，根据消息人士说法，日本车用MCU龙头大厂瑞萨电子因火灾缘故而陷入停工的那珂工厂(日本茨城县)将在4月19日之前重启生产，但出货量要到6月下旬之后才能恢复到灾前水准。 据悉，N3大楼生产12吋晶圆，以车用半导体为主，发生火灾后，恶化了汽车芯片市场的供求关系，包括丰田、日产等主要车厂等都因此计划消减汽车产能。 瑞萨电子名列全球十大半导体供应商，其生产的芯片用于移动通信、汽车电子等领域，瑞萨的芯片被包括丰田、福特和日产在内的几乎所有汽车制造商所使用。 本周早些时候，有报道称，为解决半导体供给不足问题，瑞萨电子已经决定利用西条工厂来进行替代生产作业。瑞萨还计划利用日本其他工厂以及委托海外厂商代工等方式扩大替代生产规模。不过包含产线整备在内，芯片生产需花费很长一段时间，因此替代生产的产品要进行出货预估得花90天左右时间。 瑞萨生产中断加剧了全球“芯片荒”，自去年年底以来，这一问题一直困扰着全球汽车和电子设备生产商。 在控制汽车行驶的重要半导体——微处理器领域，瑞萨占据了30%的市场份额，而遭受火灾的那珂工厂的芯片产出有三分之二供应汽车产业。 日媒报道指出，根据民间机构估算，瑞萨那珂工厂火灾事件恐让日系车厂最高减产240万台，因此其复产速度成为市场关注的焦点。 全球汽车行业正在遭遇一场半导体供应短缺危机。去年全球爆发新冠疫情，随后的需求萎缩导致汽车公司大幅削减了芯片需求订单，然而随着疫情稳定，汽车市场需求开始复苏。这导致全球半导体代工厂产能陷入空前紧张，许多汽车企业的芯片库存已经无法满足生产所需。不过，随着瑞萨那珂工厂N3工厂芯片产能逐渐恢复，汽车“缺芯”这一现状有望缓解。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-04-12 00:00 阅读量：2756 继续阅读>>

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