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Littelfuse：业内首款Nano² 415 SMD保险丝，277V条件下额定分断电流为1500A

　　Littelfuse宣布推出Nano² 415 SMD系列保险丝。该产品是Littelfuse首款表面贴装保险丝，277V下的额定分断电流为1500A。415系列旨在为电压波动不可预测的250V应用提供真正的缓冲，紧凑的SMD封装可提供卓越的故障电流保护，是空间受限应用的理想选择。　　“这款新型保险丝是我们首款在277V条件下具有1500A高额定分断电流的保险丝，为使用传统通孔解决方案的电子设计师提供了转换为SMD部件的选择。”Littelfuse过流无源组件产品管理高级总监Daniel Wang表示，“这样一来，他们就能实现装配过程的完全自动化，从而提高生产效率并降低制造成本。”　　主要特点和优势：　　行业领先的分断额定值：Nano² 415系列在277V下的额定分断电流为1500A，可在关键应用中有效防范高故障电流。　　针对电压波动环境进行了优化：277V额定电压可在250V应用中提供真正的缓冲，防范不可预测的浪涌。　　增强的浪涌承受能力：与竞争解决方案相比，更高的I²t值可提供更好的浪涌和脉冲承受能力。　　紧凑的表面贴装设计：SMD外形使工程师能够替换通孔保险丝，简化自动化装配流程并降低总体生产成本。　　高性能应用的理想选择：　　Nano² 415 SMD系列非常适合各类应用，包括：　　消费电子产品：电源适配器、充电器和电源;　　工业系统：逆变器、转换器和仪表;　　汽车：电动汽车充电站、家用充电器和照明设备;　　家电/白电：洗衣机、烘干机和冰箱;　　家居自动化：自动车库门和智能家居系统　　保险丝技术的竞争优势　　415系列可直接替换市场上的其他保险丝，同时提供更高的I²t值，以实现更强的浪涌承受能力。此外，它还可以作为Littelfuse 215管状保险丝系列的SMD替代品，提供更高的额定电压(277V相对于250V)，同时替代现有的通孔管状保险丝解决方案。通过向SMD保险丝过渡，电子工程师可以完全实现制造流程的自动化，从而加快生产速度、提高产量并降低劳动力成本，最终使他们的终端产品在市场上更具竞争力。

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Littelfuse

发布时间：2025-05-27 09:41 阅读量：286 继续阅读>>

美光G9 <span style='color:red'>NAN</span>D技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

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美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。

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美光

发布时间：2025-05-07 11:26 阅读量：351 继续阅读>>

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI <span style='color:red'>NAN</span>D Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动

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兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动

　　今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。　　GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。　　为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。　　“目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”　　目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价，请联系AMEYA360销售代表。

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兆易创新

发布时间：2025-04-15 15:31 阅读量：399 继续阅读>>

三星电子开发出其首款基于第八代V-<span style='color:red'>NAN</span>D的车载SSD

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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”

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三星电子

发布时间：2024-09-24 10:07 阅读量：831 继续阅读>>

东芝<span style='color:red'>NAN</span>D闪存工厂暂停生产将进行安全评估

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东芝NAND闪存工厂暂停生产将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。

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东芝

发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1622 继续阅读>>

三星计划将<span style='color:red'>NAN</span>D减产规模扩大40%~50%

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三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%

　　经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。　　NAND价格实际已进入上升趋势，机构透露，10月份用于存储卡和USB设备的128GB NAND价格上涨1.59%，为2021年7月以来首次反弹。　　据悉，三星电子计划到明年上半年(1~6月)为止，将NAND生产量削减规模扩大40~50%，此举推高了价格。SK海力士在上个月举行的法说会上表示：「NAND的库存高于DRAM。我们将暂时保持保守的NAND生产方式。」　　自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。

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发布时间：2023-11-15 09:30 阅读量：1821 继续阅读>>

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蔡司用于亚10纳米级应用的离子束显微镜ORION NanoFab

　　蔡司ORION NanoFab离子束显微镜是一款集3种聚焦离子束于一身的显微镜，可以实现亚 10nm结构的超高精度加工。它能够快速、精准的亚10纳米结构加工。借助 ORION NanoFab 显微镜可在镓、氖及氦离子束之间实现无缝切换：氖离子束可以快速高效地进行纳米结构加工、氦离子束可以加工亚 10nm 级精度的结构、备选的镓聚焦离子束能够进行大块样品材料的刻蚀。　　产品特点：　　蔡司ORION NanoFab离子束显微镜是一款集3种聚焦离子束于一身的显微镜，可以实现亚 10nm结构的超高精度加工。它能够快速、精准的亚10纳米结构加工。借助 ORION NanoFab 显微镜可在镓、氖及氦离子束之间实现无缝切换：　　氖离子束可以快速高效地进行纳米结构加工。　　氦离子束可以加工亚 10nm 级精度的结构。　　备选的镓聚焦离子束能够进行大块样品材料的刻蚀。　　ORION NanoFab 集镓、氖、氦三种离子束于一身，是能实现从微米到纳米微加工的先进成像加工系统。

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蔡司

发布时间：2023-09-08 10:15 阅读量：2985 继续阅读>>

消息称存储大厂三星目标年底<span style='color:red'>NAN</span>D库存正常化

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消息称存储大厂三星目标年底NAND库存正常化

　　据韩媒援引业内人士消息称，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周水平。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　库存天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。　　三星电子正计划积极减产以降低库存。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　半导体的制造基于硅晶圆，因此减少晶圆投入量就会降低产量。相比于通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟”，减少晶圆投入直接导致半导体出货量和供应量的减少，因此被认为是一种快速平衡供需的手段。　　另据了解，NAND闪存晶圆厂利用率也有所下降。虽然尖端产品与通用产品存在差异，但利用率大幅下降，特别是中国西安工厂估计不足50%。　　三星电子相关人士表示，“我们正在根据客户需求灵活地进行存储半导体减产工作，目前无法确认减产的具体规模或开工率。”

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发布时间：2023-08-24 10:08 阅读量：2258 继续阅读>>

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Ameya360：三星、Micron争夺NAND霸主地位

　　据Ameya360电子元器件采购网报导：三星电子和Micron科技继续争夺NAND市场的霸主地位，两家公司最近都宣布了更高密度的3D NAND解决方案——尽管名称不同。　　三星选择专注于3D NAND位密度，推出其1太位(Tb)三级单元第八代垂直NAND(V-NAND)，该公司声称这是业界最高的位密度。与此同时，Micron选择在层数方面展示其最新的3D NAND，并于2022年年中宣布其232层3D NAND。　　三星第八代V-NAND　　三星闪存产品和技术执行副总裁SungHoiHur在接受EETimes采访时表示，该公司通过Cell-on-Peri(COP)结构实现了高位密度，该公司在其第七代V-与非门。　　对于COP结构，单元阵列区域位于外围设备上方。但即使采用COP结构，部分外围设备仍位于单元外部，Hur表示，这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域，以减小芯片尺寸。　　三星于2013年首次推出其垂直堆叠V-NAND闪存。“从那时起，我们一直在开发颠覆性技术以减小单元的面积和高度，并积累了大量三星专有技术，”Hur说。　　该专有技术包括三星的高纵横比接触蚀刻技术，该公司使用该技术来减小单元阵列的面积。Hur补充说，对于第八代V-NAND，三星成功地将上一代的所有三个部分的面积最小化，以实现更高的密度。　　三星旨在解决的一个具体挑战是避免电池单元之间的干扰，如果电池单元的模具因缩放而变得更薄，通常会在缩小时发生。“为了抵消这种干扰，我们首先确定了可能的性能权衡；然后我们着手解决根本问题，”Hur说。　　他还指出，三星解决方案的目的是开发一种优化的操作方案，以最大限度地减少写入过程中的干扰，将新材料应用于单元中的阻挡层，以防止电子因电压而从电荷陷阱层(CTL)弹回完善CTL的结构。　　Hur表示，达到这一里程碑意味着要克服各种障碍。从结构的角度来看，随着总堆叠高度的不断增加，模具可能更容易向一侧倾斜。“随着电池变得越来越小，我们必须应对电池电流的降低以及电池之间的干扰，”他说。三星正在努力通过利用其第七代V-NAND中使用的支撑结构和多孔技术来降低总堆叠高度，同时也在探索新的解决方案，包括使用新材料的创新单元结构。　　Micron的232层3D NAND　　近年来，Micron引领了3D NAND的发展步伐，凭借2020年11月推出的176层产品领先于其他专注于128层3D NAND的厂商。其CMOS阵列下(CUA)架构。除了更高的层数外，芯片尺寸也缩小了30%。　　2022年7月下旬，Micron宣布了其232层3D NAND，随后于2022年12月初推出了将与232层解决方案配套的最新客户端SSD。　　ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy表示，三星达到1Tb并没有什么“惊天动地”的。“更重要的是，他们已经达到了新的层数，而且他们的接口速度非常快。”　　这意味着应用程序将需要一半的NAND芯片来获得相同的带宽，他补充说。最终，三星和Micron都在缩小芯片尺寸，但都有自己的命名法——无论是COP还是CUA。

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Ameya360,三星,Micron

发布时间：2023-01-12 11:29 阅读量：2662 继续阅读>>

兆易创新GD5F全系列SPI <span style='color:red'>NAN</span>D Flash通过AEC-Q100车规级认证

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兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证

　　兆易创新GigaDevice宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb~4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且，兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。　　当前，汽车电气化、智能化处于快速发展的态势，激发了车厂对于大容量、高可靠性的存储解决方案的需求。作为在车载应用中存储代码、数据和网络协议的载体，汽车存储芯片正起到越来越关键的作用。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash提供了1Gb~4Gb的选择，在已有的GD25 SPI NOR Flash车载产品基础上进一步扩充容量，可为车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　随着车载电子复杂度和空间紧凑的需求增加，“少引脚、小封装”的芯片也逐渐受到车厂的青睐。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mm x 6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。　　兆易创新汽车产品事业部执行总监何芳女士表示：“随着汽车行业智能化、网联化的演进，与SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。兆易创新从2014年开始布局汽车行业，凭借着多年的经验与积累，旗下38nm GD5F SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证，并且实现全产业链的国产闭环。未来，我们将继续聚焦汽车行业需求，关注行业的增量市场，了解细分市场的客户需求，持续在产品的可靠性，优化及升级方面投入，为市场提供更好的产品与服务。”　　目前，兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上，形成了有效的扩展。在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择，这也极大凸显了兆易创新在汽车领域持之以恒的投入和创新。

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兆易创新

发布时间：2022-09-15 14:27 阅读量：2844 继续阅读>>

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RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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