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士兰微推出车规智控高精度车灯LED<span style='color:red'>驱动</span>IC-SQ9000

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士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　1.产品概述　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。　　2.SQ9000产品特点　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热　　3.典型应用原理图　　4.整机DEMO　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品

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士兰微

发布时间：2025-06-10 11:02 阅读量：194 继续阅读>>

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士兰微：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统

　　SQ9702/3T是一款单通道 H 桥栅极驱动器，驱动四个外部 NMOS，用于驱动双向刷式直流电机。　　SQ9702/3T具备三种类型控制接口，PH/EN、独立半桥以及PWM。其内部电流采样放大器提供可调的电流控制。其集成的电荷泵可提供 100%占空比支持，而且可用于驱动外部防反电路。　　独立半桥模式支持半桥共享，能够顺序控制多个直流电机，以达到最大的成本效益。SQ9702/3T具备通过固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流的功能。　　SQ9702/3T采用了智能栅极驱动技术，无需外部栅极驱动器件(包括电阻和稳压管)，同时可为外部 MOS 提供保护。SQ9703T 的死区时间可进行配置，SQ9702T具有固定的死区时间，其用于避免出现共通击穿问题。SQ9702/3T可通过配置压摆率为降低 EMI 带来便利，还可防止发生任何栅极短路问题。此外，SQ9702/3T提供主动和被动下拉功能，可防止任何 dv/dt引起的栅极误导通。　　特点　　AEC-Q100，Grade 1：-40°C ~125°C　　单通道 H 桥栅极驱动，支持 100%PWM 占空比　　工作电压范围：5.5V~45V　　三种控制接口选择：PH/EN、独立半桥以及 PWM　　SQ9703T具有用于配置的串行接口(SPI)　　智能栅极驱动，压摆率可调　　支持 1.8V、3.3V 和 5V 的逻辑输入　　集成 1 路电流采样放大器，SQ9703T的放大器增益可调　　集成 PWM 电流调节功能　　低功耗睡眠模式　　封装：QFN-32-5x5x0.85-0.5　　内部保护功能　　▫ 欠压锁定：电源欠压(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)▫ 过流保护(OCP)▫ 栅极驱动器故障(GDF)▫ 热关断(TSD)▫ 故障输出指示(nFAULT)▫ SQ9703T具有过温警告(OTW)▫ SQ9703T具有看门狗故障输出(nWDFLT)　　SQ9703T原理图　　整机DEMO

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士兰微

发布时间：2025-06-10 09:12 阅读量：161 继续阅读>>

上海雷卯电子：无刷电机的<span style='color:red'>驱动</span>MOSFET

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上海雷卯电子：无刷电机的驱动MOSFET

　　当无叶风扇送出柔风时，内部13万转无刷电机正被MOSFET精准驱动;扫地机钻进7cm缝隙，7组电机协同完成毫米级贴边清扫;电动牙刷以31,000次/分钟振动清洁齿缝，筋膜枪在50μs内响应力度调节，而高空作业无人机正用高压水刷洗摩天幕墙——这些看似平常的设备，背后都藏着无刷电机+电子驱动的精密控制系统。　　二、无刷电机驱动 N+P型合封MOS应用原理框图　　上海雷卯EMC小哥列出无刷电机框图如上。无刷电机系统主要由MCU, DRIVER和功率开关管(MOS)组成，其中功率开关管是三颗N+P型合封MOS管(Q1，Q2和Q3)，控制直流电机的方向和转速。采用N+P型合封MOS管相比于适用六颗NMOS管的系统，驱动简单，电路尺寸更小，性能稳定，成本低。　　N+P型MOS应用 - PCBA　　合封N+P型MOS 极大节省了板面空间。　　三、N+P型MOS介绍　　N+P型(Complementary)MOSFET产品，是以高、低边配置将N沟道与P沟道 MOSFET集成至单个封装中，极大程度上优化了产品封装结构。该类Complementary MOSFET产品不仅能够提高设计人员的设计效率，同时也能优化系统结构，提供成本更低且更加可靠的解决方案。　　该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等　　上海雷卯N+P型合封MOS主要封装有以下几种：　　N+P型MOSFET产品封装外形主要有：SOT23-6L、PDFN3.3*3.3、PDFN5*6、SOP-8、TO-252-4L等紧凑型封装形式。　　列出部分上海雷卯N+P合封MOS 型号用于无刷电机　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-06-09 11:09 阅读量：166 继续阅读>>

Littelfuse：IXD0579M高压侧和低压侧栅极<span style='color:red'>驱动</span>器提供紧凑型即插即用解决方案

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Littelfuse：IXD0579M高压侧和低压侧栅极驱动器提供紧凑型即插即用解决方案

　　Littelfuse宣布推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简化了电路板设计，节省了空间，并为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。　　IXD0579M设计用于在6.5V至18V的宽电源范围内工作，在单个紧凑的3×3mm² TDFN-10封装中集成了一个自举二极管和一个串联限流电阻器，这些元件通常需要分立安装。这种创新的集成设计减少了物料清单上的元件数量和成本，同时也简化了PCB布局。　　主要产品特性和优势　　高驱动能力：1.5A拉电流和2.5A灌电流输出驱动电流;　　宽供电电压范围：在6.5V至18V范围内工作，具有UVLO保护;　　集成自举电路：片内自举二极管和电阻简化设计;　　逻辑电平兼容性：直接与TTL和CMOS电平(低至3.3V)对接;　　交叉传导保护：防止高压侧和低压侧同时导通;　　超低待机电流：待机模式下功耗小于1μA，实现高效节能;　　热鲁棒性：-40℃至+125℃工作温度范围。　　“Littelfuse开发的IXD0579M可直接替代常用的行业标准栅极驱动器集成电路。”Littelfuse集成电路部产品经理June Zhang表示，“这为客户提供了更大的灵活性来保障供应，同时还通过集成方案简化了他们的电路设计。”　　IXD0579M是Littelfuse首款同时集成自举二极管和限流电阻的栅极驱动器，进一步丰富了公司日益扩大的功率控制解决方案产品阵容。作为Littelfuse发布的第十一款高压侧/低压侧驱动装置，该产品巩固了公司在服务需要高性能和供应链连续性的“多来源”市场的领先地位。　　目标市场和应用　　IXD0579M专为高频开关而设计，非常适合用于：　　无刷直流(BLDC)电机驱动;　　电池供电的手持工具;　　DC-DC转换器和电源;　　一般工业和电气设备;　　紧凑的外形和稳健的性能使其非常适合空间受限的设计和高效功率级应用。

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Littelfuse

发布时间：2025-06-03 13:11 阅读量：336 继续阅读>>

纳芯微高压半桥<span style='color:red'>驱动</span>NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

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纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

　　纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。　　　应用背景　　近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。　　然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多挑战。以增强型氮化镓(E-mode GaN)器件为例，由于导通阈值较低，在高压大功率场景，特别是硬开关工作模式下，如果驱动电路设计不当，高频、高速开关过程中极易因串扰而导致误导通现象。与此同时，适配的驱动电路设计也比较复杂，这无疑提高了GaN器件的应用门槛。　　为了加速GaN应用普及，国内外头部GaN厂家近年来推出了一些集成驱动IC的GaN功率芯片，特别是MOSFET-LIKE类型的GaN功率芯片，其封装形式可与Si MOSFET兼容，在一定程度上降低了GaN驱动电路的设计难度。但集成驱动的GaN芯片仍存在很多局限性：一方面难以满足一些客户对于差异化产品设计的需求;另一方面，在多管并联、双向开关等应用场景中并不适用，所以在诸多应用场景中仍需要分立GaN器件及相应的驱动电路。对此，纳芯微针对E-mode GaN开发专用驱动芯片NSD2622N，致力于为高压大功率场景下的GaN应用，提供高性能、高可靠性且具备成本竞争力的驱动解决方案。　　产品特性　　NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠驱动;内部还集成了电荷泵电路，可以生成-2.5V的固定负压用于GaN可靠关断。该芯片由于将正负电源稳压电路集成到内部，因此可以支持高边输出采用自举供电方式。　　NSD2622N采用纳芯微成熟可靠的电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V耐压，最低可承受200V/ns的SW电压变化速率，同时高低边输出具有低传输延时和较小的传输延时匹配特性，完全满足GaN高频、高速开关的需求。此外，NSD2622N高低边输出均能提供2A/-4A峰值驱动电流，足以应对各类GaN应用对驱动速度的要求，并且可用于GaN并联使用场景。NSD2622N内部还集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的应用场景。　　NSD2622N详细参数：　　SW耐压范围：-700V~700V　　SW dv/dt抑制能力大于200V/ns　　支持5V~15V宽范围供电　　5V~6.5V可调输出正压　　-2.5V内置输出负压　　2A/4A峰值驱动电流　　典型值10ns最小输入脉宽　　典型值38ns输入输出传输延时　　典型值5ns脉宽畸变　　典型值6.5ns上升时间(1nF 负载)　　典型值6.5ns下降时间(1nF 负载)　　典型值20ns内置死区　　高边输出支持自举供电　　内置LDO固定5V输出用于数字隔离器供电　　具备欠压保护、过温保护　　工作环境温度范围：-40℃~125℃NSD2622N功能框图　　告别误导通风险，提供更稳定的驱动电压　　相较于普通的Si MOSFET驱动方案，E-mode GaN驱动电路设计的最大痛点是需要提供适当幅值且稳定可靠的正负压偏置。这是因为E-mode GaN驱动导通电压一般在5V~6V，而导通阈值相对较低仅1V左右，在高温下甚至更低，往往需要负压关断以避免误导通。为了给E-mode GaN提供合适的正负压偏置，一般有阻容分压和直驱两种驱动方案：　　1.阻容分压驱动方案　　这种驱动方案可以采用普通的Si MOSFET驱动芯片，如图所示，当驱动开通时，图中Cc与Ra并联后和Rb串联，将驱动供电电压(如10V)进行分压后，为GaN栅极提供6V驱动导通电压，Dz1起到钳位正压的作用;当驱动关断时，Cc电容放电为GaN栅极提供关断负压，Dz2起到钳位负压的作用。阻容分压驱动方案　　以上阻容分压电路尽管对驱动芯片要求不高，但由于驱动回路元器件数量较多，容易引入额外寄生电感，会影响GaN在高频下的开关性能。此外，由于阻容分压电路的关断负压来自于电容Cc放电，关断负压并不可靠。　　如以下半桥demo板实测波形所示，在启机阶段(图中T1)由于电容Cc还没有充电，负压无法建立，所以此时是零压关断;在驱动芯片发波后的负压关断期间(图中T2)，负压幅值随电容放电波动;在长时间关断时(图中T3)，电容负压无法维持，逐渐放电到零伏。因此，阻容分压电路往往用于对可靠性要求相对较低的中小功率电源应用，对于大功率电源系统并不适用。E-mdoe GaN采用阻容分压驱动电路波形(CH2为驱动供电，CH3为GaN栅源电压)　　2.直驱式驱动方案　　直驱式驱动方案首先需要选取合适欠压点的驱动芯片，如NSI6602VD，专为驱动E-mode GaN设计了4V UVLO阈值，再配合外部正负电源稳压电路，就可以直接驱动E-mode GaN。　　这种直驱式驱动电路在辅助电源正常工作时，各种工况下都可以为GaN提供可靠的关断负压，因此被广泛使用在各类高压大功率GaN应用场景。　　纳芯微开发的新一代GaN驱动NSD2622N则直接将正负稳压电源集成在芯片内部，如以下半桥demo板实测波形所示，NSD2622N关断负压的幅值、维持时间不受工况影响，在启机阶段(图中T1)驱动发波前负压即建立起来;在GaN关断期间(图中T2)，负压幅值稳定;在驱动芯片长时间不发波时(图中T3)，负压仍然稳定可靠。E-mode GaN采用NSD2622N驱动电路波形(CH2为低边GaN Vds，CH3为低边GaN Vgs)　　简化电路设计，降低系统成本　　NSD2622N不仅可以通过直驱方式稳定、可靠驱动GaN，最为重要的是，NSD2622N通过内部集成正负稳压电源，显著减少了外围电路元器件数量，并且采用自举供电方式，极大简化了驱动芯片的供电电路设计并降低系统成本。　　以3kW PSU为例，假设两相交错TTP PFC和全桥LLC均采用GaN器件，对两种直驱电路方案的复杂度进行对比：　　如果采用NSI6602VD驱动方案，需要配合相应的隔离电源电路与正负电源稳压电路，意味着每一路半桥的高边驱动都需要一路独立的隔离供电，所以隔离辅助电源的设计较为复杂。鉴于GaN驱动对供电质量要求较高，且PFC和LLC的主功率回路通常分别放置在独立板卡上，因此，往往需要采用两级辅助电源架构，第一级使用宽输入电压范围的器件如flyback生成稳压轨，第二级可以采用开环全桥拓扑提供隔离电源，并进一步稳压生成NSI6602VD所需的正负供电电源，以下为典型供电架构：NSI6602VD驱动方案典型供电架构　　如果采用NSD2622N驱动方案，则可以直接通过自举供电的方式来简化辅助电源设计，以下为典型供电架构：NSD2622N驱动方案典型供电架构　　将以上两种GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM进行对比并汇总在下表，可以看到NSD2622N由于可以采用自举供电，和NSI6602VD的隔离供电方案相比极大减少了整体元器件数量，并降低系统成本;即使采用隔离供电方式，NSD2622N由于内部集成正负稳压电源，相比NSI6602VD外围电路更简化，因此整体元器件数量也更少，系统成本更低。GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM对比　　适配多种类型GaN，驱动电压灵活调节　　纳芯微开发的E-mode GaN驱动芯片NSD2622N，不仅性能强大，还能够适配不同品牌、不同类型(例如电压型和电流型)以及不同耐压等级的GaN器件。举例来说，NSD2622N的输出电压通过反馈电阻可以设定5V~6.5V的驱动电压。这样一来，在搭配不同品牌的GaN时，仅仅通过调节反馈电阻就可以根据GaN特性设定最合适的驱动电压，使不同品牌的GaN都能工作在最优效率点。　　除此之外，NSD2622N具备最低200V/ns的SW节点dv/dt抑制能力，提升了GaN开关速度上限;采用更为紧凑的QFN封装以及提供独立的开通、关断输出引脚，从而进一步减小驱动回路并降低寄生电感;提供过温保护功能，使GaN应用更安全。　　纳芯微还可提供单通道GaN驱动芯片NSD2012N，采用3mm*3mm QFN封装，并增加了负压调节功能，从而满足更多个性化应用需求。

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纳芯微

发布时间：2025-05-30 09:52 阅读量：397 继续阅读>>

意法半导体车规栅极<span style='color:red'>驱动</span>器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

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意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

　　意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器(ADC)和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。　　STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。　　在驱动器的重要功能中，先进的诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级(ASIL-D)认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。　　STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定(UVLO、OVLO)以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。　　STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。

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意法半导体

发布时间：2025-05-29 15:00 阅读量：239 继续阅读>>

新洁能推出NSG4427 2A 双通道低侧同相栅极<span style='color:red'>驱动</span>芯片

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新洁能推出NSG4427 2A 双通道低侧同相栅极驱动芯片

　　新洁能NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。　　产品特性　　PIN2PIN替换Infineon IR4427，Microchip TC4427　　双通道输入输出同相位　　兼容3.3V输入逻辑　　工作范围：5V~25V　　锁存保护：可承受0.5A反向电流　　驱动电流能力：　　--拉电流/灌电流=2A/2A　　SOP8封装功能框图　　推荐的应用范围　　变频水泵　　家用空调　　汽车座椅电机　　开关电源　　双通道典型应用电路双通道典型应用双通道并联典型应用　　PCB布局参考双通道PCB布局双通道并联PCB布局

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新洁能

发布时间：2025-05-28 09:14 阅读量：219 继续阅读>>

ROHM首款面向高耐压GaN器件<span style='color:red'>驱动</span>的隔离型栅极<span style='color:red'>驱动</span>器IC开始量产

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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

　　5月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。　　新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。　　新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。　　另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒)，是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。　　GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值)，达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。　　新产品已于2025年3月开始量产(样品价格：600日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。　　EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。　　<开发背景>　　在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。　　ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。　　<应用示例>　　◇ 工业设备：光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源　　◇ 消费电子：白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调　　<术语解说>　　*1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离型栅极驱动器的主要参数之一，指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时，容易产生急剧的电压变化，通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器，可有效防止器件损坏，并降低电路的短路风险。

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发布时间：2025-05-28 09:04 阅读量：251 继续阅读>>

帝奥微推出24通道像素级尾灯高侧<span style='color:red'>驱动</span>方案DIA82924

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帝奥微推出24通道像素级尾灯高侧驱动方案DIA82924

　　在当今的汽车设计领域，汽车尾灯通常由刹车灯、倒车灯、转向灯和雾灯等组成，是车辆与后方交通参与者沟通的重要桥梁。汽车尾灯不仅承担着传递车辆行驶状态与意图、保障道路交通安全的核心使命，更在个性化与创新化方面不断突破。随着消费者对汽车外观视觉效果要求的提升，动画灯效果逐渐成为尾灯设计中的潮流亮点，为每一辆汽车赋予了独一无二的视觉魅力和个性标签。　　帝奥微顺应市场趋势，已推出12通道像素级尾灯高侧驱动方案DIA82920，为汽车尾灯动画效果的实现提供了有力支撑。而今，帝奥微再次发力，重磅发布性能更为强大的24通道像素级尾灯高侧驱动方案——DIA82924。　　DIA82924是一款集成完整的诊断与保护功能24通道线性尾灯驱动方案。它支持UART/CAN通讯，每个通道可单独控制，单通道电流达100mA，满足复杂尾灯设计需求。　　作为帝奥微的最新力作，DIA82924在通道数、系统成本、功耗、通讯效率、EMC性能、PWM调光与分辨率、故障报错机制、应答功能、SLS阈值与开路阈值精度以及软件工作量等方面都实现了显著提升，为汽车尾灯设计提供了更为强大和灵活的支持。同时，DIA82924还保持了帝奥微产品一贯的高精度、高可靠性特点，确保了尾灯动画的稳定与持久，为驾驶者带来更加安全、炫目的视觉体验。　　相较于其他方案，DIA82924通道数更多，系统成本更低。同时它支持相移功能，具备灵活的PWM调光模式(分辨率可选12bit或8bit)，故障报错机制完善，内置可编程EEPROM以适应不同场景。此外，它还具有应答功能、灵活的SLS阈值设置，且开路阈值精度高(±100mV)，并具备ADC自检以及自动检测PWM脉宽的能力。总体来看，DIA82924以其多通道、高效通讯、灵活配置及高精度诊断保护等特性，为汽车尾灯设计提供了全面而优化的解决方案。　　产品特性　　24通道高精度高边电流源：　　芯片电源和负载电源分开　　供电范围4.5 V - 40 V　　LED电源电压3V - 20V　　输出电流可通过电阻调节，每通道电流高达100mA　　高电流精度， 5 - 100 mA时精度小于±5%　　模拟调光：2bit的全局调光，6bit的独立调光　　PWM调光：每通道可单独调光，分辨率为12bit和8bit可选　　支持相移PWM调光　　支持线性和指数调光　　开路阈值精度高(±100mV)　　支持应答使能/ACK EN功能　　基于UART协议的通信接口：　　时钟频率高达1MHz　　最多支持16个可寻址设备　　一帧的数据事务高达24个字节　　内置5V LDO输出给外部CAN接口供电　　完整的诊断和保护　　可编程的fail-safe状态　　LED开路/短路检测，单个LED短路检测　　有单独的开漏输出FAULT引脚指示故障输出　　集成看门狗和CRC校验来检测UART通信　　内置8-Bit ADC做电压/温度检测　　ERR引脚支持50us脉冲或者拉低　　AEC-Q100认证　　EP-TSSOP38, 9.7*4.4mm　　产品优势　　通道数高达24通道　　DIA82924具备更多可配置的通道数量，能够有效满足多场景、多负载的精细化控制需求;同时，通过优化电路架构与集成化设计，可显著降低系统搭建与运行成本。　　支持相移功能　　相移功能是指能够调整信号或电流之间的相位关系。在电子电路中，多个电源模块、驱动电路等可能会同时工作，它们产生的电磁辐射和传导干扰可能会相互叠加，导致 EMC 问题加剧。支持相移功能后，可以对不同电路产生的干扰信号进行相位调整，使得它们在时间和空间上的分布更加分散，从而降低干扰的叠加效应。　　芯片电源和负载电源分开　　芯片电源和负载电源分开对于减小系统功耗，特别是在单灯珠应用中，具有显著的优势，通过电源噪声隔离、独立电源调节和负载动态调节优化等方面，可有效降低系统整体功耗。　　ERR引脚支持50us脉冲或者拉低　　不同的应用场景对ERR引脚的响应时间和电平状态有不同的要求。支持50us脉冲或拉低电平的设计使得ERR引脚能够兼容更多的应用场景和硬件平台，可降低控制器中断负载并适应不同物理故障情况。　　支持PWM调灭　　PWM=0时驱动信号完全关闭，负载(如LED)无电流通过，实现物理性零功耗关断，大幅降低待机功耗，简化系统设计与降低成本，提高响应速度以及可靠性，特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的场景，可显著延长设备续航时间。　　PWM分辨率可配置为8bit或者12bit　　本系统PWM模块支持8位/12位双分辨率动态切换，通过位宽可配置适配多场景需求。8位模式采用单字节传输，较12位模式(双字节)可降低50%带宽占用，适用于实时性要求高且带宽受限的场景;12位模式提供4096级精度调节，满足高精度调光的需求。该设计在带宽效率(8位)与控制精度(12位)间实现平衡，兼顾硬件资源占用与系统成本，适用于汽车电子的差异化场景。　　支持应答使能/ACK EN功能　　启用ACK EN(应答使能)后，发送方无需等待接收方反馈ACK(确认信号)，即可连续发送数据包，提升理论吞吐量。ACK EN功能通过免应答连续传输，建议根据数据可靠性要求(如是否允许偶发丢包)动态启用该功能，以平衡效率与稳定性。　　完整的LED诊断保护机制　　在DIA82920的诊断保护机制上，增加双阈值分级与三次故障确认的组合设计，显著提升了LED系统的可靠性与稳定性。其核心创新在于三次故障确认机制——仅在连续三次触发阈值时才判定故障，将单次检测误报概率显著降低，有效过滤瞬态噪声，减少因误报导致的成本。　　开路阈值精度由±200mV提升至±100mV,系统可在LED实际开路前(如接触不良、导线断裂导致电压异常)更早捕捉电压波动,可精确监测串联LED链中单颗LED的开路(如汽车尾灯组)，避免因单颗LED失效导致整串熄灭，提升产品安全性,显著增强LED系统的故障响应速度。　　用户可根据应用场景灵活配置阈值，实现成本与可靠性的动态平衡。该机制在保障LED可靠性的同时，避免因误报影响用户体验，尤其适合对稳定性要求严苛的车载场景。　　调光时电流上升沿优化　　DIA82924调光电流上升沿优化，没有过冲，可以优化EMC性能，并且避免电流冲击对灯珠可靠性的影响。　　随着汽车智能化进程加速，车灯系统作为车辆主动安全与交互体验的核心载体，正加速向「安全强化+智能显示」双维度演进。　　帝奥微精准把握车灯系统向「安全强化+智能显示」双维度演进这一趋势，现已推出创新型尾灯产品、新一代智能头灯系统、矩阵式光型控制器及沉浸式氛围灯模组，构建了覆盖全场景的车灯解决方案矩阵，欢迎持续关注帝奥微在车灯领域的创新突破。

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发布时间：2025-05-23 11:26 阅读量：283 继续阅读>>

华润微集成电路“降压型LED恒流<span style='color:red'>驱动</span>器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

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华润微集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　ICBG依托深厚的技术积累和对市场需求的精准把握，打造了自主创新的车规级芯片技术矩阵，为智能汽车提供「感知-决策-执行」全链路解决方案，并已成为多家头部新能源车企的战略供应商。未来，ICBG将秉持创新引领发展的理念，专注于研发具有全球竞争力的车规级芯片，为汽车电子领域提供高性能、高可靠性的核心部件产品。

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发布时间：2025-05-19 09:31 阅读量：297 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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