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纳芯微多通道LED<span style='color:red'>驱动</span>正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

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纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

　　近日，纳芯微汽车级 NSL21912/16/24FS 系列线性 LED 驱动产品正式通过第三方检测认证机构DEKRA的功能安全评估，获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。该评估结果表明，NSL21912/16/24FS系列产品在设计、验证及测试等关键环节满足 ISO 26262 功能安全标准中 ASIL B 等级的相关要求，能够适配对功能安全与可靠性要求较高的汽车照明应用。　　权威认证，助力提升汽车照明系统：可靠性与开发效率　　当下，车灯已成为汽车品牌设计的重要载体，其应用场景众多，且部分车灯应用会直接与驾驶安全挂钩，例如制动灯、转向灯的控制。以往，车灯应用的功能安全等级往往集中于QM(Quality Management)到ASIL B之间，而由于车灯厂商的平台化设计需求，以及全球日益严苛的汽车安全法规与供应链准入要求，ASIL B已成为LED驱动芯片功能安全设计的重要目标等级。　　纳芯微此次通过认证的NSL21912/16/24FS系列产品可驱动多达12/16/24串LED，搭配高速通信接口，广泛应用于贯穿式流水尾灯，转向灯，制动灯，格栅灯以及ISD交互等场景。获得功能安全产品认证标志着该系列芯片在系统性失效以及随机硬件失效的应对能力上达到了汽车功能安全ASIL B等级要求，可有效保障车灯安全功能。　　同时，NSL21912/16/24FS系列芯片集成了多项安全措施，可以有效检测芯片自身以及外部组件的异常情况，并通过额外的Fail Safe控制功能，确保系统在检测到异常时能够进入预期的安全状态，从而提升行车安全性，保障驾乘人员及其他道路使用者的安全。　　在此基础上，纳芯微还将为汽车主机厂和Tier 1零部件供应商提供完善的功能安全文档以及技术支持，帮助客户以更低的验证成本、更快的开发速度，打造满足更高功能安全等级的汽车照明系统。　　从体系建设到产品落地：持续输出功能安全成果　　作为汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。NSL21912/16/24FS系列芯片通过 ASIL B 功能安全认证，体现了纳芯微功能安全产品的落地能力。纳芯微的功能安全产品开发流程遵循 ISO 26262 V-Model，专职的功能安全团队在项目初期就深度参与芯片 SEooC(Safety Element out of Context) 制定，在主导芯片安全架构定义的同时，持续运用多种安全分析方法优化设计合理性。ISO 26262 V-Model开发流程　　目前，纳芯微具备功能安全特性的产品已覆盖多个关键领域，包括ABS 轮速传感器 NSM41xx、超声雷达探头芯片 NSUC1800、隔离式栅极驱动 NSI6911 以及磁编码器 MT6511/6521 等。此外，纳芯微还与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。在功能安全团队及内部协同能力支撑下，纳芯微不断深化功能安全项目在多个领域的布局，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。

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发布时间：2026-01-29 09:39 阅读量：293 继续阅读>>

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从隔离技术到功能安全，纳芯微栅极驱动构筑全场景应用护城河

　　导读　　从2020年初推出首款驱动芯片，短短数年时间，纳芯微在驱动芯片领域已实现了跨越式发展，核心依托自身在技术、产品、市场布局等多方面的核心竞争力。　　在最近一次对外交流中，纳芯微技术市场经理庞家华就栅极驱动相关问题展开深度解读，既展现出纳芯微在产品端的创新实力，也清晰诠释了企业快速成长的底层逻辑。　　锚定核心市场，打造核心优势　　栅极驱动芯片是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、 GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。栅极驱动芯片可以放大控制器件的开关控制信号，提供足够的电流来对半导体功率器件的栅极进行快速充放电，从而实现高速开关，减少开关过程中的能量损失，并保护控制器件不受到过高电压或电流的损害。　　庞家华表示，栅极驱动的核心应用市场高度集中，汽车电子、电源领域(含服务器电源、各类电源模块)、光伏领域、工业自动化领域(如变频器、伺服系统)四大场景，占据了整个市场份额的百分之七八十。这四大市场，恰好也是纳芯微深耕最多年的主力赛道。　　他指出，这些核心应用场景的共性需求，是对产品可靠性的极致追求。无论是汽车电驱系统还是光伏逆变器，驱动芯片一旦出现故障，都可能引发终端应用的灾难性后果，因此客户往往将可靠性放在首位。特别是相较于马达驱动，栅极驱动往往都是大功率的应用，对于可靠性的需求不言而喻。在这一关键维度上，纳芯微的产品失效率小于1ppm(百万分之一失效率)。更重要的是，经过前几年的市场验证，纳芯微栅极驱动产品性能更稳定、不良率更低。　　纳芯微作为专业的驱动及电源芯片供应商，持续投入核心资源打磨产品性能，同时立足客户多元化的功率器件应用需求，打造出可适配不同需求的栅极驱动产品，充分贴合实际应用中的器件搭配需求。　　理解全场景，围绕应用构建一站式产品树　　纳芯微始终以 “一站式产品树” 为核心布局逻辑，针对核心领域覆盖全应用场景，并对每个场景做深度技术耕耘，核心思路是精准把握场景痛点、实现全物料配套覆盖。　　在栅极驱动核心应用领域，如电驱系统、车载充电机(OBC)、光伏逆变器、服务器电源等，纳芯微不仅提供驱动芯片，还配套采样芯片、电源芯片及各类传感器，实现不同功率等级应用场景的全覆盖。　　庞家华表示，栅极驱动尽管在应用场景中作用大体相同，但由于应用本身也在不断发展演变并产生新的需求，纳芯微会将这些新需求列为解决的目标，并根据客户的产品规划来构建产品树，与客户共同成长。“我们会持续关注重点应用的发展趋势，紧跟客户的产品迭代节奏，从而不断完善产品树，这一逻辑不仅适用于栅极驱动产品，也适用于公司所有产品方向。”庞家华强调道。　　纳芯微采用了“量产一代、研发一代、预研一代”的研发节奏，基本上每年都会有新产品推出。“前几年需要先完善产品种类，所以迭代节奏相对慢，后续我们希望能够保持一年一代的迭代路线图，未来当产品迭代到一定阶段后，会进入创新突破期，届时迭代周期可能会调整为2-3年一代，中间的间隔期主要用于研发创新型产品。”对于产品迭代节奏，庞家华如是说道。　　目前，纳芯微已形成多系列核心产品矩阵：NSI6602 系列(半桥驱动)、NSI6801 系列(光耦替代型驱动)、NSI6611/6651 系列(智能保护功能驱动)构成核心老产品体系。　　2024 年，多款迭代产品与全新产品陆续推出：　　NSI6801 系列迭代至第三代 NSI6801E，在成本、售价及综合性能上实现全面提升;　　NSI6602 系列升级至第三代 NSI6602ME，作为全球首款带米勒钳位功能的半桥驱动，有效抑制碳化硅(SiC)应用中的米勒震荡，在 OBC 及 SiC 应用客户中反响热烈;　　NSI6611/6651 系列迭代至第二代 NSI67xx 系列，集成模拟信号采样或 ASC 保护功能，功能更丰富。　　另外，纳芯微也推出了全新功能安全驱动 NSI6911F，作为国内首款应用于电驱系统的功能安全驱动芯片。　　栅极驱动选型指南　　栅极驱动的选型主要分为以下几个步骤：　　第一步，先确定选择隔离驱动还是非隔离驱动。如需为了极致控制成本，且对性能、耐压要求不高，会选择非隔离驱动;如果应用场景对隔离、耐压有要求，则需要选择不同等级的隔离驱动。　　第二步，根据驱动对象和功率等级选择合适的驱动电流和驱动电压，不同的功率器件(如氮化镓GaN、碳化硅SiC、绝缘栅双极型晶体管IGBT等)对驱动电流和电压的要求不同，需要根据具体的功率器件类型和功率等级来匹配。　　第三步，选择额外的功能模块，包括保护功能，普通保护只有欠压保护、死区时间保护等;而智能栅极驱动集成了米勒钳位、退饱和保护、软关断电流、电源告警上报等复杂的保护功能。另外还有ADC采样、功能安全等等不同的需求。　　另外，还可以根据拓扑结构进行选型，比如选择单管驱动(仅驱动一个功率管)或半桥驱动(驱动两个功率管)。　　根据隔离、驱动种类、功能模块的区别，纳芯微有一系列独到的技术组合。庞家华特别强调，从隔离到驱动再到保护、采样和电源等功能，纳芯微多年的产品研发过程中积累了大量的成熟IP，可以支持驱动类产品的不断创新演进。　　适配第三代半导体，栅极驱动定制化解决方案　　随着第三代半导体的流行，纳芯微在栅极驱动方面做了非常多的工作，以适配不同的第三代半导体。　　首先对于SiC而言，性能与IGBT相比差异不大，但SiC的开关速度更快，这要求驱动芯片具备更高的共模瞬变抗扰度(CMTI)，以避免噪声导致器件误操作。　　对于GaN而言，驱动则相对复杂，核心难点在于高频场景下的震荡抑制，需要优化驱动电流输出，同时GaN的栅极-源极(GS)电压耐受能力较弱，过压容易导致器件损坏，所以需要确保输出电压稳定。“这些技术难点无法通过一句话概括，核心还是“实践出真知”，需要不断测试、优化，才能让产品性能达到最优。因此，纳芯微选择与头部功率器件厂商联合开发，是我们做好GaN驱动的关键，也是我们的核心优势之一。”庞家华介绍道。　　按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，充分发挥GaN器件的性能优势。　　其中耗尽型GaN内部集成了一个小的MOSFET，和传统的MOSFET驱动差异不大，因此使用常规驱动芯片就能够驱动。　　去年9月，纳芯微、联合电子与英诺赛科共同签署战略合作协议，三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成GaN相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀，提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案，进一步提升系统功率密度。“GaN作为第三代半导体，目前仍处于技术探索阶段，无论是驱动芯片还是功率器件本身，都存在不少技术难点，要做好GaN驱动，需要进行联合开发，这将是一个不断摸索的过程。”庞家华强调道。　　高功率场景栅极驱动双核心保护技术解析　　随着功率等级越来越高，保护电路越来越重要，选择一款合适的驱动器，可以显著提高系统的可靠性，简化系统设计，缩短研发成本。对于功率越来越大的器件，都可能因为误导通或dv/dt变化太快从而烧毁器件，因此目前保护功能中，退饱和保护(DESAT)和米勒钳位是值得注意的两项技术。　　退饱和保护主要是短路保护功能，它通过集成恒流源和比较器，监测功率器件的VCE电压，当检测到短路时，会触发软关断功能，缓慢关断功率器件，避免器件因短路烧毁。关断过程不会瞬间完成，而是缓慢进行，防止关断过快导致过压损坏。　　米勒钳位技术则主要是为了抑制米勒效应。米勒效应是在功率管开关过程中，功率管的集电极(C极)和栅极(G极)之间存在寄生电容CGD，在开关过程中会产生dv/dt变化，dv/dt与CGD的乘积会形成米勒电流，该电流会流向栅极，而栅极存在电阻Rg，电流通过电阻会产生电压，导致栅极-源极之间出现压差，从而使功率管被误打开，这就是米勒效应。　　米勒钳位技术就是通过增加一条低阻抗的泄放路径，将米勒电流释放到地，避免栅极-源极电压被抬高，防止功率管误导通。　　ASIL-D 功能安全驱动构筑电驱系统安全核心　　功能安全指的是，栅极驱动芯片可以通过对驱动芯片自身、功率模块以及驱动系统中的失效模式进行识别，结合内在安全机制和系统级安全控制逻辑，在故障容忍时间间隔(FTTI)内使系统进入安全状态，避免因故障导致严重的危害人身安全的事件发生。　　采用满足功能安全标准的芯片来进行功能安全零部件的开发，可以大大简化系统开发流程，减少软硬件设计难度，降低失效风险，提高可靠性和鲁棒性。纳芯微的功能安全栅极驱动芯片集成了系统功能需求模块和诊断需求模块，可以有效降低系统成本。同时支持软件智能配置，可针对不同应用场景及功率模块的产品，实现差异化配置开发。“功能安全本质上是系统级的概念，即使不使用功能安全驱动芯片，也可以通过增加冗余设计、额外的保护电路等方式，实现较高的系统功能安全等级，只是这样会增加设计复杂度和成本。”庞家华介绍道。　　庞家华表示，尽管目前行业内并没有强制功能安全的驱动，但中高端车型越来越注重性能和安全，通常会选择更高安全标准的产品，随着未来行业标准的不断演进，有可能推动功能安全驱动的强制性要求。　　展望未来　　庞家华表示，除功能安全，压摆率调节将成为栅极驱动的另外一个重要发展方向，该技术通过在轻载、重载等不同工况下动态调节驱动电流，优化 dv/dt 和功率损耗之间的权衡，从而实现全场景效率最大化，既契合绿色能源发展的行业共识，又能有效帮助客户降低电池、体积等核心成本，具备显著的技术价值与市场潜力。　　实际上，在不久前出版的《节能与新能源汽车技术路线图3.0》上，纳芯微技术专家方舟介绍了栅极驱动的关键技术发展趋势，产品将向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。比如，栅极驱动的关键技术趋势包括提升驱动电流能力，提供智能驱动电流调节和共模瞬变抗干扰度。此外，在工艺上还将攻关垂直MOS工艺、垂直BCD工艺及车规耐高压工艺等，预计到2040年通过设计与工艺优化实现桥驱与高边导通内阻进一步降低，全面支持48V系统。　　另外值得一提的是未来的服务器市场，特别是AI算力中心的发展，对于功率的需求越来越大，给电源驱动带来了新的机会。庞家华认为，服务器电源追求极致的功率密度，要求体积越来越小，GaN能够充分发挥高频特性，是目前高功率密度的最优选择，纳芯微也将积极拓展该领域的布局。　　“对于栅极驱动而言，功能的提升相对简单，更重要的是贴合应用场景进行技术升级。工艺优化也是同理，需要在抗干扰能力、压摆率调节功能、更大的驱动电流这些功能增加的同时，尽量缩小芯片面积，在功能和成本上达到平衡。”庞家华总结道。

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发布时间：2026-01-28 09:58 阅读量：309 继续阅读>>

Microchip推出新型600V栅极<span style='color:red'>驱动</span>器

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Microchip推出新型600V栅极驱动器

　　Microchip Technology宣布推出其600V栅驱动器系列，包含12款器件，提供半桥、高侧/低侧和三相驱动配置。基于Microchip的电源管理解决方案，这些高压栅极驱动器旨在促进工业和消费应用的电机控制和功率转换系统的开发。　　600V门极驱动器实现快速切换和高效性能，当前驱动功率范围从600mA到4.5A不等。它们支持3.3V逻辑，实现与微控制器的无缝集成。这些栅极驱动器设计具有增强的抗噪能力、施密特触发输入和内部死区以保护MOSFET，能够在高噪声环境中实现可靠的性能。　　Microchip模拟电源与接口部门副总裁Rudy Jaramillo表示：“Microchip的600V门极驱动器为我们的客户提供了应对复杂电机控制和电力转换挑战所需的可靠性和效率。这些器件帮助工程师更快、更有信心地将功率系统推向市场。”　　为了实现全面的系统解决方案，Microchip的电机控制和功率转换产品可以与公司的MCU和MOSFET一起使用。这些门极驱动力支持工业系统电气化、可再生能源增长以及对紧凑高效电机控制解决方案需求的增长等行业趋势。　　Microchip提供多种栅极驱动器产品，支持从直流-直流电源到多种电机应用的广泛应用，同时促进高设计灵活性、系统效率和稳健运行。　　Microchip Technology Inc 开发嵌入式控制与处理解决方案，旨在实现安全、互联和智能应用。凭借广泛的产品组合和简化的开发工具，公司支持高效的系统设计，旨在降低开发风险、成本和部署时间。Microchip 服务全球超过 10 万客户，其技术应用于工业、汽车、消费电子、航空航天与国防、通信及计算机等多个领域。公司总部位于亚利桑那州钱德勒，专注于可靠的产品交付、高质量的制造质量和强大的技术支持。

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发布时间：2026-01-27 10:08 阅读量：310 继续阅读>>

纳芯微推出基于QM隔离<span style='color:red'>驱动</span>、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案

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纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案

　　随着新能源汽车对安全性要求的持续提升，电驱系统正从单一的动力执行单元，逐步演进为深度参与整车制动与扭矩安全控制的关键系统。在这一趋势下，于2026年实施的强制性国标GB 21670明确提出：制动系统需按照ISO 26262功能安全流程进行开发。尽管该标准并未强制规定具体的ASIL等级，但从整车扭矩安全角度来看，电驱系统由于间接或直接参与制动功能，因而需要满足更高的功能安全要求。　　在此背景下，纳芯微推出基于QM(Quality Management)隔离驱动芯片NSI67xx-Q1系列的系统级ASIL C功能安全解决方案，在满足法规与安全诉求的同时，为客户提供低变更、低成本、高可靠性、可快速落地的电驱系统解决方案。　　更高性价比选择：　　以QM隔离驱动芯片实现系统级功能安全设计　　针对电驱系统的功能安全实现，行业目前存在两种路径。　　电驱系统的功能安全实现路径　　路径一是当前行业内实现电驱系统功能安全的通用做法，其核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即电驱系统的MCU、PMIC、驱动芯片等核心器件本身需要具备对应的ASIL等级。　　路径二则体现了更为灵活的系统工程思维。其逻辑是在MCU与PMIC满足功能安全等级的基础上，将成熟可靠的QM隔离驱动芯片与功率器件、电机共同作为扭矩输出单元，通过对应的外围电路设计与软件架构协同，在系统层级实现功能安全目标。　　纳芯微基于QM隔离驱动芯片　　实现电驱系统级功能安全设计方案　　在电驱系统升级的实际方案落地中，路径二展现出了综合竞争优势。在开发维度，通过在硬件设计上仅增加必要的冗余关断路径，该方案最大程度地减少了对主功率回路的调整，使得软件与系统架构的改动处于高度可控范围内，显著缩短了开发周期，能够快速响应在研项目对2026年国标切换的时间要求。　　目前，该方案已全面兼容SiC与IGBT功率平台，覆盖400V及800V高压系统，成为电驱系统架构实现功能安全等级的选择之一。　　基于NSI67xx-Q1　　实现ASIL C系统级功能安全的电驱解决方案　　目前，纳芯微推出的电驱解决方案已通过第三方认证机构德凯(DEKRA)的权威评估，基于NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片打造的电驱系统能够满足ASIL C的功能安全等级。作为该方案的核心器件，NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片在性能、可靠性与工程适配性方面具备多项优势：　　集成隔离模拟采样功能：可用于温度检测或电压检测，有助于简化系统设计。　　高抗干扰能力：CMTI≥150kV/μs，适配复杂电驱电磁环境。　　高驱动能力：支持最高±10A拉灌电流，轨到轨输出，满足SiC/IGBT高功率密度电驱需求。　　更强的鲁棒性设计：在EOS、浪涌耐受等关键指标上表现出色，质量表现稳定。　　安全保护机制：支持ASC功能(原边/副边)，异常情况下可强制输出至安全状态。　　灵活封装选择：提供小型化封装(SSOW20)与标准封装(SOW16)方案，兼顾成本、空间与平台化需求。　　量产验证充分：基于成熟产品平台演进，具备良好的可靠性与一致性基础。　　德凯评估报告　　从体系到产品，　　纳芯微持续构建全栈功能安全能力　　在功能安全领域，纳芯微始终坚持体系化能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得德国TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D "Managed"级别认证;2025年，纳芯微功能安全管理体系进一步获得莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证，这标志着公司完成了从“体系建立”到“工程实践”的能力跃迁，成为国内少数具备该能力等级的模拟芯片企业。　　目前，公司已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架，并将其成熟应用于多款关键产品的全生命周期开发中，实现了从方法论到产品落地的成功闭环。在汽车关键应用中，纳芯微的功能安全产品已在轮速传感器、LED驱动、隔离栅极驱动、超声雷达等领域实现量产，并与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。　　依托精专的功能安全团队及深度协同能力，纳芯微正加速在多个领域推进功能安全项目，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。

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发布时间：2026-01-22 13:06 阅读量：336 继续阅读>>

兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容，以“超高算力+实时通信”双擎<span style='color:red'>驱动</span>未来

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兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容，以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

　　1月22日，兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU，包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU，以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU，该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存(TCM)，实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品、智能家居以及消防等领域，树立性能新标杆，为下一代智能装备的升级奠定核心硬件基础。　　性能铁三角：750MHz内核、高速存储与零等待访问　　GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核，主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置，最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存(TCM)，实现CPU同频运行，指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理，这一革新架构可让算力持续释放，系统响应更快、执行更稳。　　灵活存储与强大扩展接口　　该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性，配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率(DTR)模式，可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器，实现高速数据交换。　　同时，GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块，进一步扩展了连接能力，可支持直接对接外部SDRAM与FPGA，不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽，也为复杂系统集成与定制化硬件协同提供了便捷可靠的桥梁。　　GD32H78E/77E系列MCU，运动控制核心芯片　　▲GD32H78E/77E芯片框图　　GD32H78E/77E系列芯片集成了EtherCAT®从站控制器，其DC同步周期精度提升至62.5微秒，达到业界先进水平。该设计不仅支持复杂的多轴联动与高动态响应控制，更能满足工业自动化、机器人、数控机床等领域对时序一致性的严苛要求，助力实现系统整体性能的提升。　　GD32H78E/77E系列芯片还配备了全面的高性能编码器接口，可原生支持多摩川(Tamagawa)T-format、HIPERFACE DSL、EnDat 2.2、BiSS-C及尼康(Nikon)A-format等主流工业编码器协议与旋转变压器(R/D Converter)，同时其通信接口具备CBC保护机制。结合其强大算力内核，GD32H78E/77E系列MCU可直接适配各类高端伺服电机与精密位置传感器，为伺服驱动器、机器人关节控制器及数控系统提供了高度集成的一站式解决方案。　　GD32H789/779系列MCU，高性能通用芯片　　▲GD32H789/779芯片框图　　GD32H789/779系列芯片不仅为复杂应用构建了全功能的通信与交互枢纽，更在模拟性能上实现突破。其内置的14-bit ADC凭借出色的设计，实现了优异的有效位数表现，同时集成的高性能数字滤波器模块(HPDF)，能直接处理外接高精度Sigma-Delta ADC，形成了从芯片内置到外接扩展的完整高精度解决方案。该系列产品核心外设资源包括：　　先进多媒体：图形处理加速器、 TFT-LCD接口、数字摄像头接口　　高速有线通信：8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S　　先进网络与总线：2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD　　高性能模拟系统：2x14bit ADC(具有优异有效位)、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF(可外接高精度Σ-Δ ADC)　　高速数据接口：1xUSB HS OTG(内置PHY)、1xUSB FS(内置PHY)、2xSDIO　　全方位构建安全屏障　　兆易创新GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU构建了从硬件到软件的全栈安全体系，系统性地实现了安全启动、安全调试、代码保护与安全升级等核心功能。该体系不仅提供基于安全启动与安全更新(SBSFU)的软件平台，更依托用户安全存储区等硬件机制，实现对代码与数据的多级防护，确保固件升级、完整性校验、真实性验证及防回滚检查全程可靠。　　在硬件加密层面，芯片内置的CAU模块支持DES、TDES及AES算法，并具备高效的DMA传输能力。HAU模块则支持SHA-1、SHA-224、SHA-256、MD5及HMAC等多种哈希算法，保障数据完整性与身份认证安全。此外，该系列芯片还提供EFUSE用于安全存储系统关键参数，并集成TRNG真随机数发生器，可生成高质量的32位随机数。　　该系列MCU集成了全面且高等级的安全功能，MCU STL获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证，全面支持 IEC 60730 Class B等各行业安全标准，并助力客户产品从容符合欧盟《网络弹性法案》(CRA)等法规，提升市场准入效率。

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发布时间：2026-01-22 11:33 阅读量：399 继续阅读>>

为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机<span style='color:red'>驱动</span>与电源管理

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为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。

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萨瑞微

发布时间：2026-01-20 11:49 阅读量：329 继续阅读>>

荣湃 Pai8233X 隔离<span style='color:red'>驱动</span>器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析

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荣湃 Pai8233X 隔离驱动器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析

　　Pai8233X是基于荣湃iDivider技术开发的双通道隔离栅极驱动器，具有4A的峰值源电流和8A的峰值灌电流，最高开关频率可达5MHz，适用于MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。输入VCCI支持3V至5.5V的范围，使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。输出侧欠压保护支持6V、9V、12V三种电平，每个器件都支持高达25V的VDD电源电压。具有供电范围广、传输延时低、CMTI能力强等特点。　　01使用注意事项　　为应对高频、大功率等复杂工况下隔离栅极驱动器的误动作与损坏风险，保证系统安全可靠工作，须在系统电路设计及PCB布局时，留意以下芯片使用相关的注意事项。图1 Pai8233X典型应用原理图　　1.1 输入端口滤波器　　为抑制PCB长走线或布局不当引入的输入噪声，建议在INA/INB端口配置RC滤波器(RIN: 0~100Ω，CIN: 10~100pF)。具体参数需在信号抗扰度与传播延时之间取得平衡。　　1.2 供电去耦电容/自举电容　　荣湃Pai8233X系列隔离驱动器的逻辑侧(VCCI)供电范围为3-5.5V，高压侧(VDDA/VDDB)最大工作电压25V。为提高工作鲁棒性并抑制电源噪声，建议在逻辑侧VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF(16V/X7R)的低ESR和低ESL的标贴型多层陶瓷电容器(MLCC)并联组合。同理，在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF(50V/X7R)的MLCC并联组合。需要注意的是，所有去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。　　1.3 栅极驱动电阻　　合理选型栅极驱动电阻可抑制由PCB寄生参数、高电压/电流开关dv/dt、di/dt及体二极管反向恢复引起的振铃，改善EMI表现，并优化开关损耗与驱动速度。电阻值过小可能导致电压过冲与开关过快;电阻值过大则易引起开关速度降低和开关损耗过大，不利于驱动性能。栅极驱动电阻对功率器件的性能与鲁棒性具有重要影响，为了平衡系统效率和电磁干扰性能，设计中应综合考虑系统需求进行选型，其驱动电流峰值可参考下式计算：　　其中，ROH/ROL为驱动芯片导通/关断输出内阻，RON/ROFF为外部栅极导通/关断电阻，RGFET_int为功率管内部栅极电阻(可查对应功率管数据表)。　　1.4 栅极-源极并联电阻/电容　　MOS管的栅漏寄生电容(米勒电容)会在开关过程中导致栅极电压波动。当漏极电压快速变化时，米勒电容会将漏极电压的变化耦合到栅极，可能使栅极电压超过阈值，导致MOS管在关断状态下误导通。在栅极和源极之间并联电阻、电容，可以增加米勒电容电流释放路径，增大栅源电容的容值，分担米勒电容耦合的电压，从而降低栅极电压的波动幅度，减少误导通的风险。此外，并联CGS可以减小谐振频率，减小在开关过程中栅极的振铃幅度，使栅极电压波形更平滑、更稳定。RGS通常在5kΩ~20kΩ之间，CGS通常在100pF~10nF之间，具体可根据实际应用场景进行选择。　　02常见问题汇总　　1、死区时间Dead Time如何设置?　　答：Pai8233X 允许用户通过以下方式设置死区时间(DT)：　　DT引脚连接到VCCI：没有死区时间，A、B两路输出信号可以同时为高。　　DT引脚悬空或通过编程电阻连接到GND：如果DT引脚保持开路，则死区时间(tDT)设置为<15ns。如果DT引脚通过电阻与GND相连，死区时间tDT可以电阻RDT来设置。死区时间可以用公式tDT ≈ 10×RDT来计算。电阻RDT的单位kΩ，死区时间tDT的单位ns。　　当DT功能激活时，如果两个输入同时为高，则两个输出将立即变为低，此功能可以防止直通，并且不会影响正常工作时的死区时间。各种输入输出情况下死区逻辑关系如下图。图2. 输入、输出、死区逻辑关系　　2、DT引脚在芯片上电后还能更改配置模式吗?　　答：DT引脚只有在上电的时刻会去识别配置模式，一旦确定后就无法更改，除非重新下电。但是如果配置模式为接RDT到GND的模式，上电时可以通过更改电阻来修改DT时间，但无法在上电状态下更改成其他的配置模式。　　3、通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间如何选择?　　答：通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间应按照最大值进行选择。即当硬件死区时间大于上位机软件设置的死区时间时，则隔离驱动器将按照硬件死区时间进行工作。当上位机软件设置的死区时间大于硬件死区时间时，则隔离驱动器将按照上位机软件设置的死区时间进行工作。　　4、为了提高驱动器的驱动能力，能否将Pai8233X的两个驱动通道并联使用?　　答：不建议将双通道隔离驱动器的两个通道并联使用。因为并联使用对器件同步性能要求很高，Pai8233X的两个驱动通道之间有传播延时差异(一般<5ns)，且Pai8233X的默认输出状态为低电平。如果通道间出现传播延时差异，可能会导致驱动器上通道与下通道短路，最终无法实现驱动功能。荣湃目前已推出驱动能力更强的双通道隔离驱动器Pai8236X系列，峰值源电流和灌电流均达10A。如果需要更强驱动能力的芯片，可以选择此系列产品。　　5、双通道隔离驱动器如何实现负压偏置电路?　　由PCB布局非理想或MOS封装引线引入的寄生电感，可能导致功率管在开关过程中出现栅极电压振铃。若振铃超过阈值电压，将引发误导通甚至器件击穿的风险。为将振铃电压抑制在安全范围内，施加负栅极偏置是一种常用且有效的解决方案，以下是几种典型实现电路。　　图3显示了一个示例，在二次侧隔离电源上使用齐纳二极管构造一个负电源电压，为驱动器输出提供负压，让开关管实现负压关断。用户可以根据实际需求，选择不同钳位电压的齐纳二极管ZX，实现相应的关断负压值。此电路需要2路独立的隔离电源用于实现半桥配置，并且RZ上存在稳态功耗。图3. 利用2路独立电源输出级上的齐纳二极管生成负偏置　　图4显示了一个使用两组独立/四路电源的解决方案。每组电源VDDX有2路输出(VX+和VX-)。电源VX+决定驱动输出电压，VX-决定负电压关断。此方案比第一个例子所需的电源数量多，但在设置正负电源电压时更具有灵活性。图4. 利用两组/四路电源生成负偏置　　图5所示的方案采用单电源与齐纳二极管生成负偏置，结构简单、成本最低，并兼容自举高侧驱动。但需注意其存在以下局限：(1)负栅极驱动偏置同时受齐纳二极管和占空比共同影响。负偏置的能量来自于驱动信号高电平器件对耦合电容的充电，这意味着占空比决定了每个周期内对耦合电容的充电时间。因此，在此方案中，使用变频谐振转换器等具有固定占空比(约50%)的转换比较有利。(2)高侧VDDA-VSSA必须维持足够的电压来保持在建议的电源电压范围内，这意味着必须保证低侧有足够的导通时间来刷新自举电容器。因此高侧驱动无法实现100%占空比。图5. 利用单电源和栅极驱动路径上的齐纳二极管生成负偏置　　总结　　为方便客户设计负压关断电路，荣湃现已推出集成负压偏置功能的隔离驱动产品Pai8236XNX。该芯片内部集成负偏压功能，无需外部增加额外电路元器件。

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发布时间：2026-01-08 15:40 阅读量：326 继续阅读>>

罗姆2025重点产品特辑：技术<span style='color:red'>驱动</span>·赋能未来

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罗姆2025重点产品特辑：技术驱动·赋能未来

　　当2025年的进度条拉满，2026年的新篇已在指尖展开。过去一年，全球半导体产业在人工智能、智能汽车与高性能计算的多元需求驱动下，技术迭代持续提速。从AI算力的爆发到高端制造的精进，从材料革新到器件升级，每一次技术迭代都在重新定义产业边界。此刻，让我们聚焦核心亮点，共同盘点这一年的“芯”意之作。　　01 SiC领航，构筑高效能源基石　　在追求理想能效的过程中，碳化硅(SiC)产品及技术是罗姆的核心引擎。2025年，罗姆推出了系列重磅产品，为光伏、电动汽车、服务器电源等关键领域提供硬核支持。　　二合一SiC模块 DOT-247　　该模块适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。　　查看新闻　　高功率密度的新型SiC模块 HSDIP20　　适用于xEV(电动汽车)车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。　　查看新闻　　TOLL封装的SiC MOSFET：SCT40xxDLL 系列　　该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　查看新闻　　02 MOSFET迭代，驱动汽车与AI服务器发展　　MOSFET是电力转换的基石。罗姆的MOSFET产品线实现了车载高可靠与AI服务器高效能的双轨并进，以精准的技术迭代，推动两大前沿产业的蓬勃发展。　　车载40V/60V MOSFET高可靠性小型新封装产品　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚，提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合技术，还能支持大电流。　　查看新闻　　适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET　　适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　查看新闻　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。　　查看新闻　　更多MOSFET系列产品，点击查看　　实现业界超低导通电阻的小型MOSFET　　适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET　　03 多元布局　　赋能更广阔的应用版图　　除上述产品外，罗姆在汽车电子、工业控制及消费电子等广泛领域同样提供多款关键元器件与解决方案，以完整的产品生态支持系统创新。　　- 高精度检测与保护：金属烧结分流电阻器、高精度电流检测放大器、保护用肖特基势垒二极管，为系统提供可靠的电流感知与电路保护。　　- 智能控制与驱动：适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关、通用电机驱动IC、三相无刷电机驱动器IC，实现更智能、更高效的功率控制与运动控制。　　- 环境感知与信号处理：搭载VCSEL的高速接近传感器、超小尺寸CMOS运算放大器、近红外LED及小型热敏打印头，实现环境感知、信号调理到信息输出的全功能覆盖。　　未来，罗姆将持续聚焦前沿技术突破，携手生态伙伴，共同推动半导体产业迈向更高能效、更广场景的下一阶段。让我们在新的一年里，继续以“芯”之力，共赴新程。

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发布时间：2026-01-08 14:50 阅读量：379 继续阅读>>

川土微电子 CA-DV8008 I²C控制八通道低边<span style='color:red'>驱动</span>

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川土微电子 CA-DV8008 I²C控制八通道低边驱动

　　在家用电器和工业控制领域，多路负载驱动常面临控制器GPIO资源有限、系统成本高昂的难题。为应对这一挑战，川土微电子正式推出CA-DV8008——一款I²C控制的八通道低边驱动。该器件通过高效的串行转并行控制架构，显著优化系统资源占用，降低整体方案成本，为多路驱动应用提供高集成度、高可靠性的国产芯片解决方案。　　01产品概述　　CA-DV8008是一款I²C控制的八通道低边驱动。该器件采用串行接口转并行输出的控制方式，可大幅节约主控制器GPIO资源，简化系统设计，有效降低硬件成本。　　器件每通道支持500mA的灌电流能力，输出端口耐压高达50V，内置钳位二极管为感性负载关断时提供退磁回路，适用于步进电机、直流电机、继电器及螺线管等多种负载的驱动。　　CA-DV8008支持最高400kHz的快速I²C总线，有3个硬件地址配置引脚，支持同一I²C总线上最多挂载8片CA-DV8008，实现64路输出的集中控制。器件的SCL与SDA引脚采用CMOS逻辑电平，逻辑供电电压VCC支持3V至5.5V宽范围输入，可直接与3.3V或5V微控制器直连和共电源。　　CA-DV8008提供SOIC16-NB与TSSOP16两种封装型式，环境工作温度(TA)范围覆盖-40°C至+125°C，满足家用电器和工业级应用环境要求。　　简化电路框图　　02特性　　八通道低边输出　　单通道500mA灌电流能力(25°C，单通道开启)　　单通道250mA灌电流能力(25°C，八通道开启，SOIC16-NB封装)　　输出端口电压高达50V　　内置钳位二极管应对感性负载　　输入I²C控制，支持最高400kHz的时钟速率　　SCL/SDA引脚CMOS逻辑电平　　3个地址可配引脚，同一总线上最多可挂载8片CA-DV8008　　VCC电源电压范围：3V~5.5V　　环境工作温度范围：–40°C ~ 125°C　　提供SOIC16-NB和TSSOP16封装选项　　03 典型应用场景　　运动控制：步进电机驱动、直流有刷电机驱动　　功率开关：继电器驱动、接触器控制、螺线管驱动　　照明系统：多路LED驱动与调光控制　　信号分配：线驱动器、逻辑缓冲器与电平转换　　家用电器和工业自动化：多路执行器控制、阀门驱动、电磁铁控制　　CA-DV8008可以用来驱动2个四相五线制步进电机，逻辑侧电源VCC可以和微控制器共电源，支持3V到5.5V的供电电压范围，在使用时SCL和SDA需通过电阻上拉至VCC，通过A2~A0引脚短接至VCC或者GND来设定器件地址。CA-DV8008内部集成钳位二极管，在应用时连接到系统高压电源，为感性负载关断时提供续流回路。

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发布时间：2025-12-25 17:04 阅读量：511 继续阅读>>

3通道线性LED<span style='color:red'>驱动</span>器 | 力芯微推出车规级3通道线性LED<span style='color:red'>驱动</span>芯片

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3通道线性LED驱动器 | 力芯微推出车规级3通道线性LED驱动芯片

　　产品概述　　随着汽车照明设计的日益复杂化，市场对车灯驱动芯片的稳定性、调光灵活性以及故障诊断能力提出了极高的要求。　　力芯微推出的ETQ62630，是一款专为汽车LED照明应用打造的高性能 3通道线性恒流驱动器。它支持 5V至40V 的宽输入电压范围，每个通道可提供最高 150mA 的恒流输出。通过并联输出模式，单芯片更可实现高达 450mA 的驱动电流，有效满足高亮度照明需求。　　ETQ62630 具备卓越的调光性能，支持模拟调光及每个通道独立的 PWM 调光，可灵活应用于日行灯、位置灯、雾灯、尾灯及车内照明等场景。针对汽车应用的高可靠性要求，该芯片集成了强大的故障诊断功能，能够检测开路、短路(包括单颗LED短路)及过热故障。　　此外，其特有的故障反馈引脚支持多达 15 个器件并联至同一总线，实现级联故障保护。ETQ62630 符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，在 -40°C 至 +125°C 的宽温环境下均能稳定运行，为汽车照明系统提供了高可靠性的解决方案。　　产品特性　　宽输入电压范围：5V 至 40V，适应汽车电气环境　　3通道LED驱动：支持模拟调光和独立的PWM调光功能　　可调节恒定输出电流：　　- 单通道最大电流：150mA　　- 并联模式最大电流：450mA　　- 高精度：当 Iout > 30mA 时，通道间精度 ±1.5%，器件间精度 ±2.5%　　低压差设计：　　- 60mA时，每通道最大压差仅400mV　　- 150mA时，每通道最大压差仅0.9V　　全面的故障诊断与保护：　　- 开路和短路检测功能　　- 具备每通道LED串电压反馈，可检测单颗LED短路故障　　- 独立的故障引脚用于报告单颗LED短路　　级联保护功能：故障引脚支持连接多达15个器件，共享开路、短路及热关断信号　　智能热管理：具备可编程的热电流折返功能，防止LED闪烁及过热　　车规级可靠性：符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，工作环境温度范围 -40°C 至 +125°C　　管脚定义　　典型应用　　功能框图

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力芯微

发布时间：2025-12-23 11:06 阅读量：473 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
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