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思瑞浦推出可变增益<span style='color:red'>电流</span>检测放大器TPA127系列！供电电压和输入共模电压可达60V

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思瑞浦推出可变增益电流检测放大器TPA127系列！供电电压和输入共模电压可达60V

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)全新推出可变增益电流检测放大器—TPA127系列，供电电压和输入共模电压可达60V，工作温度支持-40°C 至125°C，产品广泛应用于无人机驱动板、BMS板、服务器主控板、低压大功率DCDC电源、通信设备等。　　01 TPA127/TPA127B产品优势　　低功耗　　输入静态电流在全温范围(-40℃至125℃)内小于80uA;可减小系统待机功耗，特别是电池应用场景。　　高精度和低温漂　　Vos典型值±0.3mV,全温最大2.4mV;　　Vos温漂1.5μV/°C;　　可满足大多数应用场景的电流精度需求。　　增益可调　　通过输出对地电阻的大小可设置运放增益，外围电路简单，可以用于各种电流检测应用场景，让检流电阻规格可以大大减少，方便物料管理。　　较宽的Sense电压范围　　Sense电压范围0至2V，适应各种大小电流应用场景，让Sense电阻的选择范围更宽，在大小电流的应用场景更容易选择，设计更加方便。　　高PSRR&CMRR　　PSRR&CMRR>90dB(f<1KHz),可有效抑制电源干扰和输入共模干扰带来的输出偏差。　　上电建立时间<100uS　　应用产品开机给运放供电后可快速读取到电流值。　　　　02 TPA127/TPA127B产品特性　　高压端单向电流检测放大器;　　宽共模输入范围：3V至60V;　　宽电源电压范围：3V至60V;　　独立的电源和输入电压;　　输入失调电压Vos=±1.8mV(25℃);　　跨导200和1000可选;　　采用外围输出对地电阻设置可变增益;　　低静态电流：50μA(典型);　　宽温度范围：-40℃至125℃;　　SOT23-5封装;　　03 TPA127/TPA127B产品应用　　TPA127系列可做高电压端电流检测，像电池高边电流检测、BUS高边电流检测，可用于无人机驱动板、BMS板、服务器主控板、低压大功率DCDC电源、通信设备等。典型应用电路无人机电驱典型应用框图

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思瑞浦

发布时间：2026-11-03 10:16 阅读量：233 继续阅读>>

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扬杰MOSFET如何扛住热插拔"高压大电流瞬间"

　　工业电源的"隐形考题"：　　在PLC、伺服驱动、AGV、工业UPS和服务器冗余电源里，MOSFET大部分时间工作在导通或关断状态，工程师习惯用RDS(on)、Qg、开关时间来评价一颗器件。但在两个时刻，这颗器件会被拉进一个完全不同的工况——上电浪涌和故障限流。　　板卡插入带电背板、大容性负载软启动、输出短路控制器把MOSFET钳位在饱和区……这些瞬间，MOSFET同时承受着接近母线电压的VDS和数十甚至上百安培的IDS。它不再是一个"开关"，而是一个正在被加热的电阻。这时候决定它是否存活的，不是RDS(on)，而是安全工作区(Safe Operating Area, SOA)。　　痛点：为什么"低RDS(on)"的管子反而更容易烧　　过去十年，沟槽工艺把单位面积RDS(on)越做越小，相同导通电阻下芯片面积持续缩小。这带来一个隐性代价：die越小，单位面积承受脉冲功率的能力越弱，抗二次击穿的裕量越紧。　　在热插拔和eFuse场景里，FET被栅极电压缓慢拉升，工作在饱和区。如果芯片局部出现微小热点，而器件温度系数为正——也就是越热电流越大——热点会迅速失控，形成二次击穿(Secondary Breakdown)，几十微秒内器件永久损坏。这就是为什么不少工程师遇到过"参数表上RDS(on)很漂亮、产品规格书也有SOA曲线，但在热插拔实测里还是炸管"的情况。　　问题往往出在三点：　　ZTC点偏高：零温度系数点被推到高VGS，正常线性工作区间落在正温度系数区，热点自加速;　　高温SOA衰减大：datasheet上的SOA曲线标称25°C，机箱内60至85°C环境下实际可用电流要打很大折扣;　　封装热阻不匹配：小封装追求低RDS(on)，但ZthJC偏高，脉冲功率散不出去。　　扬杰的解题思路：把宽SOA特性做进芯片，而不是靠散热补救　　扬杰科技面向工业电源场景推出的宽SOA MOSFET系列，从芯片设计源头解决上述问题。以基于扬杰科技G2.5S技术平台打造的N100V PDFN5060宽SOA物料YJG4D3G10HRS为例:　　优化单元结构与外延掺杂，拉低ZTC点：通过元胞版图和外延参数协同设计，把零温度系数点(ZTC point)推到更低VGS、更低电流位置，使FET在常见线性工作区间落在负温度系数区——热点自动分流降温，从机理上抑制二次击穿。　　同时给出25°C实测能力：产品规格书完整常温下的安全工作区(SOA)，客户无需凭经验保守降额，设计裕量更真实体现。　　低ZthJC封装选型：采用铜夹片(Clip-bond)封装工艺，让脉冲功率在微秒至毫秒级时间内有效导出。YJG3DG8G10HRS热仿真参考示意(54V 5A 10ms 40mm*40mm FR4 PCB)　　兼顾常态导通损耗：针对于客户的应用需求, 在保证宽SOA电流特性下, 同时兼顾的低导通阻抗, 其RDS(on)做到3.4mohm typical @Vgs=10V ，避免为了可靠性牺牲电源效率。　　SOA测试结果(@Vds=50V)YJG4D3G10HRS SOA实测结果样本　　测试与验证：不止于热阻反推, 无法反映实际产品特性：　　宽SOA器件的可信度，最终要落到测试上。但在国内MOSFET行业，产品规格书上的SOA特性曲线长期存在一个"潜规则"——大多数是基于ZthJC热阻模型和器件参数反推出来的，而不是逐点实测。　　这种方法在25°C、100us以下短脉冲、单脉冲条件下与实际吻合尚可，但一旦脉冲拉长到毫秒级反推曲线与真实承受能力之间的偏差就会明显放大。客户在设计时不得不按经验再留一大段降额，原本小封装能解决的问题，最后被迫上D²PAK甚至更大封装。　　扬杰科技在宽SOA产品线上，把测试验证作为与芯片设计同等重要的一环，自行开发完整SOA测试线路，针对客户应用条件逐点实测SOA能力，确保客户使用裕量。　　・信号发生直接控制提供需求脉宽　　・DC source提供稳定直流电压　　・运放+电流采样提供固定电流　　・其他保护功能防止电路击穿，提供可重复性测试扬杰科技SOA测试方案示意　　扬杰科技Wdie SOA MOSFET产品路线图：　　针对常见12V及48V服务器电源轨，扬杰科技推出了多颗不同规格MOSFET，以满足更多实际应用常见。目前已有物料进入批量，且品质稳定。　　G2.5S系列产品在G2.0S的基础上，针对于客户应用需求, 优化了产品特性设计，使得器件SOA能力进一步加强。如需其他详细规格及SOA测试数据，请联系扬杰科技。　　典型应用场景　　12V/48V服务器电源热插拔应用：背板带电插拔板卡，MOSFET在软启动期间承受浪涌电流，宽SOA特性确保单次插拔不触发失效;　　eFuse电子保险丝：过载或短路时控制器把MOSFET钳位在饱和区限流毫秒级，宽SOA是这个工况的硬性指标;　　BMS电池保护与ORing电路应用：电池组充放电切换、反接保护、均流母线，FET在异常瞬间进入线性区;　　伺服驱动与风扇控制：MOSFET作线性电流源长期工作，散热与SOA裕量直接决定寿命;　　AGV/叉车/UPS：电池驱动设备在工况切换时产生大电流应力，宽SOA器件提供系统级冗余。　　结语：　　工业电源的可靠性，往往不取决于那些"标称工况"，而取决于那些持续几毫秒的异常瞬间。扬杰科技宽SOA MOSFET从ZTC点、高温SOA表征和封装热阻三个维度入手，把"扛得住"做进芯片本身——让客户在热插拔、eFuse和电池保护场景里，不再需要在低导通损耗和高可靠性之间做妥协。　　除热插拔应用外，针对服务器应用场景中的SST，PSU，HVDC，IBC及BBU应用，扬杰科技已推出一系列分立器件解决方案，欢迎垂询。　　本文仅作技术交流分享，不构成任何专业建议。文章内容仅供参考，使用后果自负。

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扬杰

发布时间：2026-10-30 11:10 阅读量：306 继续阅读>>

维安WP2706：5.5V/7A带<span style='color:red'>电流</span>监测负载开关，小封装实现大保护

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维安WP2706：5.5V/7A带电流监测负载开关，小封装实现大保护

　　在笔记本、平板、便携手持设备、SSD固态硬盘设计中，电源通路的保护、浪涌抑制、电流监测一直是硬件设计绕不开的痛点。既要承载大电流、压降要小，又要做软启动、过流、过热保护，还要输出电流监控信号，同时还要严控PCB占位面积。　　维安(WAYON)全新负载开关——WP2706，是一款5.5V、7A，集成电流监测的低导通电阻负载开关，　　QFN-12 2×2mm超小封装，一站式解决便携设备电源通路设计难题。　核心亮点参数——WAYON 负载开关WP2706　　超低压降，大电流能力　　集成RDS(ON)典型仅10mΩ功率FET，7A大电流通路，大负载下发热更低，电源损耗更小。　　高精度电流监测　　内置电流监控功能，电流监测精度高达3%，IMON引脚外接电阻即可配置限流阈值，把输出电流转换成可采集的电流信号，MCU可以实时读取负载工作电流，方便整机系统做状态判断、故障告警。　　可编程软启动，抑制上电浪涌　　SS引脚外接电容自定义软启动时间，内部9μA恒流源对电容充电，平缓抬升输出电压，有效抑制开机瞬间冲击浪涌电流，保护后端芯片与电源母线，避免背板电压跌落。　　软启动时间计算公式：　　建议最小软启动电容≥4.7nF。　　完备保护机制，设备更安全　　1 热关断保护　　结温达到155℃触发关断，40℃迟滞，温度回落自动恢复，防止芯片过热烧毁。　　2 输出放电功能　　芯片关闭时，内部放电电阻快速泄放输出端残余电压，避免后级器件残留电压异常。　　3 PG电源正常指示(推挽输出)　　当输入输出压差小于150mV，经过90μs延时PG置高;压差大于200mV拉低。可给主控反馈电源通路状态，做上电时序逻辑判断。　　4 UVLO欠压锁定　　VCC供电低于阈值芯片不工作，避免低压异常工作损坏负载。　　极低待机功耗　　关断状态下，关断电流<1μA，设备休眠状态几乎不耗电，延长便携产品电池续航时间。　　小巧封装 QFN-12 2mm×2mm　　超小封装，在对板卡尺寸抠到极致的便携硬件、SSD模组里，极大节省布板面积。　　典型应用场景——WAYON 负载开关WP2706　　　　典型应用场景——WAYON 负载开关WP2706　　1 笔记本电脑、平板电脑　　2 SSD固态硬盘驱动器　　3 各类需要电源通断控制 +电流监控的板卡电源通路　　设计建议——WAYON 负载开关WP2706　　VCC 引脚供电需要大于3V，芯片内部驱动才能正常工作，注意UVLO上升阈值典型 2.8V。　　IMON 外接电阻直接设置限流阈值，根据公式：　　计算限流点，VIN 在 1.2V~5.5V 范围内S系数基本恒定。　　SS 引脚不要悬空，至少搭配 4.7nF 电容，防止上电浪涌超标。　　PCB 布局：大电流 VIN、VOUT 走线尽量短而宽，降低走线阻抗，利于散热;功率地与信号地做好处理，参考官方评估板 Layout 示例。　　PG 为推挽输出，可直接接MCU IO，不需要额外上拉电阻，最大灌电流不超过 10mA。　　很多负载开关只能简单做电源通断，缺少电流监控，要实现过流检测，还需要额外增加采样电阻+运放，BOM和PCB面积都会增加。　　维安WP2706把7A通路开关、高精度电流监测、软启动、PG状态指示、过热保护全部集成进2×2mm QFN封装。对笔记本、SSD、便携设备硬件设计来说，这是一颗兼顾性能、体积、保护完整性的负载开关方案，简化电源通路设计，提升整机可靠性。

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维安

发布时间：2026-10-30 10:39 阅读量：257 继续阅读>>

上海永铭：机器人关节电机电容怎么选？空间受限与瞬时大<span style='color:red'>电流</span>下的LKZ液态铝电容方案

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上海永铭：机器人关节电机电容怎么选？空间受限与瞬时大电流下的LKZ液态铝电容方案

　　机器人关节电机控制器正朝着高集成度、高实时性和智能化方向演进，电容选型不再只是“容值够不够”的问题，而是要在性能、空间布局和轻量化之间取得平衡。在关节电机控制器电源输入端、板级供电和滤波电路中，尤其关节电机在高速、高负载工况下对瞬时大电流有显著需求，电容需要同时具备大容量储能、低ESR、耐大纹波电流和耐振动能力。　　01 总容量与电流通载不足时，温升、噪声和供电应需评估　　在机器人关节电机这类场景中，用多颗MLCC并联做板级滤波和瞬态储能并不少见。多颗并联可增加标称容量，但受单颗MLCC容量较小限制，整体总容量依然偏低。　　在空间受限、瞬时大电流、高频动态负载工况下，若电容组总容量和电流通载能力不足，温升、运行噪声、供电响应速度和控制精度会成为需评估项;对应可能带来发热降额、噪声、供电响应变慢、控制精度受影响，以及返修/停机风险增加等代价。　　MLCC本身应用广泛;但是在关节电机空间受限、瞬时大电流为主要矛盾的示例工况下，传统陶瓷电容受材料和工艺限制，单颗容量较小;多颗并联后的总容量和电流通载能力需结合具体方案核算。空间紧、又要扛瞬时大电流并留冗余，选型难点正在这里。　　02 产品与选型：LKZ 100V系列液态铝电容　　在机器人关节电机控制器中，常见原方案为多颗小容量MLCC并联做板级滤波和瞬态储能。本文以“48颗100V 10μF 1210封装MLCC并联”作为示例对照方案(该设定用于说明选型与测算方法，不作为具体客户事实陈述)，用于说明选型与测算。　　针对上述对照方案在空间受限、瞬时大电流、高频动态负载下的评估需求，永铭LKZ系列液态铝电解电容采用高密度材料与抗震工艺，具备耐振动、耐大纹波电流、低ESR和宽温工作能力。因为LKZ为液态铝电解电容，采用高密度材料与抗震工艺，单颗可提供100V 150μF标称容量和规格书典型纹波电流900mA;所以在示例BOM中4颗并联可达600μF标称总容量;从而减少并联器件数量和布局压力。　　注：具体参数以对应规格书和实测为准。具体选型需结合BOM、工况和整机实测核算。　　03示例测算：48颗MLCC对照方案 VS 4颗LKZ并联方案　　以“48颗100V 10μF 1210封装MLCC并联”为示例对照方案，LKZ方案按4颗100V 150μF 8×25并联(标称总容量600μF)评估。按示例BOM与结构测算，对应以下变化与评估项：　　器件数量：由48颗降至4颗，对应物料管理与布局压力评估项。　　标称总容量：按标称值由480μF提升至600μF(+120μF，约+25%)，对应板级滤波与瞬态储能评估项。　　电流承载：按标称容量与规格纹波电流评估为提升项，具体比例需按规格书与实测核算。　　空间占用：按示例项目结构测算约节省20%，对应空间布局与装配评估项。　　总体成本：按示例BOM测算口径评估下降超过60%(含器件数量、布局空间、装配管理，未含整机验证费用)，对应BOM综合成本评估项。　　供应链：国产工艺与材料方案，对应交付稳定性与自主可控评估项。　　以上为示例项目测算值;不同项目BOM、工况和结构不同，需结合实测核算。　　04工程师Q&A　　Q1：机器人关节电机空间小、瞬时电流大，原MLCC方案总容量不足、发热噪声大，选电容先看什么?　　先看有限空间内能否提供足够的总容量和电流通载能力，再看ESR、耐纹波电流和耐振动能力。可评估永铭LKZ系列100V 150μF 8×25涂膜铝壳，4颗并联标称总容量600μF，该规格ESR约0.20 Ω、纹波900 mA;上述数据可供板级滤波与瞬态储能评估，是否适用需结合整机实测核算。　　Q2：液态铝电容替代多颗MLCC，重点核对哪些参数?　　重点核对ESR、额定纹波电流、容值、尺寸、耐振动和宽温工作能力。以LKZ100V 150 μF为例，ESR约0.20 Ω、纹波900 mA;在纹波电流下，ESR约0.20 Ω对应IR压降和发热评估项，纹波900 mA对应高频动态负载下的电流通载评估项。8×25为单颗尺寸，4颗并联替代原48颗1210方案后，按示例项目结构测算器件数量由48颗降至4颗、布局压力下降;具体布局需结合结构核算。　　05关节电机电容选型要点　　1.算总容量：不要只看单颗容值，按并联后的总容量评估瞬态能量供给。　　2.看ESR与纹波电流：低ESR有助于降低发热和纹波压降，耐大纹波电流要匹配高频动态负载。　　3.看空间布局：尺寸受限时优先评估小体积大容量方案，减少器件数量和布局压力。　　4.看振动与温度：关节电机存在振动和宽温工况，耐振动、宽温工作能力要纳入选型。　　5.算综合成本：把器件数量、布局空间、装配管理和供应链稳定性一起算。　　6.看供应链：对交付稳定和自主可控有要求的项目，可评估纯国产工艺材料方案。　　在机器人关节电机空间受限、瞬时大电流、高频动态负载场景下，永铭LKZ系列液态铝电容的ESR、纹波、容量和尺寸数据，可作为替代多颗MLCC的评估对象之一;是否适用需结合BOM、工况和整机实测核算。　　如需验证上述方案，欢迎联系我们申请免费样品和Demo板测试，用真实测试数据验证您的设计。

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永铭

发布时间：2026-10-29 16:47 阅读量：297 继续阅读>>

类比半导体丨车规级双向通用<span style='color:red'>电流</span>检测放大器CSA621Q

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类比半导体丨车规级双向通用电流检测放大器CSA621Q

　　CSA621Q系列车规级电流检测放大器是电压输出、低边或高边测量、双向、零漂移系列的分流监视器，专为精密电流测量及电流环路控制电路而设计。通过AEC-Q100车规级认证，支持2.7V至5.5V供电电压范围，输入偏置电流低至0.1μA，共模电压输入范围覆盖-2V~45V，可完美适配12V汽车应用场景。系列提供20V/V、50V/V、100V/V三种固定增益选项，并提供SOT23-5、SC70-6单通道封装及MSOP-10双通道封装，满足不同应用需求。　　核心特性　　1. 宽共模电压范围　　CSA621Q支持-2V~45V的宽共模电压输入范围，可覆盖12V汽车电池系统的全部电压波动场景，包括冷启动、启停、负载突降等瞬态工况。宽共模电压范围使得器件能够在高边电流检测中直接测量分流电阻上的压降，且共模电压与电源电压无关，极大地简化了系统设计。　　2. 超高精度与低漂移　　CSA621Q采用零漂移架构，实现超高精度的电流检测。最大失调电压±80uV，最大失调电压温漂±0.2uV/°C，全温增益误差典型值±0.1%、最大值±1.2%，增益误差温漂典型值3ppm/°C、最大值13ppm/°C。155dB高共模抑制比(CMRR)，可有效抑制共模信号干扰，确保测量结果的准确性。　　3.低噪声与宽带宽　　CSA621Q在增益为20V/V带宽可达250kHz，压摆率0.8V/us，可快速响应电流变化，适用于需要实时电流监测和过流保护的应用场景。输入电压噪声密度仅为80nV/√Hz，在低电流检测时仍能保持高信噪比，确保微小电流信号的精确捕捉。　　4.低功耗设计　　CSA621Q静态电流仅为190uA，在电池供电系统中可有效降低功耗，延长系统续航时间。低功耗特性使其非常适合在对功耗敏感的汽车电子和便携式设备中应用。　　5.灵活的封装选择　　CSA621Q提供多种封装选择：SOT23-5和SC70-6单通道封装适用于空间受限的应用，MSOP-10双通道封装可同时检测两路电流，减少器件数量和PCB占用面积。所有封装均采用引脚兼容设计，便于产品升级和平台化设计。　　典型应用电路　　典型应用场景　　1. 车载充电机(OBC)　　在车载充电机(OBC)应用中，CSA621Q可用于高边或低边电流检测，实时监测充电电流和放电电流。其宽共模电压范围和高精度特性确保在全电压范围内精确测量，双向检测功能可区分充电和放电状态，为电池管理系统提供准确的电流数据，保障充电安全和效率。　　2.电池管理系统(BMS)　　在电池管理系统(BMS)中，CSA621Q可用于低边电流检测，持续监测电池组的充放电电流。超低偏移电压和低漂移特性确保在长时间运行中保持测量精度，高CMRR有效抑制电池组共模电压波动带来的干扰。低静态电流减少BMS系统的自身功耗，延长电池续航。车规级认证保证在汽车环境下的长期可靠性。　　3.智能配电盒　　在智能配电盒(PDC)应用中，CSA621Q可实现多路电流检测，通过MSOP-10双通道封装同时监测两路电流支路，减少器件数量。高精度电流检测使配电盒能够精确监控各支路负载状态，实现智能配电和过流保护。当检测到过流时，系统可快速响应，切断故障支路，保护整车电气系统安全。　　4.电机控制　　在电机控制应用中，CSA621Q可用于相电流检测，实时监测电机绕组电流。宽带宽和高压摆率确保快速响应电流变化，为电机控制环路提供实时反馈。高精度测量支持精确的力矩控制和磁场定向控制(FOC)，提升电机驱动效率和动态性能。车规级认证保证在汽车电机驱动环境中的长期稳定运行。　　5.电磁阀与执行器控制　　在电磁阀和执行器控制应用中，CSA621Q可精确检测电磁阀驱动电流，实现闭环电流控制。在汽车车身稳定控制系统(ESC)和自动变速箱等关键应用中，电磁阀的精准操作对系统性能至关重要。CSA621Q的高精度和快速响应特性，为电磁阀的精密控制提供有力支撑，确保系统响应的准确性和可靠性。　　选型表

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类比半导体

发布时间：2026-10-23 11:02 阅读量：273 继续阅读>>

大<span style='color:red'>电流</span>、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动

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大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动

　　随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富，系统对大电流驱动的需求日益增长，这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战：传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大，而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题，系统调试复杂、故障定位困难，制约了整机模块的小型化与可靠性提升。　　NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流，内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS)，输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置，并内置电流采样，提供全面的诊断与保护功能，包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本，无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸，还是完备故障诊断能力，均表现出色，可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。　　NSD7308系列提供车规和工规两种版本，车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准，可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。　　大电流驱动，具备强大带载能力　　NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ，峰值输出电流可达12A，可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案，直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。　　实际对比测试表明，相较于国产同类产品，NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现，在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时，无论直流还是PWM工况下，NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高，展现出更强的冲击电流承载能力，为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。　　1. 常温下直流带载温升测试：Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升明显优于国产友商的同类产品。　　图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比　　2. 85°C环温下直流带载温升测试：Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升优于国产友商的同类产品。　　图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比　　3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试：Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V)，如下图示，最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。　　图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比　　4. 不触发OCP的最大冲击电流测试：Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V)，如下图所示，不论是DC负载还是PWM带载，OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。　　图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　内部集成电流采样和电流调节功能，　　减少系统面积和成本　　NSD7308集成电流采样功能，无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术，NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸，特别适用于紧凑空间。　　NSD7308可通过IPROPI管脚，按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下，IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号，即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下，IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号，即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。　　此外，NSD7308还集成了电流调节功能，且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时，芯片会自动执行电流调节功能，抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流，降低芯片过热风险;同时，该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。　　支持多工况负载状态诊断，精准定位故障　　NSD7308支持输出端负载状态诊断，可在电机启动前或运行过程中及时发现异常，提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式：待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。　　待机模式下的负载检测(OLP)　　芯片通过配置输入引脚状态，依次使能内部上拉和下拉电阻，测量OUTx端电压，并与内部比较器的电压阈值进行比较，从而检测诊断以下异常：　　输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)　　全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)　　半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)　　工作模式下的负载开路检测(OLA)　　支持高边续流和低边续流两种工况，可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测：　　全桥模式(Full-Bridge)：芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对地负载：芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对电源负载：芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产，具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样，产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性，可在有限空间内实现更大负载的驱动。

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纳芯微

发布时间：2026-10-22 10:26 阅读量：276 继续阅读>>

AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的<span style='color:red'>电流</span>和电压

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AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇：桥式电路的开关产生的电流和电压

　　在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。　　下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流(绿色线)。　　ID的变化dID/dt所产生的电压　　ID的变化将会产生下述公式(1)所示的电压。　　这是由于存在于SiC MOSFET源极的寄生电感中流过ID而产生的电压，是由电路图中的(I)引起的。该电压会使电流(I’)流过。　　VDS的变化dVDS/dt所产生的电流　　以HS为例，当SiC MOSFET关断、VDS变化时，Gate-Drain寄生电容CGD中会流过电流ICGD。如电路图所示，该电流分为Gate-Source寄生电容CGS侧流过的电流ICGD1：(II)-1和栅极电路侧流过的电流ICGD2：(II)-2。当VDS开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分ICGD都在CGS侧，此时的ICGD1如公式(2)所示。　　从公式可以看出，当CGD较大时或CGD/CGS的比值变小时，ICGD1会增加。　　dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通(Turn-on)和关断(Turn-off)时是不同的。在下一篇文章中将会进一步详细解说。　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

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ROHM , ROHM Semiconductor , Ameya360

发布时间：2026-10-22 10:05 阅读量：429 继续阅读>>

【大<span style='color:red'>电流</span>供电新标杆】帝奥微重磅推出高性能同步降压DCDC-DIO6146

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【大电流供电新标杆】帝奥微重磅推出高性能同步降压DCDC-DIO6146

　　随着AI算力下沉、机器视觉普及和存储密度不断提升，不同功率等级的处理器、高速存储等核心负载，对电源提出灵活输出电流选型、高转换效率、快速瞬态响应、小体积高密度布局的严苛需求。　　帝奥微近期推出的同步降压DC/DC——DIO6146，凭借COT恒定导通时间架构、8/8mΩ超低导通内阻及2mm × 3mm超小封装，在实现10A大电流输出的同时兼顾高效率、快速瞬态响应与完备保护，成为大电流应用的理想供电搭档!　　DIO6146简介及主要参数　　DIO6146是高集成度内置功率MOS管的同步降压DC-DC转换器，同封装完全兼容的情况下，可提供6A、8A、10A三档不同输出电流的版本。　　DIO6146采用优化的COT(恒定导通时间)架构，兼顾优异瞬态响应与环路稳定性;集成低导通内阻功率MOSFET，有效降低开关转换损耗和导通损耗;支持QFN2*3-12超小封装，可实现紧凑高功率密度PCB设计。　　产品广泛适配AI计算板卡、光模块、高性能SSD、IPC网络摄像机、工业PC、工控模块、高端消费硬件等大电流应用场景。其核心参数如下：　　DIO6146应用框图　　DIO6146性能解析　　DIO6146针对大电流设备“重载满功率运行 + 待机间歇工作”的混合工况进行双重优化，兼顾重载大功率输出与轻载省电需求：　　重载低导通损耗：内置低阻抗功率MOS，面对重载输出时，可有效降低导通损耗，最高效率可达94%以上(VIN=3.3V，VOUT=1.2V)。　　智能模式切换：用户可通过MODE引脚切换FPWM模式与PSM模式。在Auto模式下，重载维持1.2MHz固定PWM工作保障转换效率;轻载时自动切换PSM省电模式，低静态功耗，在设备休眠、待机场景下减少电量消耗。　　DIO6146与行业竞品带载效率解析　　由于AI处理器、高速存储、图像传感器对电源噪声十分敏感，纹波过高会引发数据读写异常、信号失真等问题。DIO6146在FPWM模式下，芯片维持1.2MHz固定开关频率，配合低ESR陶瓷电容可实现低纹波供电。　　如下是DIO6146输出纹波特性表现，在VIN=3.3V，VOUT=0.9V，Iload=6A测试条件下，输出纹波仅有5mV。　　AI处理器、高端相机、SSD主控等核心电源轨在工作时往往伴随剧烈的负载突变，若DC/DC动态响应迟缓，电压跌落或过冲将直接影响系统稳定性。DIO6146采用优化的COT恒定导通时间架构，具有非常快的瞬态响应速度，负载突变时无需复杂外部补偿即可快速恢复输出电压。　　电池供电设备在电量即将耗尽时，输入电压会逼近DC/DC的输出电压，若DC/DC 此时无法完全导通，会造成输出电压跌落，提前触发系统关机，浪费宝贵电量。DIO6146支持 100%占空比，低压差下仍可持续供电;同时15μA的超低静态电流，可最大程度延长待机续航。　　DIO6146支持Power-Good指示，为系统上电时序与异常监测提供精准信号;支持供短路保护提供Hiccup(打嗝重启)与Latching(锁死)两种模式可选，分别适用于需要自动恢复与需要锁定故障的场景;同时集成可调软启动、过流保护、热关断及约5Ω输出放电功能，并支持外部工作模式控制，全方位保障系统安全可靠运行。　　从8/8mΩ超低内阻支撑高效率转换、10A大电流输出，到COT架构带来快速动态响应，再到100%占空比低压差运行、完备保护特性，DIO6146以全维度性能优化，完美应对大电流DC/DC应用的核心痛点。其超小 QFN2*3_12 封装与高开关频率，进一步节省PCB Layout尺寸，适配高密度布局需求。

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发布时间：2026-10-19 13:36 阅读量：316 继续阅读>>

上海永铭丨AI服务器高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏<span style='color:red'>电流</span>可靠性支撑Pin-to-Pin替代

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上海永铭丨AI服务器高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏电流可靠性支撑Pin-to-Pin替代

　　本文摘要　　AI服务器电源中的DC Link直流母线与板级滤波电容，需要长期承受高温、大纹波和连续负载变化。漏电流若在运行中出现异常漂移，可能放大器件发热和失效风险，并进一步影响设备维护成本与交付稳定性。永铭IDC3系列围绕氧化膜、电解液、密封、连接工艺和出厂筛选建立控制路径，并提供全温区电气数据及Pin to Pin验证基础，帮助客户把可靠性评估前置到选型与导入阶段。　　AI服务器高负荷运行下为什么漏电流值得提前评估　　在AI服务器中，牛角铝电解电容承担母线滤波、储能和板级滤波等任务。设备从启动到高负载计算，电容面对的不只是额定电压和容量，还包括温度循环、持续纹波、峰值电流以及多并联时的一致性要求。对于7×24小时运行的系统，可靠性判断不能只停留在出厂时的单点参数。　　漏电流风险通常存在一条逐步发展的路径。阳极箔氧化膜的微小损伤、杂质带来的局部腐蚀、电解液修复能力不足，都会为电流异常提供起点。温度上升后，离子迁移和水合反应加快，氧化膜可能出现变薄、微裂纹或针孔;漏电流的增加又会带来额外焦耳热，使电解液挥发和膜层修复能力下降。对服务器客户而言，关键问题因此不只是“当前数值是否合格”，更是这一风险能否被识别、控制和验证。　　IDC3如何从制造环节控制漏电流风险　　IDC3的控制逻辑从失效诱因出发，将材料、结构与工艺串联起来。高纯度阳极铝箔和满足450至500V耐压要求的化成氧化膜，为膜层致密性提供基础;工作电解液兼顾导电和膜层修复作用，并对氯离子、硫酸根等有害杂质及水分含量进行控制。　　在长期高温工况下，密封能力直接影响电解液保持状态。IDC3采用优质板材加膜的密封结构，降低电解液挥发干涸的风险。连接环节采用激光焊接替代传统点焊或铆接，资料显示可降低接触电阻，使ESR降低约30%，同时改善焊接一致性，为多并联应用中的电流分配控制提供支持。结合原材料、生产环境洁净度和杂质管控，风险控制不再只依赖终检，而是前移到关键制造环节。　　IDC3关键规格与全温区电气特性　　选型时，20℃下的额定容量只是起点。系统实际运行会经历低温启动、常温运行与高负荷升温，因此需要同时观察容量和ESR随温度变化的轨迹。IDC3两种常用规格的基础参数如下。　　图1：IDC3 475V1670uF与475V2270uF规格、电气参数及漏电流内规格值　　在120Hz测试条件下，475V 1670µF规格的容量平均值由−40℃的1261.58µF变化至105℃的1570.92µF，ESR平均值由1135.86mΩ降至18.82mΩ。475V 2270µF规格的容量平均值由1732.03µF变化至2111.30µF，ESR平均值则由984.24mΩ降至17.68mΩ。两个规格虽然容量等级和尺寸不同，但都建立了从低温到高温的连续数据观察基础。　　图2：IDC3 475V 1670uF 30×100容量与ESR高低温测试结果　　换到更大容量的IDC3 475V 2270uF 35×100，同样可以看到完整的温度变化过程。容量平均值从-40℃的1732.03uF逐步变化至105℃的2111.30uF;ESR平均值则从984.24mΩ下降至17.68mΩ。　　图3：IDC3 475V 2270uF 35×100容量与ESR高低温测试结果　　IDC3通过这两组规格的高低温测试数据，让客户能够更直观地看到器件从低温到高温的电气特性变化，为后续选型和应用验证提供依据。　　当然，容量和ESR的温度特性解决的是“不同温度下电气参数如何变化”的问题，而AI服务器客户更加关注的漏电流异常，则需要从氧化膜质量、杂质控制、电解液修复能力以及高温加速机制等方面进一步判断。也就是说，只有把全温区电气特性与漏电流可靠性放在同一个应用场景中理解，才能更完整地评价牛角铝电解电容在AI服务器中的长期使用风险。　　从出厂筛选到高温存储用数据验证漏电流表现　　IDC3的漏电流测试条件为20℃下施加额定电压5分钟后测量。针对服务器应用，内部以规格值的30%作为加严内控窗口，旨在进一步收窄潜在差异。高温存储验证则关注器件在严苛环境后的恢复表现：在105℃下存储1000小时，恢复至20℃后测试，漏电流维持在初始规格范围内。　　图4：两种IDC3规格初始漏电流与105℃/1000h高温储存后漏电流数据　　这些数据的意义并不在于替代完整的系统级验证，而在于为项目早期筛选提供可追溯的依据。客户仍应按照实际电压、纹波、散热条件与寿命目标开展应用验证。　　永铭Pin to Pin替代，为第二供应源评估提供起点　　对已采用日系同类方案的客户，第二供应源的价值不只是增加一个料号，更在于建立经过规格匹配和验证的供应选择。　　IDC3 475V 1670µF Φ30×100mm　　可对应475V 1600µF 30×100mm应用;　　IDC3 475V 2270µF 35×100mm　　可对应475V 2200µF 35×100mm应用。　　两类规格引脚间距一致，可作为Pin to Pin替代验证的起点。　　从样品申请、规格核对、台架测试到整机导入，客户可以分阶段推进评估，在确认可靠性要求的同时，降低单一供应来源带来的项目不确定性。具体替代关系及导入结论仍需结合客户的电路条件和验证流程确认。　　Q&A　　Q：永铭IDC3如何保证漏电流的稳定　　A：通过氧化膜致密性、阳极箔与电解液杂质控制、电解液的膜层修复能力、密封可靠性、激光焊接一致性以及出厂前的加严筛选。　　Q：全温区容量和ESR数据，选型该看什么?　　A：AI服务器会经历低温启动、常温运行和高负载升温，20℃单点参数不能完全代表全温区表现。以475V/1670µF为例，120Hz下容量平均值从-40℃的1261.58µF到105℃的1570.92µF，ESR平均值从1135.86mΩ降至18.82mΩ。这些数据用于评估低温启动和高温负载时的电气裕量，实际选型还要结合纹波电流、散热条件和寿命目标。

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上海永铭

发布时间：2026-10-16 10:24 阅读量：288 继续阅读>>

采用BendingMag™聚磁技术，纳芯微推出U型聚磁线性<span style='color:red'>电流</span>传感器NSM2025

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采用BendingMag™聚磁技术，纳芯微推出U型聚磁线性电流传感器NSM2025

　　纳芯微推出车规级线性电流传感器NSM2025，采用纳芯微BendingMag™聚磁技术，内置集磁片并配合外部U型磁芯，满足AEC-Q100 Grade 0要求，为需要检测大电流、安装空间受限的新能源汽车电驱系统，提供便于与PCB、母排组合安装的结构选择，可用于新能源汽车电机逆变器、BMS及过流检测等应用。　　采用聚磁技术，　　提供灵活电流检测结构选择　　NSM2025采用BendingMag™聚磁技术，配合外部U型磁芯完成电流检测。外部磁芯将载流导体产生的磁场引导至芯片，内置集磁片将水平方向的磁场转换至霍尔敏感单元可检测的垂直方向，芯片据此输出与电流大小对应的电压信号。　　相较传统C型磁芯方案，U型聚磁方案结构更简洁，传感器芯片的安装位置可根据母排形态和系统内部空间灵活调整，有利于系统小型化与成本优化。　　快速响应、宽温精度，　　支持闭环控制与过流保护　　快速捕捉电流变化：NSM2025具备270kHz带宽，典型响应时间为2μs，可及时跟踪电机控制及功率变换系统中的电流变化，为闭环控制和过流保护提供信号反馈。　　准确测量，降低温度漂移：NSM2025在25℃下的典型精度为±1.0%，非线性误差为±0.4%。针对温度变化带来的测量偏差，产品采用Spin Current技术，并优化测试及标定程序，在−40℃至150℃范围内将灵敏度漂移控制在±1.5%以内、失调漂移控制在±8 mV以内，为系统在不同工作温度下的电流闭环控制提供稳定的测量反馈。　　丰富的电流检测结构与磁传感产品布局　　在新能源汽车电机逆变器等应用中，电流传感器既要满足快速、准确的检测要求，也要适配母排结构、安装空间及系统成本要求。纳芯微线性电流传感器已覆盖C型磁芯、U型聚磁及Coreless无磁芯结构，可针对不同的检测性能、母排结构、安装空间和成本要求，提供适配的产品方案。　　在磁传感器芯片领域，纳芯微已形成涵盖霍尔、AMR、TMR、电感及磁通门等技术的产品布局，提供电流传感器、磁开关与锁存器、角度编码器、线性位置传感器、速度传感器及传感器信号调理芯片，为汽车电子、光伏、储能、工业控制、机器人、消费电子等应用提供丰富、灵活、可靠的感知解决方案。

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发布时间：2026-10-10 10:58 阅读量：311 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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